永田 賢吾 | 名城大・理工
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概要
関連著者
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永田 賢吾
名城大・理工
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岩谷 素顕
名城大学理工学研究科
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竹田 健一郎
名城大・理工
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竹田 健一郎
名城大学理工学研究科
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赤崎 勇
名城大学理工学部電機電子工学科
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竹田 健一郎
名城大
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上山 智
名城大学理工学研究科
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赤崎 勇
名城大学理工学研究科
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竹田 健一郎
名城大学
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天野 浩
名城大学理工学研究科電気電子・情報・材料工学専攻
-
伊藤 駿
名城大・理工
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青島 宏樹
名城大・理工
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竹原 孝祐
名城大・理工
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赤崎 勇
名城大学理工学研究科電気電子・情報・材料工学専攻
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天野 浩
名城大
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市川 友紀
名城大・理工
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岩谷 素顕
名城大・理工
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上山 智
名城大・理工
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赤崎 勇
名城大・理工
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竹内 哲也
名城大学理工学部電気電子工学科
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岩谷 素顕
名城大学・理工学部
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菅 博文
浜松ホトニクス
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永松 謙太郎
名城大学理工学研究科
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桑原 正和
浜松ホトニクス株式会社
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竹内 哲也
名城大学理工学部
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竹内 哲也
名城大理工
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菅 博文
浜松ホトニクス(株)中央研究所
-
菅 博文
浜松ホトニクス(株)
-
菅 博文
浜松ホトニクス株式会社中央研究所
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小木曽 裕二
名城大・理工
-
天野 浩
名城大・理工
-
吉田 治正
浜松ホトニクス(株)
-
山下 陽滋
浜松ホトニクス(株)
-
永松 謙太郎
名城大学大学院理工学研究科
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岩谷 素顕
名城大学大学院理工学研究科
-
上山 智
名城大学大学院理工学研究科
-
天野 浩
名城大学大学院理工学研究科
-
赤崎 勇
名城大学大学院理工学研究科
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永田 賢吾
名城大学大学院理工学研究科
-
市川 友紀
名城大学大学院理工学研究科
-
竹田 健一郎
名城大学大学院理工学研究科
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吉田 治正
浜松ホトニクス株式会社
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菅 博文
浜松ホトニクス(株)開発本部
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山下 陽滋
浜松ホトニクス株式会社
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竹内 哲也
名城大・理工
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竹原 孝祐
名城大学理工学研究科
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永田 賢吾
名城大学理工学研究科
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青島 宏樹
名城大学理工学研究科
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伊藤 駿
名城大学理工学研究科
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天野 浩
名古屋大学大学院工学研究科赤崎記念研究センター
-
吉田 治正
浜松ホトニクス
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天野 浩
名古屋大学 大学院工学研究科 電子情報システム専攻 赤崎記念研究センター
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天野 浩
名古屋大学
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天野 浩
名古屋大学大学院工学研究科電子情報システム専攻
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天野 浩
名城大学 理工学部材料機能工学科
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赤★ 勇
名城大学大学院・理工学研究科:名城大学・ハイテクリサーチセンター
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天野 浩
名大・大学院工:名大・赤崎記念研究センター
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上山 智
名城大学・理工学部
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赤崎 勇
名城大理工
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岩谷 素顕
名城大理工
-
上山 智
名城大理工
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竹田 健一郎
名城大理工
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伊藤 駿
名城大理工
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永田 賢吾
名城大理工
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青島 宏樹
名城大理工
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竹原 孝祐
名城大理工
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天野 浩
名大院工
-
天野 浩
名大・院工
著作論文
- UVレーザダイオードの動作電圧の低減(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 酸素雰囲気中での活性化アニールによる紫外発光素子の高効率化(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 酸素雰囲気中での活性化アニールによる紫外発光素子の高効率化(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- UVレーザダイオードの動作電圧の低減(窒化物及び混晶半導体デバイス)
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- β-Ga2O3(100)基板上GaN及びAlGaNの成長 (電子部品・材料)
- β-Ga2O3(100)基板上GaN及びAlGaNの成長 (電子デバイス)
- 反射電極を用いた紫外発光素子の光取り出し効率改善 (シリコン材料・デバイス)
- β-Ga2O3(100)基板上GaN及びAlGaNの成長 (シリコン材料・デバイス)
- 反射電極を用いた紫外発光素子の光取り出し効率改善 (電子部品・材料)
- 反射電極を用いた紫外発光素子の光取り出し効率改善 (電子デバイス)
- 反射電極を用いた紫外発光素子の光取り出し効率改善(発光デバイス,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- β-Ga_2O_3(100)基板上GaN及びAlGaNの成長(MOVPE,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 反射電極を用いた紫外発光素子の光取り出し効率改善(発光デバイス,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- β-Ga_2O_3(100)基板上GaN及びAlGaNの成長(MOVPE,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 反射電極を用いた紫外発光素子の光取り出し効率改善(発光デバイス,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- β-Ga_2O_3(100)基板上GaN及びAlGaNの成長(MOVPE,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- β-Ga_2O_3(100)基板上GaN及びAlGaNの成長