CS-MBE法によるAl基板上低温堆積GaN薄膜の製作(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
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概要
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化合物原料分子線エピタキシー(CS-MBE)法はGaNの低温堆積に有効な方法である.これまで,ガラス基板上に堆積させた非晶質GaN薄膜を用いてGaN系エレクトロルミネッセントデバイス(ELDs)の製作を行ってきた.しかし素子の寿命に問題があった.今回,熱伝導性の良いAlを基板に着目した.CS-MBE技術を用いてAl基板上に非晶質GaN薄膜の低温堆積を行った.Al基板を使用することによりGlass基板と比較してELDsの発光寿命の向上が見られた.また,Al基板上のGaN薄膜の表面平坦性について低温堆積バッファ層の導入によって薄膜の表面平坦性の改善が見られた.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2004-10-14
著者
-
本田 徹
工学院大学大学院工学研究科
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本田 徹
工学院大学工学部
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川西 英雄
工学院大学電子工学科
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江川 慎一
工学院大学工学部電子工学科
-
長谷川 文夫
工学院大学大学院電気・電子工学専攻
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川西 英雄
工学院大 工
-
川西 英雄
工学院大学・工学部
-
長谷川 文夫
工学院大学工学部電子工学科
-
長谷川 文夫
工学院大学 工学部 電子工学科
-
本田 徹
工学院大学
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