GaN微結晶を用いた紫外EL素子製作の検討(結晶成長・特性評価, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
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概要
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窒化ガリウム(GaN)微結晶を発光層に用いたエレクトロルミネッセンス素子(EL素子)の製作を行った.GaN微結晶のカソードルミネッセンス(CL)は, 真空中でアニール処理することにより, 発光強度が強くなる傾向がみられた.アニールしたGaN微結晶のCLスペクトルは, 可視の発光成分を有するが, ウルツ鉱型GaNのバンドギャップに相当する紫外の光子エネルギー値にピークを有している.また, 発光層製作には, 沈降法による粒径選択を行った.粒径選択を行うことによりEL素子発光層の薄膜化および表面平坦性の改善を実現し, 動作電圧の低減を実現した.
- 2005-10-07
著者
-
本田 徹
工学院大学大学院工学研究科
-
本田 徹
工学院大学工学部
-
小林 俊章
工学院大学工学部電子工学科
-
川西 英雄
工学院大学電子工学科
-
江川 慎一
工学院大学工学部電子工学科
-
馬場 太一
工学院大学工学部電子工学科
-
秋山 誠和子
工学院大学工学部電子工学科
-
蓮沼 範行
工学院大学工学部電子工学科
-
川西 英雄
工学院大 工
-
川西 英雄
工学院大学・工学部
-
本田 徹
工学院大学
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