天野 浩 | 名城大学理工学研究科電気電子・情報・材料工学専攻
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概要
関連著者
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天野 浩
名城大学理工学研究科電気電子・情報・材料工学専攻
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赤崎 勇
名城大学理工学研究科
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岩谷 素顕
名城大学理工学研究科
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上山 智
名城大学理工学研究科
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赤崎 勇
名城大学理工学部電機電子工学科
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天野 浩
名城大学 理工学部材料機能工学科
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天野 浩
名城大
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天野 浩
名城大学
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赤崎 勇
名城大学理工学研究科電気電子・情報・材料工学専攻
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天野 浩
名古屋大学大学院工学研究科赤崎記念研究センター
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竹内 哲也
名城大理工
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竹内 哲也
名城大学理工学部電気電子工学科
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赤★ 勇
名城大学大学院・理工学研究科:名城大学・ハイテクリサーチセンター
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岩谷 素顕
名城大学大学院理工学研究科
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上山 智
名城大学大学院理工学研究科
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赤崎 勇
名城大学大学院理工学研究科
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竹田 健一郎
名城大学理工学研究科
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竹田 健一郎
名城大・理工
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竹田 健一郎
名城大
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天野 浩
名古屋大学大学院工学研究科電子情報システム専攻
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竹田 健一郎
名城大学
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本田 善央
名古屋大学
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山口 雅史
名古屋大学
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永松 謙太郎
名城大学理工学研究科
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竹内 哲也
名城大学理工学部
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天野 浩
名城大学大学院理工学研究科
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天野 浩
名城大学理工学研究科
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永田 賢吾
名城大・理工
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本田 善央
名古屋大学工学研究科
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赤崎 勇
名城大・理工
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山口 雅史
名古屋大学工学研究科電子情報システム専攻
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市川 友紀
名城大・理工
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永松 謙太郎
名城大学大学院理工学研究科
-
竹内 哲也
名城大学大学院理工学研究科
-
飯田 大輔
名城大学理工学研究科
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岩谷 素顕
名城大・理工
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上山 智
名城大・理工
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山本 翔太
名城大学理工学部
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桑原 洋介
名城大学理工学部
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藤井 崇裕
名城大学理工学部
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天野 洋
千葉大
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竹田 健一郎
名城大学大学院理工学研究科
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Amano H
Department Of Electrical Engineering And Computer Science Graduate School Of Engineering Nagoya Univ
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山口 雅史
名古屋大学工学研究科
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谷川 智之
名古屋大学工学研究科
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IWAYA Motoaki
Faculty of Science and Technology, 21st-Century COE Program "Nano-factory", Meijo University
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Amano H
Department Of Electrical And Electronic Engineering And High-tech Research Center Meijo University
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Iwaya M
Faculty Of Science And Technology Meijo University
-
Iwaya Motoaki
Faculty Of Science And Technology Meijo University
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天野 洋
Department Of Electrical Engineering And Computer Science Graduate School Of Engineering Nagoya Univ
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山本 準一
名城大・理工
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井手 公康
名城大・理工
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菅 博文
浜松ホトニクス
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永田 賢昌
名城大学理工学研究科
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松原 哲也
名城大学理工学研究科
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桑原 正和
浜松ホトニクス株式会社
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杉山 貴之
名城大学理工学研究科
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菅 博文
浜松ホトニクス(株)中央研究所
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菅 博文
浜松ホトニクス(株)
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菅 博文
浜松ホトニクス株式会社中央研究所
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小木曽 裕二
名城大・理工
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天野 浩
名城大・理工
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吉田 治正
浜松ホトニクス(株)
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山下 陽滋
浜松ホトニクス(株)
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森 俊晶
名城大学大学院理工学研究科
-
浅井 俊晶
名城大学大学院理工学研究科
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永田 賢吾
名城大学大学院理工学研究科
-
市川 友紀
名城大学大学院理工学研究科
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根賀 亮平
名城大学大学院理工学研究科材料機能工学専攻
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水野 克俊
名城大学大学院理工学研究科材料機能工学専攻
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吉田 治正
浜松ホトニクス株式会社
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KAMIYAMA Satoshi
Faculty of Science and Technology, 21st-Century COE Program "Nano-factory", Meijo University
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AKASAKI Isamu
Faculty of Science and Technology, 21st-Century COE Program "Nano-factory", Meijo University
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Kamiyama S
Faculty Of Science And Technology Meijo University
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Kamiyama S
Silicon Systems Research Laboratories Nec Corporation
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Kamiyama Satoshi
Ulsi Device Development Laboratories Nec Corporation
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Kamiyama Satoshi
Faculty Of Science And Technology Meijo University
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Akasaki I
Faculty Of Science And Technology Meijo University
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Akasaki I
Department Of Electrical And Electronic Engineering Faculty Of Science And Technology Meijo Universi
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Akasaki Isamu
Department Of Electrical And Electronic Engineering Meijyo University
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Akasaki Isamu
Department Of Electrical And Electronic Engineering And High-tech Research Center Meijo University
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Akasaki Isamu
Faculty Of Science And Technology Meijo University
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Iida Daisuke
Faculty Of Science And Technology Meijo University
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菅 博文
浜松ホトニクス(株)開発本部
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山下 陽滋
浜松ホトニクス株式会社
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磯部 康裕
名城大学大学院理工学研究科
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山下 浩司
名城大学大学院理工学研究科
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加賀 充
名城大学大学院理工学研究科
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矢木 康太
名城大学大学院理工学研究科
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森田 明理
名古屋市立大学大学院医学研究科加齢・環境皮膚科学
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稲田 シュンコ
名城大学理工学研究科電気電子・情報・材料工学専攻
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森田 明理
春秋会城山病院 皮膚科
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森田 明理
名古屋市立大学医学部皮膚科学教室
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AMANO Hiroshi
Faculty of Horticulture, Chiba University
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森田 明理
名古屋市立大学大学院医学研究科
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Amano Hiroshi
Department of Cardiology and Pneumology, Dokkyo University School of Medicine
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森田 明理
名古屋市立大学大学院医学研究科感覚器・形成医学講座・加齢・環境皮膚科学分野
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SENDA Ryota
Faculty of Science and Technology, Meijo University
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Senda Ryota
Faculty Of Science And Technology Meijo University
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稲田 シュンコアルバーノ
名城大学理工学研究科電気電子・情報・材料工学専攻
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杉山 貴之
名古屋大学大学院工学研究科・赤崎記念研究センター
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池田 和弥
名城大学理工学部
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磯部 康裕
名城大学理工学部
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一木 宏充
名城大学理工学部
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堀尾 尚文
名城大学理工学部
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榊原 辰幸
名城大学理工学部
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杉山 徹
名城大学理工学部
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竹内 哲也
名城大・理工
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伊藤 駿
名城大・理工
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青島 宏樹
名城大・理工
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竹原 孝祐
名城大・理工
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Amano Hiroshi
Faculty Of Horticulture Chiba University
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谷川 智之
名古屋大学大学院工学研究科赤崎記念研究センター
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森 勇介
阪大・院工
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北岡 康夫
大阪大学大学院工学研究科
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森 勇介
大阪大学大学院工学研究科
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北野 司
名城大学大学院・理工学研究科・21世紀coeナノファクトリー
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福山 敦彦
宮崎大工
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碇 哲雄
宮崎大工
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今出 完
阪大院工
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秋田 勝史
住友電気工業(株)半導体技術研究所
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澤木 宣彦
愛知工業大学工学部電気学科電気工学専攻
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白 知鉉
名古屋大学工学研究科電子情報システム専攻
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白 知鉱
名古屋大学工学研究科
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中幡 英章
住友電気工業株式会社 半導体技術研究所
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平野 光
大阪ガス開発研究部
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秋田 勝史
住友電気工業株式会社
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森田 明理
愛知県厚生農業協同組合連合会知多厚生病院 皮膚科
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橋本 信
住友電気工業株式会社
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北岡 康夫
大阪大学大学院 工学研究科
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前田 晃
名古屋市立大学大学院医学研究科加齢・環境皮膚科学
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中幡 英章
住友電気工業(株)伊丹研究所
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中幡 英章
住友電気工業(株)itコンポーネント事業部
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中幡 英章
住友電気工業
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田辺 達也
住友電気工業
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森 勇介
大阪大 工
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Pernot C
Picogiga Courtaboeuf Fra
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BANDOH Akira
Corporate R&D Center, Showa-Denko K.K.
-
Bandoh Akira
Corporate R&d Center Showa Denko K.k.
-
前田 晃
名古屋市大 大学院医学研究科 加齢・環境皮膚科学
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Makino Takafumi
Faculty Of Science And Technology Meijo University
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Fujii Takahiro
Faculty Of Science And Technology 21st Coe Program "nano-factory" Meijo University
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Ponce Fernando
Arizona State Univ. Az Usa
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Ponce Fernando
Department Of Physics Arizona State University
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Wu Zhihao
Department Of Physics Arizona State University
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HUANG Yu
Department of Engineering Science, Osaka University
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Ponce Fernando
Department Of Physics And Astronomy Arizona State University
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Nagata Kensuke
Faculty Of Science And Technology Meijo University
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Fischer Alec
Arizona State Univ. Az Usa
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UDAGAWA Takashi
Corporate R&D Center, Showa Denko K.K.
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PERNOT Cyril
UV Craftory Co., Ltd.
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KIM Myunghee
UV Craftory Co., Ltd.
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FUKAHORI Shinya
UV Craftory Co., Ltd.
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INAZU Tetsuhiko
UV Craftory Co., Ltd.
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FUJITA Takehiko
UV Craftory Co., Ltd.
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NAGASAWA Yosuke
UV Craftory Co., Ltd.
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HIRANO Akira
UV Craftory Co., Ltd.
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IPPOMMATSU Masamichi
UV Craftory Co., Ltd.
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MATSUBARA Tetsuya
Faculty of Science and Technology, Meijo University
-
FISCHER Alec
Department of Physics, Arizona State University
-
SUN Kewei
Department of Physics, Arizona State University
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WEI Qiyuan
Department of Physics, Arizona State University
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Kim Myunghee
Uv Craftory Co. Ltd.
-
Inazu Tetsuhiko
Uv Craftory Co. Ltd.
-
Fukahori Shinya
Uv Craftory Co. Ltd.
-
Nagasawa Yosuke
Uv Craftory Co. Ltd.
-
Udagawa Takashi
Corporate R&d Center Showa Denko K.k.
-
Fischer Alec
Department Of Physics Arizona State University
-
Sun Kewei
Department Of Physics Arizona State University
-
Wei Qiyuan
Department Of Physics Arizona State University
-
秋田 勝史
住友電気工業
-
橋本 信
住友電気工業
-
Matsubara Tetsuya
Faculty Of Science And Technology Meijo University
-
Ippommatsu Masamichi
Uv Craftory Co. Ltd.
-
Huang Yu
Department Of Physics Arizona State University
-
澤木 宣彦
愛知工業大学工学部
-
今出 完
大阪大学大学院工学研究科
-
鈴木 敦志
エルシード株式会社
-
平野 光
創光科学
-
天野 浩
名大・大学院工:名大・赤崎記念研究センター
-
ペルノー シリル
創光科学
-
朴 貴珍
名古屋大学大学院工学研究科・赤崎記念研究センター
-
稲津 哲彦
創光科学
-
藤田 武彦
創光科学
-
押村 吉徳
名城大学大学院理工学研究科
-
森田 義己
名城大学理工学部
-
中尾 達郎
名城大学理工学部
-
藤山 泰治
名城大学理工学部
-
伴 和仁
名城大・理工
-
天野 浩
名古屋大・大学院工
-
竹原 孝祐
名城大学理工学研究科
-
永田 賢吾
名城大学理工学研究科
-
青島 宏樹
名城大学理工学研究科
-
伊藤 駿
名城大学理工学研究科
-
加賀 充
名城大学理工学部
-
北野 司
エルシード株式会社
-
山下 浩司
名城大学理工学部
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矢木 康太
名城大学理工学部
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田畑 拓也
名古屋大学大学院工学研究科電子情報システム専攻、赤崎記念研究センター
-
田畑 拓也
名古屋大学大学院工学研究科電子情報システム専攻赤崎記念研究センター
著作論文
- GaInNの加圧MOVPEにおける熱力学解析(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 溝加工したAlN上AlGaNの転位解析(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- UVレーザダイオードの動作電圧の低減(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- p型GaNゲートを有するノーマリーオフ型GaN系HFETの閾値電圧制御および温度特性(センサーデバイス,MEMS,一般)
- 酸素雰囲気中での活性化アニールによる紫外発光素子の高効率化(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- III族窒化物半導体へのp型ドーピングと結晶欠陥(窒化物半導体結晶中の欠陥)
- 注目の無極性面・半極性面窒化物半導体発光デバイス (特集 注目の無極性面・半極性面発光デバイス)
- p型GaNゲート ノーマリーオフ型AlGaN/GaN Junction HFETのオン抵抗と耐圧(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- UVA1-LED光線療法の照射装置開発
- 酸素雰囲気中での活性化アニールによる紫外発光素子の高効率化(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- UVレーザダイオードの動作電圧の低減(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- GaInNの加圧MOVPEにおける熱力学解析(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 酸素雰囲気中での活性化アニールによる紫外発光素子の高効率化(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- UVレーザダイオードの動作電圧の低減(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- GaInNの加圧MOVPEにおける熱力学解析(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- p型GaNゲート ノーマリーオフ型AlGaN/GaN Junction HFETのオン抵抗と耐圧(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 溝加工したAlN上AlGaNの転位解析(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- p型GaNゲート ノーマリーオフ型AlGaN/GaN Junction HFETのオン抵抗と耐圧(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 溝加工したAlN上AlGaNの転位解析(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- AlN基板上のAlGaNチャネルHEMT(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
- 紫外LEDを用いた次世代光線治療器の開発および特性評価(有機材料,一般)
- Growth of GaInN by Raised-Pressure Metalorganic Vapor Phase Epitaxy
- Strong Emission from GaInN/GaN Multiple Quantum Wells on High-Crystalline-Quality Thick m-Plane GaInN Underlying Layer on Grooved GaN
- Misfit Strain Relaxation by Stacking Fault Generation in InGaN Quantum Wells Grown on m-Plane GaN
- Improved Efficiency of 255-280nm AlGaN-Based Light-Emitting Diodes
- GaInNチャンネルHFETのAlInNバリア層の検討(FET,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- GaN系HFETsの電流コラプスの測定 : 非極性a面GaN基板上HFET及びc-GaN基板上p-GaNゲートを用いたノーマリーオフ型JHFET(FET,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 窒化物太陽電池の電極構造検討(太陽電池,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 非極性面を用いた窒化物太陽電池の作製(太陽電池,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- AlGaN量子井戸構造の内部量子効率(発光デバイス,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- AlGaN系紫外発光素子の通電特性 : UV-LEDの劣化メカニズム(発光デバイス,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 反射電極を用いた紫外発光素子の光取り出し効率改善(発光デバイス,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 窒化物半導体トンネル接合の作製(輸送特性,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- III族窒化物半導体トンネル接合を用いた電流経路制御の検討(輸送特性,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- AlNテンプレートを用いた高品質AlN/GaN多層膜反射鏡の作製(MOVPE,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- β-Ga_2O_3(100)基板上GaN及びAlGaNの成長(MOVPE,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- (1-101)GaN/Si上InGaN厚膜のMOVPE成長(MOVPE,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- RF-MBE法による(111)Si基板上へのInGaNナノワイヤ成長(MBE,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- GaInNチャンネルHFETのAlInNバリア層の検討(FET,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- ELO-AlN上AlGaNの微細構造観察(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
- ELO-AlN上AlGaNの微細構造観察(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
- ELO-AlN上AlGaNの微細構造観察(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
- 窒化物半導体太陽電池の集光特性(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
- 窒化物半導体太陽電池の集光特性(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
- 窒化物半導体太陽電池の集光特性(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
- 窒化物ワイドギャップ半導体の現状と展望 : バルクGaN単結晶成長技術開発の観点から
- 半導体の元素と周期表(ヘッドライン:周期表を読む)
- Si基板上半極性面(1-101)GdNストライプ上InGaN/GaN多重量子井戸構造の偏光特性(Siウェハ上結晶成長・評価・デバイス応用,結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- Si基板上半極性面(1-101)GdNストライプ上InGaN/GaN多重量子井戸構造の偏光特性(Siウェハ上結晶成長・評価・デバイス応用,結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- Si基板上半極性面(1-101)GdNストライプ上InGaN/GaN多重量子井戸構造の偏光特性(Siウェハ上結晶成長・評価・デバイス応用,結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- PR及びPL法によるシリコン基板上に成長させた窒化ガリウムの光学的特性に対する歪の影響
- AlGaN系深紫外LEDの開発 (レーザ・量子エレクトロニクス)
- AlGaN系深紫外LEDの開発 (電子部品・材料)
- AlGaN系深紫外LEDの開発 (電子デバイス)
- MOVPE法によるGaN及びAlGaNへのCドーピングに関する研究 (レーザ・量子エレクトロニクス)
- 高輝度電子ビーム源を目指したNEA表面p-GaNの量子効率 (レーザ・量子エレクトロニクス)
- MOVPE法によるGaN及びAlGaNへのCドーピングに関する研究 (電子部品・材料)
- 高輝度電子ビーム源を目指したNEA表面p-GaNの量子効率 (電子部品・材料)
- MOVPE法によるGaN及びAlGaNへのCドーピングに関する研究 (電子デバイス)
- 高輝度電子ビーム源を目指したNEA表面p-GaNの量子効率 (電子デバイス)
- LED開発の現状と照明の未来(固体光源のさらなる普及と活用分野の拡大に向けて)
- Si基板上半極性面(1-101)GaNストライプ上InGaN/GaN多重量子井戸構造の偏光特性
- Si基板上半極性面(1-101)GaNストライプ上InGaN/GaN多重量子井戸構造の偏光特性
- OPIC Conference on LED and Its Industrial Application '13 (LEDIA'13) 開催報告
- Si基板上半極性面(1-101)GaNストライプ上InGaN/GaN多重量子井戸構造の偏光特性