岩谷 素顕 | 名城大学・理工学部
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概要
関連著者
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岩谷 素顕
名城大学理工学研究科
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竹内 哲也
名城大学理工学部電気電子工学科
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岩谷 素顕
名城大学・理工学部
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赤崎 勇
名城大学理工学部電機電子工学科
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上山 智
名城大学理工学研究科
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天野 浩
名古屋大学大学院工学研究科赤崎記念研究センター
-
天野 浩
名古屋大学 大学院工学研究科 電子情報システム専攻 赤崎記念研究センター
-
天野 浩
名古屋大学
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赤崎 勇
名城大学理工学研究科
-
竹内 哲也
名城大理工
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赤★ 勇
名城大学大学院・理工学研究科:名城大学・ハイテクリサーチセンター
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上山 智
名城大学・理工学部
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竹内 哲也
名城大学理工学部
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天野 浩
名古屋大学大学院工学研究科電子情報システム専攻
-
天野 浩
名城大学理工学研究科電気電子・情報・材料工学専攻
-
天野 浩
名城大学 理工学部材料機能工学科
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岩谷 素顕
名城大学大学院理工学研究科
-
上山 智
名城大学大学院理工学研究科
-
赤崎 勇
名城大学大学院理工学研究科
-
竹内 哲也
名城大学大学院理工学研究科
-
竹田 健一郎
名城大学理工学研究科
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竹田 健一郎
名城大・理工
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竹田 健一郎
名城大学
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竹田 健一郎
名城大
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山本 翔太
名城大学理工学部
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桑原 洋介
名城大学理工学部
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藤井 崇裕
名城大学理工学部
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山下 浩司
名城大学大学院理工学研究科
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加賀 充
名城大学大学院理工学研究科
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矢木 康太
名城大学大学院理工学研究科
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飯田 大輔
名城大学理工学研究科
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山本 準一
名城大・理工
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磯部 康裕
名城大学大学院理工学研究科
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杉山 徹
名城大学理工学部
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井手 公康
名城大・理工
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永田 賢吾
名城大・理工
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岩谷 素顕
名城大・理工
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上山 智
名城大・理工
-
赤崎 勇
名城大・理工
-
竹内 哲也
名城大・理工
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伊藤 駿
名城大・理工
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青島 宏樹
名城大・理工
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竹原 孝祐
名城大・理工
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森 勇介
阪大・院工
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北岡 康夫
大阪大学大学院工学研究科
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森 勇介
大阪大学大学院工学研究科
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北野 司
名城大学大学院・理工学研究科・21世紀coeナノファクトリー
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本田 善央
名古屋大学
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杉山 貴之
名城大学理工学研究科
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赤崎 勇
名城大理工
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今出 完
阪大院工
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山口 雅史
名古屋大学工学研究科電子情報システム専攻
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竹田 健一郎
名城大学大学院理工学研究科
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北岡 康夫
大阪大学大学院 工学研究科
-
森 勇介
大阪大 工
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山口 雅史
名古屋大学工学研究科
-
本田 善央
名古屋大学工学研究科
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岩谷 素顕
名城大理工
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上山 智
名城大理工
-
山口 雅史
名古屋大学
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今出 完
大阪大学大学院工学研究科
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鈴木 敦志
エルシード株式会社
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杉山 貴之
名古屋大学大学院工学研究科・赤崎記念研究センター
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池田 和弥
名城大学理工学部
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磯部 康裕
名城大学理工学部
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一木 宏充
名城大学理工学部
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堀尾 尚文
名城大学理工学部
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榊原 辰幸
名城大学理工学部
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押村 吉徳
名城大学大学院理工学研究科
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森田 義己
名城大学理工学部
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中尾 達郎
名城大学理工学部
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藤山 泰治
名城大学理工学部
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伴 和仁
名城大・理工
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竹原 孝祐
名城大学理工学研究科
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永田 賢吾
名城大学理工学研究科
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青島 宏樹
名城大学理工学研究科
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伊藤 駿
名城大学理工学研究科
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加賀 充
名城大学理工学部
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山下 浩司
名城大学理工学部
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矢木 康太
名城大学理工学部
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田中 大樹
名城大・理工
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森 美貴子
名城大学理工学部
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井手 公康
名城大学大学院理工学研究科
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山本 準一
名城大学大学院理工学研究科
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森 勇介
大阪大学大学院工学研究科電気工学専攻
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本田 善央
名古屋大学大学院工学研究科
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天野 浩
名古屋大・大学院工
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北野 司
エルシード株式会社
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飯田 大輔
名城大・理工
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竹田 健一郎
名城大理工
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北野 司
名城大学理工学研究科、21世紀COEプログラムナノファクトリー
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上山 智
名城大学・ハイテクリサーチセンター
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赤崎 勇
名城大学・ハイテクリサーチセンター
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岩谷 素顕
名城大学・理工学研究科
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天野 浩
名大・大学院工:名大・赤崎記念研究センター
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山本 準一
名城大理工
-
伴 和仁
名城大理工
-
井手 公康
名城大理工
-
天野 浩
名古屋大院工
-
伊藤 駿
名城大理工
-
永田 賢吾
名城大理工
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青島 宏樹
名城大理工
-
竹原 孝祐
名城大理工
-
天野 浩
名大院工
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田中 大樹
名城大理工
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飯田 大輔
名城大理工
-
竹内 哲也
名城大学・理工学部
-
飯田 大輔
名城大学・理工学部
著作論文
- 紫外・深紫外発光素子のための結晶成長技術 (特集 ここまで進んだ紫外発光素子)
- GaInNチャンネルHFETのAlInNバリア層の検討(FET,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- GaN系HFETsの電流コラプスの測定 : 非極性a面GaN基板上HFET及びc-GaN基板上p-GaNゲートを用いたノーマリーオフ型JHFET(FET,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 窒化物太陽電池の電極構造検討(太陽電池,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 非極性面を用いた窒化物太陽電池の作製(太陽電池,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- AlGaN量子井戸構造の内部量子効率(発光デバイス,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 反射電極を用いた紫外発光素子の光取り出し効率改善(発光デバイス,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 窒化物半導体トンネル接合の作製(輸送特性,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- III族窒化物半導体トンネル接合を用いた電流経路制御の検討(輸送特性,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- AlNテンプレートを用いた高品質AlN/GaN多層膜反射鏡の作製(MOVPE,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- X線その場観察装置を用いたMOVPE結晶成長(MOVPE,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- β-Ga_2O_3(100)基板上GaN及びAlGaNの成長(MOVPE,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- GaInNチャンネルHFETのAlInNバリア層の検討(FET,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- GaN系HFETsの電流コラプスの測定 : 非極性a面GaN基板上HFET及びc-GaN基板上p-GaNゲートを用いたノーマリーオフ型JHFET(FET,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 窒化物太陽電池の電極構造検討(太陽電池,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 非極性面を用いた窒化物太陽電池の作製(太陽電池,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- AlGaN量子井戸構造の内部量子効率(発光デバイス,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 反射電極を用いた紫外発光素子の光取り出し効率改善(発光デバイス,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 窒化物半導体トンネル接合の作製(輸送特性,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- III族窒化物半導体トンネル接合を用いた電流経路制御の検討(輸送特性,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- AlNテンプレートを用いた高品質AlN/GaN多層膜反射鏡の作製(MOVPE,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- X線その場観察装置を用いたMOVPE結晶成長(MOVPE,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- β-Ga_2O_3(100)基板上GaN及びAlGaNの成長(MOVPE,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- GaInNチャンネルHFETのAlInNバリア層の検討(FET,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- GaN系HFETsの電流コラプスの測定 : 非極性a面GaN基板上HFET及びc-GaN基板上p-GaNゲートを用いたノーマリーオフ型JHFET(FET,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 窒化物太陽電池の電極構造検討(太陽電池,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 非極性面を用いた窒化物太陽電池の作製(太陽電池,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- AlGaN量子井戸構造の内部量子効率(発光デバイス,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 反射電極を用いた紫外発光素子の光取り出し効率改善(発光デバイス,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 窒化物半導体トンネル接合の作製(輸送特性,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- III族窒化物半導体トンネル接合を用いた電流経路制御の検討(輸送特性,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- AlNテンプレートを用いた高品質AlN/GaN多層膜反射鏡の作製(MOVPE,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- X線その場観察装置を用いたMOVPE結晶成長(MOVPE,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- その場観察X線回折測定を用いた窒化物半導体の有機金属化合物気相成長(次世代素子のための窒化物結晶成長新機軸)
- ELO-AlN上AlGaNの微細構造観察(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
- ELO-AlN上AlGaNの微細構造観察(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
- ELO-AlN上AlGaNの微細構造観察(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
- 窒化物半導体太陽電池の集光特性(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
- 窒化物半導体太陽電池の集光特性(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
- 窒化物半導体太陽電池の集光特性(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)