サファイア溝基板上AlNのELO(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))

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概要

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• 深紫外光デバイス材料としてIII族窒化物半導体、特にAlNは最適な材料であるが、その高品質結晶を得ることは非常に難しい。同じIII族窒化物半導体であるGaNの高品質化の手法としては選択横方向成長法(ELO)が良く用いられているが、AlNにおいてELOによる結晶の高品質化は、結晶成長が難しいなどの理由により報告例はない。本研究では、AlNのELOを検討し、成長方法を工夫すること、成長条件を最適化することにより横方向成長を確認することができたので報告する。

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 2005-05-20

著者

• 岩谷 素顕

  名城大学理工学研究科

• 上山 智

  名城大学理工学研究科

• 赤崎 勇

  名城大学理工学研究科

• 北野 司

  名城大学大学院・理工学研究科・21世紀coeナノファクトリー

• 川島 毅士

  名城大学大学院 理工学研究科・21世紀coeナノファクトリー

• 天野 浩

  名城大

• 藤元 直樹

  名城大学大学院・理工学研究科・21世紀coeナノファクトリー

• 岩谷 素顕

  名城大学大学院理工学研究科

• 上山 智

  名城大学大学院理工学研究科

• 天野 浩

  名城大学大学院理工学研究科

• 赤崎 勇

  名城大学大学院理工学研究科

• バラクリッシュナン クリッシュナン

  名城大・理工・21世紀coe「ナノファクトリー」:名城大学理工学部材料機能工学科

• 津田 道信

  名城大学大学院理工学研究科、21世紀COE"ナノファクトリー"

• 飯田 一喜

  名城大学大学院・理工学研究科,名城大学大学院・理工学研究科・21世紀COEナノファクトリー

• 飯田 一喜

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• 成田 剛

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• 赤崎 勇

  名城大学理工学部電機電子工学科

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