長谷川 文夫 | 工学院大学工学部電子工学科

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• 長谷川 文夫

  工学院大学大学院電気・電子工学専攻

• 長谷川 文夫

  工学院大学工学部電子工学科

• 長谷川 文夫

  工学院大学 工学部 電子工学科

• 本田 徹

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• 本田 徹

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• 川西 英雄

  工学院大学電子工学科

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  工学院大 工

• 川西 英雄

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  工学院大学

• 江川 慎一

  工学院大学工学部電子工学科

• 青木 陽太

  工学院大学大学院電気・電子工学専攻

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著作論文

• Si基板上低温堆積GaN薄膜の紫外EL素子への応用(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
• Si基板上低温堆積GaN薄膜の紫外EL素子への応用(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
• Si基板上低温堆積GaN薄膜の紫外EL素子への応用(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
• CS-MBE法によるAl基板上低温堆積GaN薄膜の製作(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
• CS-MBE法によるAl基板上低温堆積GaN薄膜の製作(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
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• 結晶成長が拓く新たな世界

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