竹内 哲也 | 名城大学理工学部
スポンサーリンク
概要
関連著者
-
赤崎 勇
名城大学理工学研究科
-
竹内 哲也
名城大学理工学部
-
竹内 哲也
名城大学理工学部電気電子工学科
-
岩谷 素顕
名城大学理工学研究科
-
上山 智
名城大学理工学研究科
-
天野 浩
名古屋大学 大学院工学研究科 電子情報システム専攻 赤崎記念研究センター
-
天野 浩
名古屋大学大学院工学研究科赤崎記念研究センター
-
天野 浩
名古屋大学
-
赤崎 勇
名城大学理工学部電機電子工学科
-
岩谷 素顕
名城大学・理工学部
-
赤★ 勇
名城大学大学院・理工学研究科:名城大学・ハイテクリサーチセンター
-
山本 翔太
名城大学理工学部
-
桑原 洋介
名城大学理工学部
-
藤井 崇裕
名城大学理工学部
-
天野 浩
名古屋大学大学院工学研究科電子情報システム専攻
-
天野 浩
名城大学理工学研究科
-
竹内 哲也
名城大理工
-
天野 浩
名城大学理工学研究科電気電子・情報・材料工学専攻
-
天野 浩
名城大学 理工学部材料機能工学科
-
加賀 充
名城大学理工学部
-
上山 智
名城大学・理工学部
-
杉山 徹
名城大学理工学部
-
山下 浩司
名城大学理工学部
-
森 美貴子
名城大学理工学部
-
森田 隆敏
名城大学理工学部
-
桑野 侑香
名城大学理工学部
-
曽田 茂稔
名城大学理工学部
-
池田 和弥
名城大学理工学部
-
磯部 康裕
名城大学理工学部
-
一木 宏充
名城大学理工学部
-
堀尾 尚文
名城大学理工学部
-
榊原 辰幸
名城大学理工学部
-
森田 義己
名城大学理工学部
-
飯田 大輔
名城大学理工学研究科
-
竹田 健一郎
名城大学理工学研究科
-
北野 司
名城大学大学院・理工学研究科・21世紀coeナノファクトリー
-
酒井 浩光
名城大学理工学部
-
酒井 浩光
名城大学理工学部電気電子工学科
-
竹田 健一郎
名城大・理工
-
永田 賢吾
名城大・理工
-
竹田 健一郎
名城大学
-
山口 栄雄
神奈川大学工学部
-
山口 栄雄
名城大学理工学部電気電子工学科
-
竹田 健一郎
名城大
-
磯部 康裕
名城大学大学院理工学研究科
-
中尾 達郎
名城大学理工学部
-
藤山 泰治
名城大学理工学部
-
竹原 孝祐
名城大学理工学研究科
-
永田 賢吾
名城大学理工学研究科
-
青島 宏樹
名城大学理工学研究科
-
伊藤 駿
名城大学理工学研究科
-
矢木 康太
名城大学理工学部
-
山下 浩司
名城大学大学院理工学研究科
-
加賀 充
名城大学大学院理工学研究科
-
矢木 康太
名城大学大学院理工学研究科
-
伊藤 駿
名城大・理工
-
青島 宏樹
名城大・理工
-
竹原 孝祐
名城大・理工
-
松井 健城
名城大学理工学部
-
南川 大智
名城大学理工学部
-
新田 州吾
名城大学理工学研究科ハイテクリサーチセンター
-
小林 正和
名城大学理工学部
-
Burm J.
Department Electrical Engineering Cornell University
-
Schaff W.
Department Electrical Engineering, Cornell University
-
Eastman L.
Department Electrical Engineering, Cornell University
-
苅谷 道彦
名城大学理工学部電気電子工学科
-
Schaff W.
Department Electrical Engineering Cornell University
-
Eastman L.
Department Electrical Engineering Cornell University
-
北野 司
エルシード株式会社
-
竹田 美和
名古屋大学工学研究科結晶材料工学専攻
-
北野 司
名城大学理工学研究科、21世紀COEプログラムナノファクトリー
-
竹田 美和
名古屋大学
-
赤崎 勇
名城大学理工学部
-
赤崎 勇
名城大・理工
-
岩谷 素顕
名城大学理工学部
-
田渕 雅夫
名古屋大学工学部材料機能工学科
-
Wetzel Christian
High Tech Research Center Meijo University:(present Address)uniroyal Optoelectronics
-
田淵 雅夫
名大工
-
Wetzel Christian
名城大学理工学部電気電子工学科
-
上山 智
名城大学理工学部
著作論文
- III族窒化物半導体ヘテロ接合の構造と光学特性
- 電子デバイス用材料としてのIII族窒化物半導体
- 電子デバイス用材料としてのIII族窒化物半導体
- III族窒化物半導体ヘテロ接合の構造と光学特性
- X線CTR散乱法およびX線反射率測定で見たサファイア基板上の窒化物成長過程
- 三元混晶GaInNの結晶学的及び光学的評価
- 三元混晶GaInNの結晶学的及び光学的評価
- サファイア上GaNの成長過程と結晶学的特性およびGaN上AlGaN, GaInINの結晶学的特性 (ワイドギャップ半導体とそのデバイス応用論文小特集)
- GaNの誘導放出機構と混晶効果
- GaInNチャンネルHFETのAlInNバリア層の検討(FET,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 窒化物太陽電池の電極構造検討(太陽電池,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 非極性面を用いた窒化物太陽電池の作製(太陽電池,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 反射電極を用いた紫外発光素子の光取り出し効率改善(発光デバイス,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 窒化物半導体トンネル接合の作製(輸送特性,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- GaInNチャンネルHFETのAlInNバリア層の検討(FET,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 窒化物太陽電池の電極構造検討(太陽電池,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 非極性面を用いた窒化物太陽電池の作製(太陽電池,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 反射電極を用いた紫外発光素子の光取り出し効率改善(発光デバイス,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 窒化物半導体トンネル接合の作製(輸送特性,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- GaInNチャンネルHFETのAlInNバリア層の検討(FET,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 窒化物太陽電池の電極構造検討(太陽電池,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 非極性面を用いた窒化物太陽電池の作製(太陽電池,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 反射電極を用いた紫外発光素子の光取り出し効率改善(発光デバイス,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 窒化物半導体トンネル接合の作製(輸送特性,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 窒化物太陽電池の電極構造検討
- GaInNチャンネルHFETのAlInNバリア層の検討
- 窒化物半導体太陽電池の集光特性(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
- 窒化物半導体太陽電池の集光特性(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
- 窒化物半導体太陽電池の集光特性(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
- 窒化物半導体太陽電池の集光特性
- 窒化物半導体太陽電池の集光特性
- 窒化物半導体太陽電池の集光特性
- n-GaN表面層を有する構造内p-GaNのMgアクセプタ活性化(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)
- n-GaN表面層を有する構造内p-GaNのMgアクセプタ活性化(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)
- n-GaN表面層を有する構造内p-GaNのMgアクセプタ活性化(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)
- ドループ改善に向けた窒化物半導体np構造LEDの作製(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)
- ドループ改善に向けた窒化物半導体np構造LEDの作製(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)
- ドループ改善に向けた窒化物半導体np構造LEDの作製(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)