小山 二三夫 | 東京工業大学

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概要

• 小山 二三夫の詳細を見る
• 同名の論文著者
• 東京工業大学の論文著者

関連著者

• 小山 二三夫

  東京工業大学

• 小山 二三夫

  東京工業大学精密工学研究所

• 小山 二三夫

  東京工業大学精密工学研究所マイクロシステム研究センター

• 伊賀 健一

  東京工業大学

• 伊賀 健一

  東京工業大学精密工学研究所

• 松谷 晃宏

  東京工業大学 精密工学研究所

• 西山 伸彦

  Corning Incorporated

• 西山 伸彦

  東京工業大学 精密工学研究所

• 西山 伸彦

  東京工業大学 理工学研究科 電気電子工学専攻

• 坂口 孝浩

  東京工業大学精密工学研究所

• 宮本 智之

  東京工業大学 精密工学研究所

• 宮本 智之

  東京工業大学 精密工学研究所 マイクロシステム研究センター

• 淵田 歩

  東京工業大学精密工学研究所

• 坂口 孝浩

  東京工業大学精密工学研究所マイクロシステム研究センター

• 品田 聡

  東京工業大学精密工学研究所マイクロシステム研究センター

• 荒井 昌和

  東京工業大学精密工学研究所マイクロンステム研究センター

• 鈴木 耕一

  東京工業大学精密工学研究所

• 羽鳥 伸明

  東京工業大学精密工学研究所

• 長谷部 浩一

  東京工業大学 精密工学研究所 マイクロシステム研究センター

• 水谷 章成

  東京工業大学精密工学研究所

• 伊賀 健一

  東工大精研

• 松谷 晃宏

  東京工業大学精密工学研究所

• 向原 智一

  東京工業大学精密工学研究所

• 平野 豪

  東京工業大学 精密工学研究所 マイクロシステム研究センター

• 向原 智一

  東京工業大学精密光学研究所

• 島田 敏和

  東京工業大学精密工学研究所

• 今村 明博

  東京工業大学精密工学研究所

• 松浦 哲也

  東京工業大学精密工学研究所マイクロシステム研究センター

• 三浦 達

  東京工業大学精密工学研究所

• 大西 裕

  東京工業大学精密工学研究所

• 本田 徹

  工学院大学工学部

• 太田 征孝

  東京工業大学精密工学研究所マイクロシステム研究センター

• 古旗 達也

  東京工業大学精密工学研究所マイクロシステム研究センター

• 松井 康尚

  東京工業大学精密工学研究所マイクロシステム研究センター

• 香野 花沙鈴

  Corning Incorporated

• 太田 征孝

  東京工業大学精密工学研究所附属マイクロシステム研究センター

• 石 鍾恩

  Corning Incorporated

• 須田 悟史

  東京工業大学 精密工学研究所 マイクロシステム研究センター

• 天野 建

  東京工業大学精密工学研究所

• 天野 建

  東京工業大学精密工学研究所マイクロシステム研究センター

• 高橋 光男

  Atr環境適応通信研

• 影山 健生

  古河電気工業(株)横浜研究所 半導体研究開発センター

• 大軒 紀之

  東京工業大学精密工学研究所

• 山川 英明

  東京工業大学精密工学研究所フォトニック集積システム研究センター

• 後藤 顕也

  東海大

• 本田 徹

  東京工業大学精密工学研究所,工学部

• 井上 彰

  東京工業大学精密工学研究所

• 後藤 顕也

  東海大学開発工学部情報通信工学科

• 竹内 寛爾

  東京工業大学精密工学研究所

• 大和屋 武

  東京工業大学精密工学研究所マイクロシステム研究センター

• ジャント ウィガネス

  東京工業大学 精密工学研究所 マイクロシステム研究センター

• CHANG-HASNAIN Connie

  カリフォルニア大学バークレー校

• 伊賀 健一

  日本学術振興会

• ダイアル バブ

  東京工業大学精密工学研究所

• 白澤 智恵

  東京工業大学精密工学研究所

• 影山 健生

  東京工業大学精密工学研究所

• 北林 直人

  東京工業大学精密工学研究所マイクロシステム研究センター

• ZHAO Xiaoxue

  カリフォルニア大学バークレー校

• 渡辺 敏英

  (株)atr光電波通信研究所 通信デバイス研究室

• 和田 智之

  理化学研究所

• 森 美由紀

  東京工業大学精密工学研究所

• 吉村 政志

  大阪大学大学院工学研究科

• 高田 剛

  東京工業大学

• 高田 剛

  東京工業大学精密工学研究所

• 内山 泰宏

  東京工業大学精密工学研究所マイクロシステム研究センター

• 猿倉 信彦

  大阪大学 レーザーエネルギー学研究センター

• 粕川 秋彦

  古河電工横浜研究所半導体研究開発センター

• 藤田 和久

  (株)atr光電波通信研究所 通信デバイス研究室

• 南出 泰亜

  理化学研究所フォトダイナミクス研究センター

• 内田 貴司

  東京工業大学精密工学研究所

• 粕川 秋彦

  古河電気工業(株)横浜研究所 半導体研究開発センター

• 粕川 秋彦

  古河電気工業(株)ファイテルフォトニクス研究所半導体デバイス開発部

• 粕川 秋彦

  古河電工

• 和田 智之

  理化学研究所 工学基盤研究部

• 佐野 勇人

  東京工業大学精密工学研究所

• 近藤 崇

  東京工業大学

• 井上 茂之

  東京工業大学 精密工学研究所

• 牧野 茂樹

  株式会社日立製作所中央研究所

• 橋爪 滋郎

  東京工業大学精密工学研究所マイクロシステム研究センター

• 牧野 茂樹

  東京工業大学精密工学研究所

• 安土 宗近

  東京工業大学・マイクロシステム研究センター

• 江上 典文

  Atr環境適応通信研

• 馬場 俊彦

  横浜国立大学工学研究院

• 藤田 和久

  ATR光電波通信研究所

• 渡辺 敏英

  ATR光電波通信研究所

• 高橋 光男

  ATR光電波通信研究所

• Pablo Vaccaro

  ATR光電波通信研究所

• 田所 奈緒美

  東京工業大学精密工学研究所フォトニック集積システム研究センター

• 徳永 義久

  東京工業大学精密工学研究所フォトニック集積システム研究センター

• Vaccaro Pablo

  (株)atr光電波通信研究所 通信デバイス研究室

• 濱 威

  古河電工横浜研究所半導体研究センター

• 有賀 麻衣子

  古河電工横浜研究所半導体研究センター

• セティアグン カシミルス

  古河電工横浜研究所半導体研究センター

• 池永 賀彦

  古河電工横浜研究所半導体研究センター

• 影山 健生

  古河電工横浜研究所半導体研究センター

• 熊田 浩仁

  古河電工横浜研究所半導体研究センター

• 岩井 則広

  古河電工横浜研究所半導体研究センター

• 清水 均

  古河電工横浜研究所半導体研究センター

• 西片 一昭

  古河電工横浜研究所半導体研究センター

• 藤澤 貴祥

  東京工業大学精密工学研究所マイクロシステム研究センター

• 渡辺 敏英

  Atr光電波通信研

• 三木 聡

  情報通信工学専攻

• 三木 聡

  東海大学開発工学部(大学院開発工学研究科情報通信工学専攻)

• 渡辺 敏英

  NHK放送技術研究所

• 本田 徹

  工学院大学大学院工学研究科

• 斎藤 徳人

  理研

• 関口 茂昭

  株式会社富士通研究所

• 川瀬 晃道

  理化学研究所

• 玉木 裕介

  理化学研究所レーザー物理工学研究室

• 緑川 克美

  理化学研究所レーザー物理工学研究室

• 玉木 裕介

  慶應義塾大学 理工学研究科

• 中田 芳樹

  九州大学大学院システム情報科学研究科

• 藤田 雅之

  レーザー技術総合研究所

• 伊沢 孝男

  昭和オプトロニクス(株)

• 斎藤 徳人

  東京理科大学物理学科

• 吉村 政志

  大阪大学工学部電気工学科

• 森 勇介

  大阪大学工学部電気工学科

• 山川 考一

  日本原子力研究所光量子科学センター

• 猿倉 信彦

  分子科学研究所分子制御レーザー開発研究センター

• 迫田 和彰

  北海道大学電子科学研究所

• 中田 芳樹

  阪大レーザー研

• 伊藤 弘昌

  東北大学電気通信研究所

• 栗原 一真

  情報通信工学専攻

• 馬場 俊彦

  横浜国立大学電子情報工学科

• 森 道昭

  筑波大学 先端学際領域研究(tara)センター

• 関口 茂昭

  (株)富士通研究所

• 小関 俊政

  分子科学研究所

• 猿倉 信彦

  岡崎国立共同研究機構分子科学研究所

• 清水 富士夫

  電通大レーザー量子・物質

• 清水 富士夫

  東大工

• 向原 智一

  古河電工横浜研究所半導体研究開発センター

• 柊元 宏

  東工大・工

• 柊元 宏

  東京工業大学工学部

• 緑川 克美

  理化学研究所 緑川レーザー物理工学研究室

• 緑川 克美

  理化学研究基幹研究所エクストリームフォトニクス研究グループ

• 宗片 比呂夫

  東京工業大学

• 熊谷 寛

  理化学研究所 レーザー物理工学研究室

• 清水 富士夫

  電気通信大学 レーザー新世代研究センター

• 平澤 正勝

  北海道大学大学院研究科

• 平等 拓範

  岡崎国立共同研究機構分子科学研究所

• 鈴木 克昌

  東京工業大学精密工学研究所

• 森 勇介

  大阪大学工学部

• 田 金

  東京工業大学 精密工学研究所 マイクロシステム研究センター

• 山川 考一

  日本原子力研究開発機構

• 山川 考一

  日本原子力研究所

• 菅原 雄大

  東京工業大学精密工学研究所

• 武田 一隆

  東京工業大学精密工学研究所マイクロシステム研究センター

• 比嘉 康貴

  東京工業大学精密工学研究所

• 林 幸夫

  東京工業大学精密工学研究所

• 高橋 孝志

  (株)リコー研究開発本部中央研究所

• 佐藤 尚

  東北大学電気通信研究所

• 宗片 比呂夫

  東京工業大学・工学部

• 清水 富士夫

  日本物理学会選考委員会

• 向井 剛輝

  (株)富士通研究所

• 小林 洋平

  産業技術総合研究所

• 小林 洋平

  産業技術総合研

• 香野花 沙鈴

  Corning Incorporated

• Matsutani A.

  東京工業大学 精密工学研究所

• 佐藤 俊一

  (株)リコー 研究開発本部中央研究所

• 軸谷 直人

  (株)リコー 研究開発本部中央研究所

• 川西 英雄

  工学院大学電子工学科

• 青木 泰彦

  東京工業大学精密工学研究所マイクロシステム研究センター

• 島田 裕二

  東京工業大学精密工学研究所マイクロシステム研究センター

• 猿倉 信彦

  分子科学研究所

• 猿倉 信彦

  分子研

• 菅原 雄大

  東京工業大学精密工学研究所マイクロシステム研究センター

• 武田 一隆

  富士ゼロックス株式会社光システム事業開発部

• 吉村 政志

  大阪大学大学院 工学研究科

• 今井 一宏

  理化学研究所フォトダイナミクス研究センター

• 軸谷 直人

  (株)リコー研究開発本部中央研究所

• 松本 正行

  大阪大学大学院工学研究科

• 和田 智之

  理研

• 趙 聖学

  理化学研究所レーザー物理工学研究室

• 馬場 俊彦

  横浜国立大学

• 阿部 誠

  東京工業大学精密工学研究所

• Vaccaro Pablo

  ATR光電波通信研究所

• ハンス ビシェシュール

  東京工業大学 精密工学研究所

• 金 泳珠

  東海大学開発工学部情報通信工学科

• 加藤 淳一

  東京工業大学精密工学研究所

• 向井 剛輝

  (株)富士通研究所基盤技術研究所

• 野田 進

  京都大学 工学研究科電子工学専攻

• 横内 則之

  東京工業大学精密工学研究所

• 内田 俊一

  東京工業大学精密工学研究所

• 湊 由希子

  東京工業大学 精密工学研究所 マイクロシステム研究センター

• 後藤 顕也

  東海大学 開発工学部

• 佐藤 俊一

  (株)リコー研究開発本部中央研究所

• 和田 智之

  理研フォトダイナミックス研究センター

• 武内 健一郎

  東京工業大学・精密工学研究所

• Karagodsky Vadim

  カリフォルニア大バークレー校

• Pesala Bala

  カリフォルニア大バークレー校

• Dayal Babu

  東京工業大学精密工学研究所マイクロシステム研究センター

• 熊谷 寛

  大阪市立大学大学院工学研究科

• 平沢 正勝

  東北大 理

• 平澤 正勝

  科学技術振興事業団

• 柊 元宏

  東工大工

• 勝部 敦史

  東京工業大学精密工学研究所,工学部

• 井上 浩介

  東京工業大学精密工学研究所,工学部

• 栗原 一真

  東海大学開発工学部(大学院開発工学研究科情報通信工学専攻)

• 鈴木 和拓

  東海大学

• 鈴木 和拓

  東海大学開発工学部情報通信工学科

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著作論文

• CLEO/IQEC '98報告
• GaInAsSbカバー層を有するInAs量子ドットの面発光型デバイス応用に向けた面内偏光特性の検討(ナノ光技術・電子技術,次世代ナノテクノロジー論文)
• GaInAs系トンネル注入レーザにおける発振特性のトンネル注入構造依存性(量子効果型光デバイス・光集積化技術, 及び一般)
• GaAs上長波長帯レーザのためのGaInAsSb系量子ドットのMBE成長(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
• 26aE05 GaInAs量子ドットへのSb添加効果(ナノエピシンポジウム,第34回結晶成長国内会議)
• 全光イコライゼーションによる高速光変調の検討(マイクロ波フォトニクス技術,一般)
• GaInNAs/GaAs量子井戸レーザの長波長化に関する検討
• 1.3μm GaInNAs/GaAs面発光レーザの構造設計
• マイクロマシン構造を用いた面発光レーザの波長温度係数制御(量子光学,非線形光学,超高速現象,レーザ基礎,及び一般)
• 1.2μm帯GaInAs/GaAs高密度面発光レーザアレイの波長制御(半導体レーザ関連技術, 及び一般)
• 多波長面発光レーザアレイ
• OPE2000-35 / LQE2000-29 GaInNAs/GaAs量子井戸レーザの高温レーザ発振特性
• OPE2000-35 / LQE2000-29 GaInNAs/GaAs量子井戸レーザの高温レーザ発振特性
• (311)B基板上に形成したInGaAs/GaAs面発光レーザにおける高速変調時の偏波特性
• 小さな波長温度係数を有するマイクロマシン面発光レーザ及び共振型フォトディテクタ(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
• 小さな波長温度係数を有するマイクロマシン面発光レーザ及び共振型フォトディテクタ(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
• 小さな波長温度係数を有するマイクロマシン面発光レーザ及び共振型フォトディテクタ(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
• 小さな波長温度係数を有するマイクロマシン面発光レーザ及び共振型フォトディテクタ(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
• 可飽和吸収体を有する垂直微小共振器構造を用いた光非線形位相補償デバイス(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般)
• 可飽和吸収体を有する垂直微小共振器構造を用いた光非線形位相補償デバイス(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般)
• SC-2-6 多波長面発光レーザアレイ
• C-4-1 単一高次横モード面発光レーザの遠視野制御
• MOCVD成長1.3um帯GaInNAs面発光レーザ
• (311)B基板上GaInAs/GaAs完全単一モード面発光レーザアレー
• 微小共振器面発光レーザによる近接場光生成
• マイクロマシーン技術を用いた温度無依存面型光フィルタ
• マイクロマシーニングによる波長温度無依存Add/Dropフィルタ/面発光レーザの可能性
• マイクロマシーニングによる波長温度無依存Add/Dropフィルタ/面発光レーザの可能性
• マイクロマシーニングによる波長温度無依存Add/Dropフィルタ/面発光レーザの可能性
• C-4-13 近接場光生成のための金属微小開口面発光レーザの製作
• 面発光レーザーの研究開発と進展
• GaN系青色面発光レーザ用共振器の形成と評価(紫外発光材料の現状と将来)
• GaN系青色面発光レーザ用共振器の形成と評価 : 紫外線発光の現状と将来シンポジウム
• マイクロオプティカルベンチによる2次元並列光インタコネクトモジュール構成法
• 微小コーナ反射鏡の有限要素法解析とその光デバイスへの応用
• 半導体光増幅器を用いたスペクトルスライス光の雑音抑圧
• C-4-29 横方向量子構造混晶化による面発光レーザの特性向上(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• OECC2010報告 : アクティブデバイス・モジュール関連(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
• OECC2010報告 : アクティブデバイス・モジュール関連(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
• OECC2010報告 : アクティブデバイス・モジュール関連(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
• OECC2010報告 : アクティブデバイス・モジュール関連(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
• 面発光レーザとスローライト光デバイスの新しい集積構造の提案(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
• C-4-8 中空導波路集積型DBRレーザのアサーマル動作の基礎検討(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• 面発光レーザとスローライト光デバイスの新しい集積構造の提案(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
• 面発光レーザとスローライト光デバイスの新しい集積構造の提案(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
• 面発光レーザとスローライト光デバイスの新しい集積構造の提案(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
• AlAs選択酸化を利用する極微構造InGaAs/GaAs面発光レーザに関する基礎的検討
• (311)A面GaAs基板上面発光レーザの出力偏波特性
• (311)A面InGaAs/GaAs歪量子井戸面発光レーザの発振特性
• Modelling of VCSELs Including Carrier Diffusion and Diffraction Losses
• (311)A面上面発光レーザの発振特性一偏波制御と低しきい値化の実現一
• 極微構造 InGaAs/GaAs 面発光レーザの低しきい値動作
• 極微InGaAs/GaAs面発光レーザの低しきい値化
• MOCVD成長InGaAs/GaAs面発光レーザの低しきい値動作
• 金属/半導体偏光子を用いた面発光レーザの偏波制御
• 1.3μm帯GaInNAsSb/GaAs VCSELのKファクタの検証(量子効果デバイス(LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般)
• 1.3μm帯GaInNAsSb/GaAs VCSELのKファクタの検証(量子効果デバイス(LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般)
• 化学ビーム成長(CBE)法によるGaInAsP/InP結晶成長と面発光レーザへの応用
• 化学ビームエピタキシ(CBE)法による面発光レーザのためのGaInAs/InP膜厚の制御
• C-4-53 ASE 光変調を用いた光前置増幅器の構造最適化
• 半導体光増幅器を用いたスペクトルスライス光の雑音抑圧
• C-4-7 半導体光増幅器のASE光変換を用いた前置増幅器の動特性評価
• テーパー中空導波路を用いた多波長面発光レーザアレイの合波器の検討(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,及び一般)
• テーパー中空導波路を用いた多波長面発光レーザアレイの合波器の検討(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,及び一般)
• CLEO/QELS 2000報告
• C-3-67 横方向結合を用いた面発光レーザとスローライト光デバイス集積化の検討II(C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
• 「半導体面発光レーザーの現状」特集号に寄せて
• C-4-20 高屈折率差サブ波長回折格子を用いた多波長面発光レーザの波長域拡大の検討(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• C-3-73 横方向結合を用いた面発光レーザとスローライト光変調器集積化の検討(光変調器,C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
• Bragg 反射鏡導波路におけるスローライトを用いた光回路
• C-3-16 結合導波路を利用した低分散スローライト光スイッチ(C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
• C-3-45 マイクロミラーを用いたスローライト光導波路への結合II(C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
• C-3-69 多波長面発光レーザアレイと集積可能な小型光合波器の検討(C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
• スローライトを利用した新しい導波路型光スイッチ(光エレクトロニクス)
• C-3-22 可変中空光導波路を用いた光回路(C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
• C-3-27 スローライト光導波路における挿入損失の偏光依存性(C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
• C-3-28 マイクロミラーを用いたスローライト光導波路への結合(C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
• 全光イコライゼーションによる高速光変調の検討
• 全光イコライゼーションによる高速光変調の検討(マイクロ波フォトニクス技術,一般)
• C-3-93 可変微小中空光導波路からの放射特性(光ファイバー,C-3. 光エレクトロニクス,一般セッション)
• C-3-69 導波路交差角90度を可能とするスローライト全反射型光スイッチ(光スイッチ,C-3. 光エレクトロニクス,一般セッション)
• C-3-59 非線形位相補償デバイスによる自己位相変調補償効果の検討(補償デバイス,C-3. 光エレクトロニクス,一般セッション)
• 中空光導波路の製作とその光回路への応用 : 中空光導波路とマイクロマシンを融合した光波制御素子の提案
• B-13-25 非線形位相補償デバイスの広帯域化(B-13.光ファイバ応用技術,一般講演)
• スローライトを利用した反射型光スイッチの小型化(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
• スローライトを利用した反射型光スイッチの小型化(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
• スローライトを利用した反射型光スイッチの小型化(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
• スローライトを利用した反射型光スイッチの小型化(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
• 可変微小中空コア光導波路からの放射特性(光波センシング,光波制御・検出,光計測,ニューロ,一般)
• 可変微小中空コア光導波路からの放射特性(光波センシング,光波制御・検出,光計測,ニューロ,一般)
• 光インターコネクト低消費電力化のためのVCSEL/受光器設計
• 低消費電力光インターコネクトに関する一検討
• ZnSe系緑色/青色面発光レーザの基礎設計
• 稿転送速度, 高記録密度光ディスクヘッドの研究
• 近接場光学応用テラバイト光ディスクの基礎研究(I) : 超微細光ビーム用光源の研究
• SC-6-4 面発光レーザの多波長集積化技術
• マイクロマシン構造による面発光レーザーと光フィルタ
• 金属ナノ構造を用いた面発光レーザの偏光・横モード制御(レーザ・量子エレクトロニクス)
• 金属ナノ開口面発光レーザのプローブ特性の表面プラズモン増強(半導体レーザ関連技術,及び一般)
• (311)基板上偏波制御面発光レーザ
• (311)A面InGaAs/GaAs歪量子井戸面発光レーザの偏波制御特性
• GaN系面発光レーザの設計と製作技術に関する基礎検討 (ワイドギャップ半導体とそのデバイス応用論文小特集)
• GaN系面発光レーザの設計と製作技術に関する基礎検討
• GaN系面発光レーザの設計と製作技術に関する基礎検討
• 金属ナノロッドアレイによる面発光レーザの偏光制御(光部品の実装・信頼性,一般)
• 金属ナノロッドアレイによる面発光レーザの偏光制御(光部品の実装・信頼性,一般)
• 金属ナノロッドアレイによる面発光レーザの偏光制御(光部品の実装・信頼性,一般)
• トンネル注入量子井戸レーザにおけるキャリア注入確率と再結合確率の解析(半導体レーザ関連技術,及び一般)
• GaInAs系トンネル注入レーザにおける発振特性のトンネル注入構造依存性(量子効果型光デバイス・光集積化技術, 及び一般)
• GaAs上長波長帯レーザのためのGaInAsSb系量子ドットのMBE成長(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
• GaAs上長波長帯レーザのためのGaInAsSb系量子ドットのMBE成長(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
• SC-2-1 面発光レーザの最近の技術動向
• CLEO/QELS 2001報告
• RFラジカルセルを用いた化学ビーム成長法によるGaInNAs/GaAs量子井戸構造の成長
• 低しきい値1.3μm帯GaInAsp/InP平たん円形埋込構造面発光レーザ
• C-3-79 面型非線形位相補償デバイスによる光ファイバ伝送特性の補償効果の検討(補償デバイス,C-3.光エレクトロニクス,一般講演)
• C-3-4 中空導波路ミラーの巨大波長可変特性(導波路デバイス(I),C-3.光エレクトロニクス,一般講演)
• CS-4-3 中空光導波路を用いた広帯域・波長可変光デバイス(CS-4.広帯域・波長可変光デバイスの最新動向とその応用,シンポジウム)
• C-3-86 誘電体反射鏡を用いた中空光導波路の伝搬損失測定
• 中空光導波路の製作とその光回路への応用 : 中空光導波路とマイクロマシンを融合した光波制御素子の提案
• 中空光導波路の製作とその光回路への応用 : 中空光導波路とマイクロマシンを融合した光波制御素子の提案
• 中空光導波路の製作とその光回路への応用 : 中空光導波路とマイクロマシンを融合した光波制御素子の提案
• 1.2μm帯GaInAs/GaAsレーザを用いた単一モード光ファイバ伝送
• 面発光レーザーによる近接場光生成
• C-3-166 MMI型多波長光源の提案と有限要素法によるキャビティーモードの解析
• 金属微小開口をもつ面発光レーザの近接場解析
• 金属微小開口をもつ面発光レーザの近接場解析
• 金属微小開口をもつ面発光レーザの近接場解析
• 金属微小開口をもつ面発光レｰザの近接場解析
• 金属微小開口をもつ面発光レーザの近接場解析
• 大規模InGaAsP/InP光分波器の微小化構成の検討
• 大規模InGaAsP/InP光分波器の微小化構成の検討
• 大規模InGaAsP/InP光分波器の微小化構成の検討
• 大規模InGaAsP/InP光分波器の微小化構成の検討
• 微小コーナ反射鏡の有限要素法解析とその光分波器への応用
• 広帯域SLDを用いた小型多波長光源の検討
• 有限要素法による微小コーナ反射鏡の反射率の解析
• 反射型半導体微小光分波器の帯域特性に関する考察
• 極微開口部を有する半導体微小光分岐回路
• C-4-11 GaAs(311)B基板上低しきい値InGaAs/GaAs面発光レーザ
• 傾斜基板上面発光レーザの高速変調時の偏波特性
• 傾斜基板上面発光レーザの高速変調時の偏波特性
• 傾斜基板上面発光レーザの高速変調時の偏波特性
• 傾斜基板上面発光レーザの高速変調時の偏波特性
• 大容量光ストレージのための面発半導体レーザ
• GaN系青色面発光レーザ構造の形成に関する基礎検討
• C-3-40 横方向結合を用いた面発光レーザとスローライトSOA集積化の検討(光インターコネクション・光モジュール,C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
• C-3-17 スローライトを利用した小型光スイッチ(導波路デバイス(2),C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
• C-3-16 サブ波長回折格子を用いたスローライト光導波路の広帯域化(導波路デバイス(1),C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
• 垂直多重反射鏡を有する短共振器半導体レーザ
• 低群速度光伝搬を用いる光変調器
• 低群速度光伝搬を用いる光変調器(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
• 低群速度光伝搬を用いる光変調器(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
• 低群速度光伝搬を用いる光変調器(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
• 低群速度光伝搬を用いる光変調器
• GaInAs/GaAs歪量子井戸の波長域拡大と高速光リンク用半導体レーザへの展開
• C-3-23 中空光導波路による凹面回折格子型光分波回路
• GaAs/GaAlAs系面発光レーザにおけるAlAs選択酸化プロセスの改良と単一モード発振特性
• 多波長スペクトルスライス光源のための高出力SLDの特性解析と試作
• スローライトを利用した新しい導波路型光スイッチの検討(光機能性有機材料・デバイス,光非線形現象,一般)
• スローライトを利用した新しい導波路型光スイッチの検討(光機能性有機材料・デバイス,光非線形現象,一般)
• C-3-11 スローライト導波路型光スイッチの提案(導波路デバイス(II),C-3.光エレクトロニクス,一般講演)
• MOCVDによるGaAs(311)B基板上低しきい値偏波制御面発光レーザ
• p型デルタドープInGaAs/GaAs量子井戸面発光レーザ
• MOCVDによるGaAs(311)B基板上低しきい値偏波制御面発光レーザ
• p形カーボンデルタドーピングを用いたInGaAs/GaAs歪み量子井戸レーザの性能向上
• p形カーボンデルタドーピングを用いたInGaAs/GaAs歪み量子井戸レーザの性能向上
• 量子細線構造の面発光レーザへの適用と基礎形成技術の検討
• 量子細線構造と面発光レーザー
• テーパ構造中空光導波路を用いた可変光デバイスの検討(光パッシブコンポネント(フィルタ,コネクタ,MEMS),シリコンフォトニクス,光ファイバ,一般)
• 4-4 ナノ構造半導体レーザ : 4.ナノオプトロニクス(ナノテクノロジーの光とエレクトロニクスへの応用)
• C-4-22 中空導波路集積型DBRレーザのアサーマル化の検討(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• C-4-21 中空導波路集積型波長可変レーザの単一波長選択性の検討(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• C-3-103 非線形エタロンを用いた光非線形補償デバイス(C-3. 光エレクトロニクス(分散補償), エレクトロニクス1)
• TK-7-6 フォトニクス集積コアエレクトロニクス(TK-7.情報・電気・電子グローバルCOEの活動と今後の計画,大会委員会企画)
• TK-7-6 フォトニクス集積コアエレクトロニクス(TK-7.情報・電気・電子グローバルCOEの活動と今後の計画,大会委員会企画)
• 面発光レーザ構造を用いた高速偏波面制御素子の動作解析(レーザ・量子エレクトロニクス)
• 面発光レーザ構造を用いた高速偏波面制御素子の動作解析(光集積回路/素子, スイッチング, PLC, ファイバ型デバイス, 導波路解析, 一般)
• 面発光レーザ構造を用いた高速偏波面制御素子の動作解析(光集積回路/素子, スイッチング, PLC, ファイバ型デバイス, 導波路解析, 一般)
• 面発光レーザ構造を用いた高速偏波面制御素子の動作解析(光集積回路/素子, スイッチング, PLC, ファイバ型デバイス, 導波路解析, 一般)
• 面発光レーザ構造を用いた高速偏波面制御素子の動作解析(光集積回路/素子, スイッチング, PLC, ファイバ型デバイス, 導波路解析, 一般)
• 面発光レーザ構造を用いた高速偏波面制御素子の動作解析
• 化学ビーム成長法によるGaInNAs/GaAsの成長と長波長帯面発光レーザへの応用
• C-3-41 スローライトを利用した交差角30度の小型光スイッチ(C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
• C-3-40 サブ波長回折格子の負のグースヘンシェンシフトとスローライト光導波路への応用(C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
• C-3-42 面発光レーザからスローライト光導波路への横方向光結合(C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
• 中空導波路を用いたBragg反射鏡の波長可変特性 : 中空導波路の可変光機能素子への応用(量子効果デバイス(LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般)
• C-4-38 波長可変共振器と可飽和吸収体を用いた光 2R 素子の動作解析
• 固体ソースドライエッチング
• TK-7-6 フォトニクス集積コアエレクトロニクス(TK-7.情報・電気・電子グローバルCOEの活動と今後の計画,大会委員会企画)
• TK-7-6 フォトニクス集積コアエレクトロニクス(TK-7.情報・電気・電子グローバルCOEの活動と今後の計画,大会委員会企画)
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• TK-7-6 フォトニクス集積コアエレクトロニクス(TK-7.情報・電気・電子グローバルCOEの活動と今後の計画,大会委員会企画)
• 可変中空光導波路とその光回路への応用(導波路型光デバイス論文)
• 中空導波路を用いたBragg反射鏡の波長可変特性 : 中空導波路の可変光機能素子への応用(量子効果デバイス(LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般)
• マイクロマシン構造を用いた面発光レーザの波長制御(半導体レーザ関連技術,及び一般)
• C-4-29 中空導波路集積型DBRレーザの連続波長可変動作の基礎検討(C-4. レーザ・量子エレクトロニクス(波長可変レーザ), エレクトロニクス1)
• GaN系青色・紫外面発光レーザの基礎設計
• GaN系面発光レーザ用多層膜反射鏡の基礎的検討

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