p型GaNゲート ノーマリーオフ型AlGaN/GaN Junction HFETのオン抵抗と耐圧(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
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概要
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低損失スイッチングデバイスの実現には、ノーマリーオフ型デバイスのオン抵抗低減が必須である。また、実用化のためには耐圧の向上が必要である。p-GaNゲートを有するIII族窒化物半導体ノーマリーオフ型FETの構造変化によるオン抵抗の低減と耐圧のソース・ドレイン間距離依存性を確認した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2008-05-08
著者
-
岩谷 素顕
名城大学理工学研究科
-
上山 智
名城大学理工学研究科
-
赤崎 勇
名城大学理工学研究科
-
赤崎 勇
名城大学理工学研究科電気電子・情報・材料工学専攻
-
天野 浩
名城大
-
岩谷 素顕
名城大学大学院理工学研究科
-
上山 智
名城大学大学院理工学研究科
-
天野 浩
名城大学大学院理工学研究科
-
赤崎 勇
名城大学大学院理工学研究科
-
根賀 亮平
名城大学大学院理工学研究科材料機能工学専攻
-
水野 克俊
名城大学大学院理工学研究科材料機能工学専攻
-
天野 浩
名城大学理工学研究科電気電子・情報・材料工学専攻
-
赤崎 勇
名城大学理工学部電機電子工学科
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