本田 徹 | 工学院大学

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• 本田 徹

  工学院大学

• 本田 徹

  工学院大学大学院工学研究科

• 本田 徹

  工学院大学工学部

• 川西 英雄

  工学院大学電子工学科

• 川西 英雄

  工学院大 工

• 川西 英雄

  工学院大学・工学部

• 江川 慎一

  工学院大学工学部電子工学科

• 馬場 太一

  工学院大学工学部電子工学科

• 小林 俊章

  工学院大学工学部電子工学科

• 杉本 浩一

  工学院大学工学部電子工学科

• 小宮山 重利

  工学院大学工学部

• 増山 佳宏

  工学院大学工学部

• 秋山 誠和子

  工学院大学工学部電子工学科

• 長谷川 文夫

  工学院大学大学院電気・電子工学専攻

• 長谷川 文夫

  工学院大学工学部電子工学科

• 長谷川 文夫

  工学院大学 工学部 電子工学科

• 澤田 勝

  工学院大学工学部電子工学科

• 新井 雅俊

  工学院大学工学部電子工学科

• 渡邊 謙二

  工学院大学工学部

• 平山 航史

  工学院大学工学部電子工学科

• 蓮沼 範行

  工学院大学工学部電子工学科

• 青木 陽太

  工学院大学大学院電気・電子工学専攻

• 栗本 誠

  工学院大学工学部電子工学科

• 鍔本 美恵子

  工学院大学工学部電子工学科

• 久我 裕一郎

  工学院大学工学部電子工学科

• 天野 浩

  名城大学理工学研究科電気電子・情報・材料工学専攻

• 天野 浩

  名城大学

• 天野 浩

  名古屋大学

• 熊谷 義直

  東京農工大学

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著作論文

• GaN系MOS型紫外発光ダイオードの逆方向電流の低減(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• GaN系MOS型紫外発光ダイオードの逆方向電流の低減(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• GaN系MOS型紫外発光ダイオードの逆方向電流の低減(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• GaN微結晶を用いた紫外EL素子製作の検討(結晶成長・特性評価, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
• GaN微結晶を用いた紫外EL素子製作の検討(結晶成長・特性評価, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
• GaN微結晶を用いた紫外EL素子製作の検討(結晶成長・特性評価, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
• CS-MBD法によるGaN薄膜の製作におけるパルス状原料供給(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• CS-MBD法によるGaN薄膜の製作におけるパルス状原料供給(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• CS-MBD法によるGaN薄膜の製作におけるパルス状原料供給(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• CS-MBD法によるGaN薄膜の製作におけるパルス状原料供給
• 化合物原料分子線堆積法によるAlN薄膜の低温堆積(結晶成長・特性評価, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
• 化合物原料分子線堆積法によるAlN薄膜の低温堆積(結晶成長・特性評価, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
• 化合物原料分子線堆積法によるAlN薄膜の低温堆積(結晶成長・特性評価, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
• 有機金属気相成長法によるGaN系ユニポーラUVLEDの製作(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• 有機金属気相成長法によるGaN系ユニポーラUVLEDの製作(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• 有機金属気相成長法によるGaN系ユニポーラUVLEDの製作(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• Si基板上低温堆積GaN薄膜の紫外EL素子への応用(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
• Si基板上低温堆積GaN薄膜の紫外EL素子への応用(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
• Si基板上低温堆積GaN薄膜の紫外EL素子への応用(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
• CS-MBE法によるAl基板上低温堆積GaN薄膜の製作(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
• CS-MBE法によるAl基板上低温堆積GaN薄膜の製作(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
• CS-MBE法によるAl基板上低温堆積GaN薄膜の製作(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
• BGaN系紫外レーザの基礎検討
• BGaN系紫外レーザの基礎検討
• OPIC Conference on LED and Its Industrial Application '13 (LEDIA'13) 開催報告

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