竹内 哲也 | 名城大学理工学部電気電子工学科

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概要

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• 同名の論文著者
• 名城大学理工学部電気電子工学科の論文著者

関連著者

• 竹内 哲也

  名城大学理工学部電気電子工学科

• 岩谷 素顕

  名城大学理工学研究科

• 赤崎 勇

  名城大学理工学研究科

• 上山 智

  名城大学理工学研究科

• 岩谷 素顕

  名城大学・理工学部

• 赤崎 勇

  名城大学理工学部電機電子工学科

• 竹内 哲也

  名城大学理工学部

• 天野 浩

  名古屋大学大学院工学研究科赤崎記念研究センター

• 天野 浩

  名古屋大学 大学院工学研究科 電子情報システム専攻 赤崎記念研究センター

• 天野 浩

  名古屋大学

• 赤★ 勇

  名城大学大学院・理工学研究科:名城大学・ハイテクリサーチセンター

• 竹内 哲也

  名城大理工

• 上山 智

  名城大学・理工学部

• 天野 浩

  名古屋大学大学院工学研究科電子情報システム専攻

• 天野 浩

  名城大学理工学研究科電気電子・情報・材料工学専攻

• 天野 浩

  名城大学 理工学部材料機能工学科

• 岩谷 素顕

  名城大学大学院理工学研究科

• 上山 智

  名城大学大学院理工学研究科

• 赤崎 勇

  名城大学大学院理工学研究科

• 竹内 哲也

  名城大学大学院理工学研究科

• 竹田 健一郎

  名城大学理工学研究科

• 竹田 健一郎

  名城大・理工

• 竹田 健一郎

  名城大学

• 竹田 健一郎

  名城大

• 天野 浩

  名城大学理工学研究科

• 山本 翔太

  名城大学理工学部

• 桑原 洋介

  名城大学理工学部

• 藤井 崇裕

  名城大学理工学部

• 加賀 充

  名城大学理工学部

• 山下 浩司

  名城大学大学院理工学研究科

• 加賀 充

  名城大学大学院理工学研究科

• 矢木 康太

  名城大学大学院理工学研究科

• 飯田 大輔

  名城大学理工学研究科

• 赤崎 勇

  名城大理工

• 赤崎 勇

  名城大・理工

• 岩谷 素顕

  名城大理工

• 上山 智

  名城大理工

• 山本 準一

  名城大・理工

• 鈴木 敦志

  エルシード株式会社

• 磯部 康裕

  名城大学大学院理工学研究科

• 杉山 徹

  名城大学理工学部

• 井手 公康

  名城大・理工

• 山下 浩司

  名城大学理工学部

• 森田 隆敏

  名城大学理工学部

• 桑野 侑香

  名城大学理工学部

• 永田 賢吾

  名城大・理工

• 岩谷 素顕

  名城大・理工

• 上山 智

  名城大・理工

• 竹内 哲也

  名城大・理工

• 北野 司

  エルシード株式会社

• 伊藤 駿

  名城大・理工

• 青島 宏樹

  名城大・理工

• 竹原 孝祐

  名城大・理工

• 曽田 茂稔

  名城大学理工学部

• 森 勇介

  阪大・院工

• 北岡 康夫

  大阪大学大学院工学研究科

• 森 勇介

  大阪大学大学院工学研究科

• 北野 司

  名城大学大学院・理工学研究科・21世紀coeナノファクトリー

• 本田 善央

  名古屋大学

• 杉山 貴之

  名城大学理工学研究科

• 酒井 浩光

  名城大学理工学部

• 酒井 浩光

  名城大学理工学部電気電子工学科

• 今出 完

  阪大院工

• 山口 雅史

  名古屋大学工学研究科電子情報システム専攻

• 竹田 健一郎

  名城大学大学院理工学研究科

• 北岡 康夫

  大阪大学大学院 工学研究科

• 森 勇介

  大阪大 工

• 山口 雅史

  名古屋大学工学研究科

• 本田 善央

  名古屋大学工学研究科

• 山口 栄雄

  神奈川大学工学部

• 山口 栄雄

  名城大学理工学部電気電子工学科

• 山口 雅史

  名古屋大学

• 今出 完

  大阪大学大学院工学研究科

• 杉山 貴之

  名古屋大学大学院工学研究科・赤崎記念研究センター

• 池田 和弥

  名城大学理工学部

• 磯部 康裕

  名城大学理工学部

• 一木 宏充

  名城大学理工学部

• 堀尾 尚文

  名城大学理工学部

• 榊原 辰幸

  名城大学理工学部

• 押村 吉徳

  名城大学大学院理工学研究科

• 森田 義己

  名城大学理工学部

• 中尾 達郎

  名城大学理工学部

• 藤山 泰治

  名城大学理工学部

• 伴 和仁

  名城大・理工

• 竹原 孝祐

  名城大学理工学研究科

• 永田 賢吾

  名城大学理工学研究科

• 青島 宏樹

  名城大学理工学研究科

• 伊藤 駿

  名城大学理工学研究科

• 矢木 康太

  名城大学理工学部

• 田中 大樹

  名城大・理工

• 森 美貴子

  名城大学理工学部

• 井手 公康

  名城大学大学院理工学研究科

• 山本 準一

  名城大学大学院理工学研究科

• 森 勇介

  大阪大学大学院工学研究科電気工学専攻

• 本田 善央

  名古屋大学大学院工学研究科

• 関根 均

  DIC株式会社

• 土屋 貴義

  名城大理工

• 梅田 慎也

  名城大理工

• 曽和 美保子

  名城大理工

• 近藤 俊行

  エルシード株式会社

• 森 みどり

  エルシード株式会社

• 難波江 宏一

  エルシード株式会社

• 松井 健城

  名城大学理工学部

• 南川 大智

  名城大学理工学部

• 新田 州吾

  名城大学理工学研究科ハイテクリサーチセンター

• 小林 正和

  名城大学理工学部

• Burm J.

  Department Electrical Engineering Cornell University

• Schaff W.

  Department Electrical Engineering, Cornell University

• Eastman L.

  Department Electrical Engineering, Cornell University

• 苅谷 道彦

  名城大学理工学部電気電子工学科

• Schaff W.

  Department Electrical Engineering Cornell University

• Eastman L.

  Department Electrical Engineering Cornell University

• 天野 浩

  名古屋大・大学院工

• 飯田 大輔

  名城大・理工

• 竹田 健一郎

  名城大理工

• 竹田 美和

  名古屋大学工学研究科結晶材料工学専攻

• 北野 司

  名城大学理工学研究科、21世紀COEプログラムナノファクトリー

• 平松 和政

  三重大学工学部電気電子工学科

• 竹田 美和

  名古屋大学

• 赤崎 勇

  名大・工

• 伊藤 健治

  名古屋大学工学部

• 岩谷 素顕

  名城大学理工学部

• 澤木 宜彦

  名大・工

• 天野 浩

  名大・工

• 平松 和政

  名大・工

• 田渕 雅夫

  名古屋大学工学部材料機能工学科

• 伊藤 健治

  名大・工

• 竹内 哲也

  名大・工

• Wetzel Christian

  High Tech Research Center Meijo University:(present Address)uniroyal Optoelectronics

• 田淵 雅夫

  名大工

• 上山 智

  名城大学・ハイテクリサーチセンター

• 赤崎 勇

  名城大学・ハイテクリサーチセンター

• 岩谷 素顕

  名城大学・理工学研究科

• Wetzel Christian

  名城大学理工学部電気電子工学科

• 天野 浩

  名大・大学院工:名大・赤崎記念研究センター

• 山本 準一

  名城大理工

• 伴 和仁

  名城大理工

• 井手 公康

  名城大理工

• 天野 浩

  名古屋大院工

• 平松 和政

  三重大

• 伊藤 駿

  名城大理工

• 永田 賢吾

  名城大理工

• 青島 宏樹

  名城大理工

• 竹原 孝祐

  名城大理工

• 天野 浩

  名大院工

• 田中 大樹

  名城大理工

• 飯田 大輔

  名城大理工

• 竹内 哲也

  名城大学・理工学部

• 飯田 大輔

  名城大学・理工学部

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著作論文

• III族窒化物半導体ヘテロ接合の構造と光学特性
• 気相成長法によるGaN厚膜単結晶の作製と評価 : エピタキシーI
• 電子デバイス用材料としてのIII族窒化物半導体
• 電子デバイス用材料としてのIII族窒化物半導体
• III族窒化物半導体ヘテロ接合の構造と光学特性
• X線CTR散乱法およびX線反射率測定で見たサファイア基板上の窒化物成長過程
• 三元混晶GaInNの結晶学的及び光学的評価
• 三元混晶GaInNの結晶学的及び光学的評価
• サファイア上GaNの成長過程と結晶学的特性およびGaN上AlGaN, GaInINの結晶学的特性 (ワイドギャップ半導体とそのデバイス応用論文小特集)
• GaNの誘導放出機構と混晶効果
• 紫外・深紫外発光素子のための結晶成長技術 (特集 ここまで進んだ紫外発光素子)
• GaInNチャンネルHFETのAlInNバリア層の検討(FET,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• GaN系HFETsの電流コラプスの測定 : 非極性a面GaN基板上HFET及びc-GaN基板上p-GaNゲートを用いたノーマリーオフ型JHFET(FET,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 窒化物太陽電池の電極構造検討(太陽電池,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 非極性面を用いた窒化物太陽電池の作製(太陽電池,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• AlGaN量子井戸構造の内部量子効率(発光デバイス,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 反射電極を用いた紫外発光素子の光取り出し効率改善(発光デバイス,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 窒化物半導体トンネル接合の作製(輸送特性,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• III族窒化物半導体トンネル接合を用いた電流経路制御の検討(輸送特性,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• AlNテンプレートを用いた高品質AlN/GaN多層膜反射鏡の作製(MOVPE,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• X線その場観察装置を用いたMOVPE結晶成長(MOVPE,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• β-Ga_2O_3(100)基板上GaN及びAlGaNの成長(MOVPE,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• GaInNチャンネルHFETのAlInNバリア層の検討(FET,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• GaN系HFETsの電流コラプスの測定 : 非極性a面GaN基板上HFET及びc-GaN基板上p-GaNゲートを用いたノーマリーオフ型JHFET(FET,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 窒化物太陽電池の電極構造検討(太陽電池,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 非極性面を用いた窒化物太陽電池の作製(太陽電池,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• AlGaN量子井戸構造の内部量子効率(発光デバイス,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 反射電極を用いた紫外発光素子の光取り出し効率改善(発光デバイス,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 窒化物半導体トンネル接合の作製(輸送特性,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• III族窒化物半導体トンネル接合を用いた電流経路制御の検討(輸送特性,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• AlNテンプレートを用いた高品質AlN/GaN多層膜反射鏡の作製(MOVPE,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• X線その場観察装置を用いたMOVPE結晶成長(MOVPE,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• β-Ga_2O_3(100)基板上GaN及びAlGaNの成長(MOVPE,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• GaInNチャンネルHFETのAlInNバリア層の検討(FET,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• GaN系HFETsの電流コラプスの測定 : 非極性a面GaN基板上HFET及びc-GaN基板上p-GaNゲートを用いたノーマリーオフ型JHFET(FET,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 窒化物太陽電池の電極構造検討(太陽電池,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 非極性面を用いた窒化物太陽電池の作製(太陽電池,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• AlGaN量子井戸構造の内部量子効率(発光デバイス,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 反射電極を用いた紫外発光素子の光取り出し効率改善(発光デバイス,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 窒化物半導体トンネル接合の作製(輸送特性,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• III族窒化物半導体トンネル接合を用いた電流経路制御の検討(輸送特性,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• AlNテンプレートを用いた高品質AlN/GaN多層膜反射鏡の作製(MOVPE,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• X線その場観察装置を用いたMOVPE結晶成長(MOVPE,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• その場観察X線回折測定を用いた窒化物半導体の有機金属化合物気相成長(次世代素子のための窒化物結晶成長新機軸)
• ELO-AlN上AlGaNの微細構造観察(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
• ELO-AlN上AlGaNの微細構造観察(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
• ELO-AlN上AlGaNの微細構造観察(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
• 窒化物半導体太陽電池の集光特性(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
• 窒化物半導体太陽電池の集光特性(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
• 窒化物半導体太陽電池の集光特性(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
• n-GaN表面層を有する構造内p-GaNのMgアクセプタ活性化(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)
• n-GaN表面層を有する構造内p-GaNのMgアクセプタ活性化(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)
• n-GaN表面層を有する構造内p-GaNのMgアクセプタ活性化(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)
• ドループ改善に向けた窒化物半導体np構造LEDの作製(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)
• サファイア基板上へのモスアイ構造の形成方法の検討およびLEDへの応用(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)
• サファイア基板上へのモスアイ構造の形成方法の検討およびLEDへの応用(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)
• サファイア基板上へのモスアイ構造の形成方法の検討およびLEDへの応用(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)
• ドループ改善に向けた窒化物半導体np構造LEDの作製(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)
• ドループ改善に向けた窒化物半導体np構造LEDの作製(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)

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