Misfit Strain Relaxation by Stacking Fault Generation in InGaN Quantum Wells Grown on m-Plane GaN

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概要

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• 2009-04-25

著者

• 天野 洋

  千葉大

• AMANO Hiroshi

  Faculty of Horticulture, Chiba University

• 天野 浩

  名城大学理工学研究科電気電子・情報・材料工学専攻

• Amano H

  Department Of Electrical Engineering And Computer Science Graduate School Of Engineering Nagoya Univ

• IWAYA Motoaki

  Faculty of Science and Technology, 21st-Century COE Program "Nano-factory", Meijo University

• Iida Daisuke

  Faculty Of Science And Technology Meijo University

• Amano H

  Department Of Electrical And Electronic Engineering And High-tech Research Center Meijo University

• Ponce Fernando

  Arizona State Univ. Az Usa

• Ponce Fernando

  Department Of Physics Arizona State University

• Wu Zhihao

  Department Of Physics Arizona State University

• HUANG Yu

  Department of Engineering Science, Osaka University

• Iwaya M

  Faculty Of Science And Technology Meijo University

• Iwaya Motoaki

  Faculty Of Science And Technology Meijo University

• Ponce Fernando

  Department Of Physics And Astronomy Arizona State University

• Fischer Alec

  Arizona State Univ. Az Usa

• SENDA Ryota

  Faculty of Science and Technology, Meijo University

• FISCHER Alec

  Department of Physics, Arizona State University

• SUN Kewei

  Department of Physics, Arizona State University

• WEI Qiyuan

  Department of Physics, Arizona State University

• 天野 洋

  Department Of Electrical Engineering And Computer Science Graduate School Of Engineering Nagoya Univ

• Fischer Alec

  Department Of Physics Arizona State University

• Sun Kewei

  Department Of Physics Arizona State University

• Wei Qiyuan

  Department Of Physics Arizona State University

• Senda Ryota

  Faculty Of Science And Technology Meijo University

• Huang Yu

  Department Of Physics Arizona State University

• Amano Hiroshi

  Faculty Of Horticulture Chiba University

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