AlGaN系紫外発光素子における転位密度と発光効率(<小特集>紫外発光材料の現状と将来)
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概要
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AlGaN-based UV light emitting diode is fabricated and factors which limits performance of the UV LED is discussed. Microscopic cathodoluminescence suggests that dislocations act as the non-radiative recombination center. For the high-efficiency emission, it is necessary to reduce density of dislocations less than 2×10^7 cm^<-2>.
- 2002-09-20
著者
-
岩谷 素顕
名城大学理工学研究科
-
上山 智
名城大学理工学研究科
-
天野 浩
名城大学理工学研究科
-
赤崎 勇
名城大学理工学研究科
-
佐野 智昭
名城大学理工学研究科ハイテクリサーチセンター
-
高浪 俊
名城大学大学院・理工学研究科
-
高浪 俊
名城大学理工学研究科ハイテクリサーチセンター
-
Monemarg Bo
Department of Physics and Measurement Technology, Linkoping University
-
Monemarg Bo
Department Of Physics And Measurement Technology Linkoping University
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