GaInNの加圧MOVPEにおける熱力学解析(窒化物及び混晶半導体デバイス)

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概要

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• 高In組成GaInNは高効率多接合型太陽電池,高出力ヘテロ構造電界効果トランジスタや高効率緑色LED・LDへの応用が期待されている。従来のMOVPE法では高In組成GaInNは低温成長が必須であったが,結晶性の悪さや残留不純物濃度が増加しやすいことから,高温での成長が望まれている。GaInNにおいて加圧成長することで,より高温で成長可能になる。本報告では,加圧MOVPE法を用いたGaInNの結晶成長およびその熱力学解析について報告する。

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 2009-11-12

著者

• 永田 賢昌

  名城大学理工学研究科

• 飯田 大輔

  名城大学理工学研究科

• 永松 謙太郎

  名城大学理工学研究科

• 竹田 健一郎

  名城大学理工学研究科

• 松原 哲也

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• 岩谷 素顕

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• 上山 智

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• 天野 浩

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• 赤崎 勇

  名城大学理工学研究科

• 赤崎 勇

  名城大学理工学研究科電気電子・情報・材料工学専攻

• 天野 浩

  名城大

• 竹田 健一郎

  名城大・理工

• 天野 浩

  名城大学理工学研究科電気電子・情報・材料工学専攻

• 竹田 健一郎

  名城大学

• 赤崎 勇

  名城大学理工学部電機電子工学科

• 竹田 健一郎

  名城大

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