GaN系MOS型紫外発光ダイオードの逆方向電流の低減(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
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概要
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GaN系集積型発光素子は、マイクロディスプレイなどへの応用が期待されている。これまでに高効率発光ダイオードがGaInN系材料および量子井戸、pn接合により実現されているが、製作コストの点からデバイス構造の抜本的改革が必要とされている。本研究ではショットキー型発光ダイオードに着目し、低コスト集積化応用およびその発光効率向上を検討してきた。本素子は、逆方向リーク電流が少ないことが、素子の動作原理上要求される。窒化物上に蒸着したアルミニウム薄膜の大気中酸化およびその大気中エッチング(Al facepack法)により低リーク電流を実現した。これは、X線光電子分光法(XPS)および走査型電子顕微鏡(SEM)の観察結果から、窒化物薄膜の貫通転位(TD)直上周辺の表面改質がfacepack法により実現され、リークパスが低減したためと思われる。
- 2008-11-20
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