岩谷 素顕 | 名城大学理工学研究科

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概要

• 同名の論文著者
• 名城大学理工学研究科の論文著者

関連著者

• 岩谷 素顕

  名城大学理工学研究科

• 上山 智

  名城大学理工学研究科

• 赤崎 勇

  名城大学理工学研究科

• 赤崎 勇

  名城大学理工学部電機電子工学科

• 天野 浩

  名城大

• 竹内 哲也

  名城大学理工学部電気電子工学科

• 岩谷 素顕

  名城大学大学院理工学研究科

• 上山 智

  名城大学大学院理工学研究科

• 赤崎 勇

  名城大学大学院理工学研究科

• 天野 浩

  名城大学理工学研究科

• 天野 浩

  名城大学理工学研究科電気電子・情報・材料工学専攻

• 竹内 哲也

  名城大学理工学部

• 赤★ 勇

  名城大学大学院・理工学研究科:名城大学・ハイテクリサーチセンター

• 天野 浩

  名城大学大学院理工学研究科

• 竹内 哲也

  名城大理工

• 竹田 健一郎

  名城大・理工

• 竹田 健一郎

  名城大学理工学研究科

• 竹田 健一郎

  名城大

• 井村 将隆

  名城大学大学院 理工学研究科・21世紀coeナノファクトリー

• 川島 毅士

  名城大学大学院 理工学研究科・21世紀coeナノファクトリー

• 竹田 健一郎

  名城大学

• 本塩 彰

  名城大学理工学研究科 21世紀coe"ナノファクトリー

• 飯田 一喜

  名城大・理工・21世紀coe「ナノファクトリー」:名城大学理工学部材料機能工学科

• 津田 道信

  名城大学大学院・理工学研究科:名城大学大学院・理工学研究科・21世紀coeナノファクトリー:京セラ株式会社

• 北野 司

  名城大学大学院・理工学研究科・21世紀coeナノファクトリー

• 赤崎 勇

  名城大学理工学研究科電気電子・情報・材料工学専攻

• 天野 浩

  名古屋大学大学院工学研究科電子情報システム専攻

• バラクリッシュナン クリッシュナン

  名城大・理工・21世紀coe「ナノファクトリー」:名城大学理工学部材料機能工学科

• 天野 浩

  名城大学 理工学部材料機能工学科

• 赤崎 勇

  名城大・理工

• 岩谷 素顕

  名城大・理工

• 上山 智

  名城大・理工

• 仲野 靖孝

  名城大学大学院 理工学研究科・21世紀coeナノファクトリー

• 竹内 哲也

  名城大学大学院理工学研究科

• 春日井 秀紀

  名城大学理工学研究科、21世紀COEプログラムナノファクトリー

• 三宅 泰人

  名城大学理工学研究科、21世紀COEプログラムナノファクトリー

• 井村 将隆

  名城大学理工学研究科、21世紀COEプログラムナノファクトリー

• 永田 賢吾

  名城大・理工

• 津田 道信

  名城大学大学院理工学研究科、21世紀COE"ナノファクトリー"

• 三宅 泰人

  名城大学大学院理工学研究科、21世紀coe"ナノファクトリー

• 春日井 秀紀

  名城大学大学院理工学研究科、21世紀coe"ナノファクトリー

• 春日井 秀紀

  名城大 大学院理工学研究科

• 三宅 泰人

  名城大 大学院理工学研究科

• 春日井 秀紀

  パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター

• 山本 翔太

  名城大学理工学部

• 桑原 洋介

  名城大学理工学部

• 藤井 崇裕

  名城大学理工学部

• 永松 謙太郎

  名城大学理工学研究科

• 飯田 大輔

  名城大学理工学研究科

• 藤元 直樹

  名城大学大学院・理工学研究科・21世紀coeナノファクトリー

• 本塩 彰

  名城大学大学院理工学研究科、21世紀coe"ナノファクトリー

• 成田 剛

  名城大学大学院・理工学研究科・21世紀coeナノファクトリー

• 森 勇介

  大阪大学大学院工学研究科

• 井村 将隆

  名城大学大学院・理工学研究科・21世紀COEナノファクトリー

• 本塩 彰

  名城大学理工学研究科、21世紀COEプログラムナノファクトリー

• 飯田 一喜

  名城大学理工学研究科、21世紀COEプログラムナノファクトリー

• 川島 毅士

  名城大学理工学研究科、21世紀COEプログラムナノファクトリー

• 北野 司

  名城大学理工学研究科、21世紀COEプログラムナノファクトリー

• 下野 健二

  イビデン株式会社

• 新田 州吾

  名城大学理工学研究科ハイテクリサーチセンター

• バラクリッシュナン クリッシュナン

  名城大学理工学研究科

• 磯部 康裕

  名城大学大学院理工学研究科

• 竹内 哲也

  名城大・理工

• 飯田 一喜

  名城大学大学院・理工学研究科,名城大学大学院・理工学研究科・21世紀COEナノファクトリー

• 佐野 智昭

  名城大学理工学研究科ハイテクリサーチセンター

• 杉山 徹

  名城大学理工学部

• 三島 俊介

  名城大学理工学研究科、21世紀COEプログラムナノファクトリー

• 木下 博之

  (株)シクスオン

• 塩見 弘

  (株)シクスオン

• 塩見 弘

  シクスオン

• 赤崎 勇

  名城大理工

• 市川 友紀

  名城大・理工

• 天野 浩

  名城大・理工

• 永松 謙太郎

  名城大学大学院理工学研究科

• 竹田 健一郎

  名城大学大学院理工学研究科

• 古川 寛子

  名城大学大学院理工学研究科、21世紀COE"ナノファクトリー"

• 岡留 由真

  名城大学大学院理工学研究科、21世紀COE"ナノファクトリー"

• 土屋 陽祐

  名城大学大学院理工学研究科、21世紀COE"ナノファクトリー"

• 仲野 靖孝

  名城大学大学院・理工学研究科・21世紀COEナノファクトリー

• 高木 俊

  イビデン株式会社

• 三島 俊介

  名城大学大学院・理工学研究科 名城大学大学院・理工学研究科・21世紀coeナノファクトリー

• 野呂 匡志

  イビデン株式会社セラミック事業本部機能部材事業部技術グルーブ

• 成田 剛

  名城大学大学院・理工学研究科

• 土屋 陽祐

  名城大学大学院・理工学研究科・21世紀coeナノファクトリー

• 野呂 匡志

  イビデン株式会社

• 永井 哲也

  名城大学大学院 理工学研究科・21世紀COEナノファクトリー

• 岩谷 素顕

  名城大理工

• 上山 智

  名城大理工

• 古川 寛子

  名城大学大学院・理工学研究科・21世紀coeナノファクトリー

• 坂東 章

  昭和電工(株):名城大学理工学部材料機能工学科

• 岡留 由真

  名城大学大学院・理工学研究科・21世紀coeナノファクトリー

• 高木 俊

  イビデン

• 山本 準一

  名城大・理工

• 鈴木 敦志

  エルシード株式会社

• 井手 公康

  名城大・理工

• 吉村 政志

  大阪大学大学院工学研究科

• 本田 善央

  名古屋大学

• 佐々木 孝友

  大阪大学大学院 工学研究科

• 川村 史朗

  阪大院工

• 森下 昌紀

  阪大院・工

• 山口 雅史

  名古屋大学工学研究科電子情報システム専攻

• 森下 昌紀

  大阪大学大学院工学研究科電気工学専攻

• 北岡 康夫

  大阪大学大学院 工学研究科

• 吉村 政志

  大阪大学大学院 工学研究科

• 岩橋 友也

  大阪大学大学院工学研究科

• 仲野 靖孝

  名城大学理工学研究科

• 成田 剛

  名城大学理工学研究科

• 藤元 直樹

  名城大学理工学研究科

• 津田 道信

  名城大学理工学研究科

• 寺尾 真二

  名城大学理工学部電気電子工学科

• 寺尾 真二

  名城大学・理工学研究科

• 山口 雅史

  名古屋大学

• 今出 完

  大阪大学大学院工学研究科

• 杉山 貴之

  名古屋大学大学院工学研究科・赤崎記念研究センター

• 押村 吉徳

  名城大学大学院理工学研究科

• 杉山 貴之

  名城大学理工学研究科

• 春日井 秀紀

  名城大学大学院・理工学研究科,名城大学大学院・理工学研究科・21世紀COEナノファクトリー

• 三宅 泰人

  名城大学大学院・理工学研究科,名城大学大学院・理工学研究科・21世紀COEナノファクトリー

• 池田 和弥

  名城大学理工学部

• 磯部 康裕

  名城大学理工学部

• 一木 宏充

  名城大学理工学部

• 堀尾 尚文

  名城大学理工学部

• 榊原 辰幸

  名城大学理工学部

• 森田 義己

  名城大学理工学部

• 森 勇介

  阪大・院工

• 菅 博文

  浜松ホトニクス

• 永田 賢昌

  名城大学理工学研究科

• 松原 哲也

  名城大学理工学研究科

• 浅井 利浩

  名城大学理工学研究科、21世紀COEプログラムナノファクトリー

• 若山 雅文

  システム技研株式会社

• 北岡 康夫

  大阪大学大学院工学研究科

• 桑原 正和

  浜松ホトニクス株式会社

• 木下 博之

  シクスオン

• 仲野 清孝

  名城大学理工学研究科、21世紀COEプログラムナノファクトリー

• 木下 博之

  (株)シタスオン

• 塩見 弘

  (株)シタスオン

• 菅 博文

  浜松ホトニクス(株)中央研究所

• 菅 博文

  浜松ホトニクス(株)

• 菅 博文

  浜松ホトニクス株式会社中央研究所

• 小木曽 裕二

  名城大・理工

• 吉田 治正

  浜松ホトニクス(株)

• 山下 陽滋

  浜松ホトニクス(株)

• 今出 完

  阪大院工

• 川村 史朗

  大阪大学大学院工学研究科

• 森 俊晶

  名城大学大学院理工学研究科

• 浅井 俊晶

  名城大学大学院理工学研究科

• 永田 賢吾

  名城大学大学院理工学研究科

• 市川 友紀

  名城大学大学院理工学研究科

• 根賀 亮平

  名城大学大学院理工学研究科材料機能工学専攻

• 水野 克俊

  名城大学大学院理工学研究科材料機能工学専攻

• 三島 俊介

  名城大学大学院・理工学研究科,名城大学大学院・理工学研究科・21世紀COEナノファクトリー

• 渡邉 浩崇

  名城大・理工・21世紀COE「ナノファクトリー」

• 飯田 一喜

  名城大・理工・21世紀COE「ナノファクトリー」

• 永松 謙太郎

  名城大・理工・21世紀COE「ナノファクトリー」

• 住井 隆文

  名城大・理工・21世紀COE「ナノファクトリー」

• 永井 哲也

  名城大・理工・21世紀COE「ナノファクトリー」

• 坂東 章

  昭和電工(株)

• 広瀬 貴利

  名城大学大学院・理工学研究科

• バラクリシュナン クリシュナン

  名城大学大学院・理工学研究科

• 吉田 治正

  浜松ホトニクス株式会社

• 森 勇介

  大阪大 工

• 中村 亮

  名城大学理工学部電気電子工学科

• 山口 雅史

  名古屋大学工学研究科

• Balakrishnan Krishnan

  名城大学大学院・理工学研究科・21世紀COEナノファクトリー

• 坂東 章

  昭和電工株式会社

• 高浪 俊

  名城大学大学院・理工学研究科

• 赤[サキ] 勇

  名城大学理工学部

• 土屋 法隆

  名城大学理工21世紀COEナノファクトリー

• 古庄 智明

  株式会社シクスオン

• 本田 善央

  名古屋大学工学研究科

• 渡辺 康弘

  名城大学理工学部

• 下野 健二

  名城大学理工学部 理工学研究科 21世紀COE ナノファクトリー

• 神保 正宏

  名城大学理工学部 理工学研究科 21世紀COE ナノファクトリー

• 渡邉 浩崇

  名城大・理工・21世紀coe「ナノファクトリー」:名城大学理工学部材料機能工学科

• 高浪 俊

  名城大学理工学研究科ハイテクリサーチセンター

• 住井 隆文

  名城大・理工・21世紀coe「ナノファクトリー」:名城大学理工学部材料機能工学科

• 菅 博文

  浜松ホトニクス(株)開発本部

• 山下 陽滋

  浜松ホトニクス株式会社

• 中尾 達郎

  名城大学理工学部

• 藤山 泰治

  名城大学理工学部

• 伴 和仁

  名城大・理工

• 竹原 孝祐

  名城大学理工学研究科

• 岩谷 素顕

  名城大学理工学部

• 赤★ 勇

  名城大学理工学研究科ハイテクリサーチセンター

• 広瀬 貴利

  名城大学大学院・理工学研究科:名城大学大学院・理工学研究科・21世紀coeナノファクトリー

• 川村 史郎

  大阪大学大学院工学研究科

• 広瀬 貴利

  名城大 大学院理工学研究科

• 天野 浩

  名大・大学院工:名大・赤崎記念研究センター

• 天野 浩

  名古屋大・大学院工

• 赤崎 勇

  名城大学理工学部

• 中村 哲也

  名城大学・理工学研究科

• 宮崎 敦嗣

  名城大学大学院・理工学研究科

• 上山 智

  名城大学・ハイテクリサーチセンター

• 赤崎 勇

  名城大学・ハイテクリサーチセンター

• 望月 信吾

  名城大学理工学研究科ハイテクリサーチセンター

• 中村 哲也

  名城大学理工学研究科ハイテクリサーチセンター

• 岩谷 素顕

  名城大学・理工学研究科

• 望月 信吾

  名城大学・理工学研究科

• 宮崎 敦嗣

  名城大学理工学研究科ハイテクリサーチセンター

• Monemarg Bo

  Department of Physics and Measurement Technology, Linkoping University

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著作論文

• GaInNの加圧MOVPEにおける熱力学解析(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• 顕微ラマン分光法によるNITRIDE-LEDの微細領域での温度分布解析(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
• 溝加工したAlN上AlGaNの転位解析(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• Moth eye発光ダイオード(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
• 様々な面の4H-SiC上へのGaN結晶成長(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
• UVレーザダイオードの動作電圧の低減(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• p型GaNゲートを有するノーマリーオフ型GaN系HFETの閾値電圧制御および温度特性(センサーデバイス,MEMS,一般)
• The 3rd International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-3)(News of JACG)
• 酸素雰囲気中での活性化アニールによる紫外発光素子の高効率化(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• III族窒化物半導体へのp型ドーピングと結晶欠陥(窒化物半導体結晶中の欠陥)
• 注目の無極性面・半極性面窒化物半導体発光デバイス (特集 注目の無極性面・半極性面発光デバイス)
• p型GaNゲート ノーマリーオフ型AlGaN/GaN Junction HFETのオン抵抗と耐圧(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• MOVPE法によるR面サファイア上GaNの高速成長(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
• サファイアR面基板上低転位GaNの特性評価(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
• サファイアR面上に作製した紫色LED(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
• サファイアR面オフ基板上に作製したIII族窒化物半導体 : 基板オフ角依存性(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
• Moth eye発光ダイオード(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
• Moth eye発光ダイオード(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
• 様々な面の4H-SiC上へのGaN結晶成長(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
• 様々な面の4H-SiC上へのGaN結晶成長(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
• 酸素雰囲気中での活性化アニールによる紫外発光素子の高効率化(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• UVレーザダイオードの動作電圧の低減(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• GaInNの加圧MOVPEにおける熱力学解析(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• 酸素雰囲気中での活性化アニールによる紫外発光素子の高効率化(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• UVレーザダイオードの動作電圧の低減(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• GaInNの加圧MOVPEにおける熱力学解析(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• p型GaNゲート ノーマリーオフ型AlGaN/GaN Junction HFETのオン抵抗と耐圧(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 溝加工したAlN上AlGaNの転位解析(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• p型GaNゲート ノーマリーオフ型AlGaN/GaN Junction HFETのオン抵抗と耐圧(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 溝加工したAlN上AlGaNの転位解析(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• ノーマリーオフ型NlGaN/GaN接合型へテロ電界効果型トランジスタ
• 様々な基板上への紫外発光素子の作製と評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• 蛍光SiC結晶の光学特性--超高光束白色LEDのキーテクノロジー
• 様々な基板上への紫外発光素子の作製と評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• 様々な基板上への紫外発光素子の作製と評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• サファイア溝基板上AlNのELO(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
• サファイア溝基板上AlNのELO(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
• 顕微ラマン分光法によるNITRIDE-LEDの微細領域での温度分布解析(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
• サファイア溝基板上AlNのELO(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
• 顕微ラマン分光法によるNITRIDE-LEDの微細領域での温度分布解析(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
• サファイアR面上に作製した紫色LED(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
• サファイアR面上に作製した紫色LED(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
• MOVPE法によるR面サファイア上GaNの高速成長(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
• サファイアR面基板上低転位GaNの特性評価(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
• MOVPE法によるR面サファイア上GaNの高速成長(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
• サファイアR面基板上低転位GaNの特性評価(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
• MOVPE-GaN上にフラックス法で成長させたGaNの微細構造・光学的特性およびその上にMOVPEで成長させたGaNの微細構造・光学的特性(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• MOVPE-GaN上にフラックス法で成長させたGaNの微細構造・光学的特性およびその上にMOVPEで成長させたGaNの微細構造・光学的特性(結晶成長評価およびデバイス(化合物, Si, SiGe, その他の電子材料))
• 高温MOVPE法により作製したELO-AlNの微細構造観察(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
• 高温MOVPE法により作製したELO-AlNの微細構造観察(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
• MOVPE法による厚膜AlN成長(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
• 高温MOVPE法により作製したELO-AlNの微細構造観察
• 高温MOVPE法により作製したELO-AlNの微細構造観察(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
• MOVPE法による厚膜AlN成長(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
• 高温MOVPE法により作製したELO-AlNの微細構造観察
• MOVPE法による厚膜AlN成長(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
• 昇華法によるさまざまなSiC基板上へのAlN結晶成長(結晶成長・特性評価, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
• 昇華法によるさまざまなSiC基板上へのAlN結晶成長(結晶成長・特性評価, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
• 昇華法によるさまざまなSiC基板上へのAlN結晶成長(結晶成長・特性評価, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
• Al_xGa_N/GaNヘテロ構造における応力緩和過程の成長中その場観察
• Al_xGa_N/GaNヘテロ構造における応力緩和過程の成長中その場観察
• Al_xGa_N/GaNヘテロ構造における応力緩和過程の成長中その場観察
• m面SiC基板上に成長したIII族窒化物半導体薄膜の微細構造観察(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• m面SiC基板上に成長したIII族窒化物半導体薄膜の微細構造観察(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si, SiGe,その他の電子材料))
• m面SiC基板上に成長したIII族窒化物半導体薄膜の微細構造観察(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si, SiGe,その他の電子材料))
• a面GaNのp型伝導性制御--c面GaNとの比較
• a面GaNのp型伝導性制御--c面GaNとの比較
• 埋め込みAlGaN横方向成長の組成不均一(III族窒化物研究の最前線)
• MOVPE法による各種基板上へのInN膜の成長及び評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• MOVPE法による各種基板上へのInN膜の成長及び評価(結晶成長評価およびデバイス(化合物, Si, SiGe, その他の電子材料))
• MOVPE-GaN上にフラックス法で成長させたGaNの微細構造・光学的特性およびその上にMOVPEで成長させたGaNの微細構造・光学的特性(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• MOVPE法による各種基板上へのInN膜の成長及び評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• MOVPE-GaN 上にフラックス法で成長させた GaN の微細構造・光学的特性および
• MOVPE-GaN 上にフラックス法で成長させた GaN の微細構造・光学的特性および
• AlGaN系紫外発光素子における転位密度と発光効率(紫外発光材料の現状と将来)
• 高効率紫外発光素子のためのAlGaN系ヘテロエピタキシャル成長技術 : 紫外線発光の現状と将来シンポジウム
• 紫外LEDの発光特性評価(III族窒化物研究の最前線)
• 紫外・深紫外発光素子のための結晶成長技術 (特集 ここまで進んだ紫外発光素子)
• GaInNチャンネルHFETのAlInNバリア層の検討(FET,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• GaN系HFETsの電流コラプスの測定 : 非極性a面GaN基板上HFET及びc-GaN基板上p-GaNゲートを用いたノーマリーオフ型JHFET(FET,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 窒化物太陽電池の電極構造検討(太陽電池,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 非極性面を用いた窒化物太陽電池の作製(太陽電池,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• AlGaN量子井戸構造の内部量子効率(発光デバイス,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 反射電極を用いた紫外発光素子の光取り出し効率改善(発光デバイス,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 窒化物半導体トンネル接合の作製(輸送特性,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• III族窒化物半導体トンネル接合を用いた電流経路制御の検討(輸送特性,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• AlNテンプレートを用いた高品質AlN/GaN多層膜反射鏡の作製(MOVPE,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• X線その場観察装置を用いたMOVPE結晶成長(MOVPE,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• β-Ga_2O_3(100)基板上GaN及びAlGaNの成長(MOVPE,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• GaInNチャンネルHFETのAlInNバリア層の検討(FET,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• GaN系HFETsの電流コラプスの測定 : 非極性a面GaN基板上HFET及びc-GaN基板上p-GaNゲートを用いたノーマリーオフ型JHFET(FET,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 窒化物太陽電池の電極構造検討(太陽電池,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 非極性面を用いた窒化物太陽電池の作製(太陽電池,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• AlGaN量子井戸構造の内部量子効率(発光デバイス,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 反射電極を用いた紫外発光素子の光取り出し効率改善(発光デバイス,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 窒化物半導体トンネル接合の作製(輸送特性,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• III族窒化物半導体トンネル接合を用いた電流経路制御の検討(輸送特性,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• AlNテンプレートを用いた高品質AlN/GaN多層膜反射鏡の作製(MOVPE,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• X線その場観察装置を用いたMOVPE結晶成長(MOVPE,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• β-Ga_2O_3(100)基板上GaN及びAlGaNの成長(MOVPE,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• GaInNチャンネルHFETのAlInNバリア層の検討(FET,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• GaN系HFETsの電流コラプスの測定 : 非極性a面GaN基板上HFET及びc-GaN基板上p-GaNゲートを用いたノーマリーオフ型JHFET(FET,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 窒化物太陽電池の電極構造検討(太陽電池,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 非極性面を用いた窒化物太陽電池の作製(太陽電池,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• AlGaN量子井戸構造の内部量子効率(発光デバイス,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 反射電極を用いた紫外発光素子の光取り出し効率改善(発光デバイス,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 窒化物半導体トンネル接合の作製(輸送特性,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• III族窒化物半導体トンネル接合を用いた電流経路制御の検討(輸送特性,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• AlNテンプレートを用いた高品質AlN/GaN多層膜反射鏡の作製(MOVPE,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• X線その場観察装置を用いたMOVPE結晶成長(MOVPE,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• β-Ga_2O_3(100)基板上GaN及びAlGaNの成長(MOVPE,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• その場観察X線回折測定を用いた窒化物半導体の有機金属化合物気相成長(次世代素子のための窒化物結晶成長新機軸)
• GaN系HFETsの電流コラプスの測定 : 非極性a面GaN基板上HFET及びc-GaN基板上p-GaNゲートを用いたノーマリーオフ型JHFET
• GaN系HFETsの電流コラプスの測定 : 非極性a面GaN基板上HFET及びc-GaN基板上p-GaNゲートを用いたノーマリーオフ型JHFET
• 窒化物太陽電池の電極構造検討
• X線その場観察装置を用いたMOVPE結晶成長
• β-Ga_2O_3(100)基板上GaN及びAlGaNの成長
• GaInNチャンネルHFETのAlInNバリア層の検討
• ELO-AlN上AlGaNの微細構造観察(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
• ELO-AlN上AlGaNの微細構造観察(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
• ELO-AlN上AlGaNの微細構造観察(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
• 窒化物半導体太陽電池の集光特性(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
• 窒化物半導体太陽電池の集光特性(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
• 窒化物半導体太陽電池の集光特性(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
• 窒化物半導体太陽電池の集光特性
• 窒化物半導体太陽電池の集光特性
• 窒化物半導体太陽電池の集光特性
• n-GaN表面層を有する構造内p-GaNのMgアクセプタ活性化(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)
• n-GaN表面層を有する構造内p-GaNのMgアクセプタ活性化(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)
• n-GaN表面層を有する構造内p-GaNのMgアクセプタ活性化(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)
• ドループ改善に向けた窒化物半導体np構造LEDの作製(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)
• サファイア基板上へのモスアイ構造の形成方法の検討およびLEDへの応用(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)
• サファイア基板上へのモスアイ構造の形成方法の検討およびLEDへの応用(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)
• サファイア基板上へのモスアイ構造の形成方法の検討およびLEDへの応用(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)
• ドループ改善に向けた窒化物半導体np構造LEDの作製(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)
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