m面SiC基板上に成長したIII族窒化物半導体薄膜の微細構造観察(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))

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概要

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• 高輝度発光ダイオード実現のために、ピエゾ分極の影響を抑制できる無極性面の結晶成長が行なわれている。III族窒化物半導体の発光デバイスにおいて、転位または転位付近には非発光再結合準位が形成されるため、発光効率に大きな影響を与える。本研究では無極性面であるm面SiC上に成長したIII族窒化物半導体結晶の転位や積層欠陥などの微細構造観察を行った。

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 2006-05-11

著者

• 岩谷 素顕

  名城大学理工学研究科

• 上山 智

  名城大学理工学研究科

• 赤崎 勇

  名城大学理工学研究科

• 川島 毅士

  名城大学大学院 理工学研究科・21世紀coeナノファクトリー

• 天野 浩

  名城大

• 岩谷 素顕

  名城大学大学院理工学研究科

• 上山 智

  名城大学大学院理工学研究科

• 天野 浩

  名城大学大学院理工学研究科

• 赤崎 勇

  名城大学大学院理工学研究科

• 井村 将隆

  名城大学大学院・理工学研究科・21世紀COEナノファクトリー

• 仲野 靖孝

  名城大学大学院・理工学研究科・21世紀COEナノファクトリー

• 井村 将隆

  名城大学大学院 理工学研究科・21世紀coeナノファクトリー

• 仲野 靖孝

  名城大学大学院 理工学研究科・21世紀coeナノファクトリー

• 永井 哲也

  名城大学大学院 理工学研究科・21世紀COEナノファクトリー

• 赤崎 勇

  名城大学理工学部電機電子工学科

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