本田 徹 | 工学院大学大学院工学研究科
スポンサーリンク
概要
関連著者
-
本田 徹
工学院大学大学院工学研究科
-
本田 徹
工学院大学工学部
-
本田 徹
工学院大学
-
川西 英雄
工学院大学電子工学科
-
川西 英雄
工学院大 工
-
川西 英雄
工学院大学・工学部
-
江川 慎一
工学院大学工学部電子工学科
-
馬場 太一
工学院大学工学部電子工学科
-
小林 俊章
工学院大学工学部電子工学科
-
杉本 浩一
工学院大学工学部電子工学科
-
小宮山 重利
工学院大学工学部
-
増山 佳宏
工学院大学工学部
-
秋山 誠和子
工学院大学工学部電子工学科
-
長谷川 文夫
工学院大学大学院電気・電子工学専攻
-
長谷川 文夫
工学院大学工学部電子工学科
-
長谷川 文夫
工学院大学 工学部 電子工学科
-
林 才人
工学院大学大学院工学研究科
-
後藤 大雅
工学院大学大学院工学研究科
-
井垣 辰浩
工学院大学大学院工学研究科
-
澤田 勝
工学院大学工学部電子工学科
-
新井 雅俊
工学院大学工学部電子工学科
-
野崎 理
工学院大学大学院工学研究科
-
坂井 直之
工学院大学大学院工学研究科
-
野口 和之
工学院大学大学院工学研究科
-
渡邊 謙二
工学院大学工学部
-
伊賀 健一
東京工業大学
-
平山 航史
工学院大学工学部電子工学科
-
蓮沼 範行
工学院大学工学部電子工学科
-
青木 陽太
工学院大学大学院電気・電子工学専攻
-
山口 智広
工学院大学工学部情報通信工学
-
杉浦 洋平
工学院大学大学院工学研究科
-
網谷 良介
工学院大学大学院工学研究科
-
多次見 大樹
工学院大学大学院工学研究科
-
尾沼 猛儀
工学院大学大学院工学研究科
-
山口 智広
工学院大学大学院工学研究科
-
尾沼 猛儀
工学院大学大学院工学研究科:東京工業高等専門学校
-
伊賀 健一
東工大精研
-
伊賀 健一
工学院大学電子工学科
-
栗本 誠
工学院大学工学部電子工学科
-
鍔本 美恵子
工学院大学工学部電子工学科
-
久我 裕一郎
工学院大学工学部電子工学科
-
井上 彰
東京工業大学精密工学研究所
-
松谷 晃宏
東京工業大学 精密工学研究所
-
小山 二三夫
東京工業大学精密工学研究所
-
坂口 孝浩
東京工業大学精密工学研究所
-
伊賀 健一
東京工業大学精密工学研究所
-
白澤 智恵
東京工業大学精密工学研究所
-
小山 二三夫
東京工業大学精密工学研究所マイクロシステム研究センター
-
小山 二三夫
東京工業大学
-
持田 宣晃
東京工業大学精密工学研究所
-
松谷 晃宏
東京工業大学
-
坂口 孝浩
東京工業大学 精密工学研究所
-
坂口 孝浩
東京工業大学
著作論文
- ショットキー型紫外発光ダイオードを用いたRGB発光素子の製作(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- ショットキー型紫外発光ダイオードを用いたRGB発光素子の製作(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- ショットキー型紫外発光ダイオードを用いたRGB発光素子の製作(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- GaN系MOS型紫外発光ダイオードの逆方向電流の低減(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- 化合物原料MBE法によるGaN薄膜の製作と発光素子への応用(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- 化合物原料MBE法によるGaN薄膜の製作と発光素子への応用(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状、及び一般)
- GaN系MOS型紫外発光ダイオードの逆方向電流の低減(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- GaN系MOS型紫外発光ダイオードの逆方向電流の低減(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- GaN微結晶を用いた紫外EL素子製作の検討(結晶成長・特性評価, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- GaN微結晶を用いた紫外EL素子製作の検討(結晶成長・特性評価, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- GaN微結晶を用いた紫外EL素子製作の検討(結晶成長・特性評価, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- CS-MBE法によるGaN薄膜の製作とカソードルミネッセンス(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- CS-MBE法によるGaN薄膜の製作とカソードルミネッセンス(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- CS-MBE法によるGaN薄膜の製作とカソードルミネッセンス(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- CS-MBD法によるGaN薄膜の製作におけるパルス状原料供給(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- CS-MBD法によるGaN薄膜の製作におけるパルス状原料供給(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- CS-MBD法によるGaN薄膜の製作におけるパルス状原料供給(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- CS-MBD法によるGaN薄膜の製作におけるパルス状原料供給
- 化合物原料分子線堆積法によるAlN薄膜の低温堆積(結晶成長・特性評価, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- 化合物原料分子線堆積法によるAlN薄膜の低温堆積(結晶成長・特性評価, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- 化合物原料分子線堆積法によるAlN薄膜の低温堆積(結晶成長・特性評価, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- 疑似(111)Al基板上GaN薄膜のRF-MBE成長(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 疑似(111)Al基板上GaN薄膜のRF-MBE成長(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 疑似(111)Al基板上GaN薄膜のRF-MBE成長(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 有機金属気相成長法によるGaN系ユニポーラUVLEDの製作(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 有機金属気相成長法によるGaN系ユニポーラUVLEDの製作(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 有機金属気相成長法によるGaN系ユニポーラUVLEDの製作(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- Si基板上低温堆積GaN薄膜の紫外EL素子への応用(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- Si基板上低温堆積GaN薄膜の紫外EL素子への応用(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- Si基板上低温堆積GaN薄膜の紫外EL素子への応用(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- CS-MBE法によるAl基板上低温堆積GaN薄膜の製作(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- CS-MBE法によるAl基板上低温堆積GaN薄膜の製作(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- CS-MBE法によるAl基板上低温堆積GaN薄膜の製作(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- BGaN系紫外レーザの基礎検討
- BGaN系紫外レーザの基礎検討
- GaN系面発光レーザの設計と製作技術に関する基礎検討 (ワイドギャップ半導体とそのデバイス応用論文小特集)
- 疑似(111)Al基板上GaN薄膜のRF-MBE成長
- 疑似(111)Al基板上GaN薄膜のRF-MBE成長
- GaNの表面処理による表面フェルミ準位変化の推定(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)
- GaNの表面処理による表面フェルミ準位変化の推定(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)
- GaNの表面処理による表面フェルミ準位変化の推定(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)