赤崎 勇 | 名城大学理工学研究科

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概要

• 同名の論文著者
• 名城大学理工学研究科の論文著者

関連著者

• 赤崎 勇

  名城大学理工学研究科

• 岩谷 素顕

  名城大学理工学研究科

• 上山 智

  名城大学理工学研究科

• 天野 浩

  名城大学理工学研究科

• 天野 浩

  名城大

• 竹内 哲也

  名城大学理工学部電気電子工学科

• 竹内 哲也

  名城大学理工学部

• 天野 浩

  名城大学理工学研究科電気電子・情報・材料工学専攻

• 赤崎 勇

  名城大学理工学研究科電気電子・情報・材料工学専攻

• 岩谷 素顕

  名城大学大学院理工学研究科

• 上山 智

  名城大学大学院理工学研究科

• 赤崎 勇

  名城大学大学院理工学研究科

• 谷口 正成

  名城大学理工学部

• 赤崎 勇

  名城大・理工

• 天野 浩

  名城大学大学院理工学研究科

• 高木 相

  日本大学工学部

• 竹内 哲也

  名城大理工

• 川島 毅士

  名城大学大学院 理工学研究科・21世紀coeナノファクトリー

• 赤崎 勇

  名城大学理工学部

• 井村 将隆

  名城大学大学院 理工学研究科・21世紀coeナノファクトリー

• 竹田 健一郎

  名城大学理工学研究科

• 竹田 健一郎

  名城大・理工

• 飯田 一喜

  名城大・理工・21世紀coe「ナノファクトリー」:名城大学理工学部材料機能工学科

• 天野 浩

  名古屋大学大学院工学研究科電子情報システム専攻

• 天野 浩

  名城大学 理工学部材料機能工学科

• 北野 司

  名城大学大学院・理工学研究科・21世紀coeナノファクトリー

• バラクリッシュナン クリッシュナン

  名城大・理工・21世紀coe「ナノファクトリー」:名城大学理工学部材料機能工学科

• 本塩 彰

  名城大学理工学研究科 21世紀coe"ナノファクトリー

• 土屋 隆

  名城大学理工学部

• 永松 謙太郎

  名城大学理工学研究科

• 春日井 秀紀

  名城大学理工学研究科、21世紀COEプログラムナノファクトリー

• 三宅 泰人

  名城大学理工学研究科、21世紀COEプログラムナノファクトリー

• 井村 将隆

  名城大学理工学研究科、21世紀COEプログラムナノファクトリー

• 三宅 泰人

  名城大学大学院理工学研究科、21世紀coe"ナノファクトリー

• 春日井 秀紀

  名城大学大学院理工学研究科、21世紀coe"ナノファクトリー

• 春日井 秀紀

  名城大 大学院理工学研究科

• 三宅 泰人

  名城大 大学院理工学研究科

• 平松 和政

  三重大学工学部電気電子工学科

• 永田 賢吾

  名城大・理工

• 藤元 直樹

  名城大学大学院・理工学研究科・21世紀coeナノファクトリー

• 津田 道信

  名城大学大学院理工学研究科、21世紀COE"ナノファクトリー"

• 飯田 大輔

  名城大学理工学研究科

• 本塩 彰

  名城大学理工学研究科、21世紀COEプログラムナノファクトリー

• 飯田 一喜

  名城大学理工学研究科、21世紀COEプログラムナノファクトリー

• 川島 毅士

  名城大学理工学研究科、21世紀COEプログラムナノファクトリー

• 北野 司

  名城大学理工学研究科、21世紀COEプログラムナノファクトリー

• 岩谷 素顕

  名城大・理工

• 上山 智

  名城大・理工

• 本塩 彰

  名城大学大学院理工学研究科、21世紀coe"ナノファクトリー

• 新田 州吾

  名城大学理工学研究科ハイテクリサーチセンター

• 森田 明理

  名古屋市立大学大学院医学研究科加齢・環境皮膚科学

• 井村 将隆

  名城大学大学院・理工学研究科・21世紀COEナノファクトリー

• 平松 和政

  三重大学大学院工学研究科電気電子工学専攻

• 三島 俊介

  名城大学理工学研究科、21世紀COEプログラムナノファクトリー

• 森 勇介

  大阪大学大学院工学研究科

• 木下 博之

  (株)シクスオン

• 塩見 弘

  (株)シクスオン

• 塩見 弘

  シクスオン

• 酒井 浩光

  名城大学理工学部

• 酒井 浩光

  名城大学理工学部電気電子工学科

• 市川 友紀

  名城大・理工

• 天野 浩

  名城大・理工

• 永松 謙太郎

  名城大学大学院理工学研究科

• 飯田 一喜

  名城大学大学院・理工学研究科,名城大学大学院・理工学研究科・21世紀COEナノファクトリー

• 森田 明理

  春秋会城山病院 皮膚科

• 森田 明理

  名古屋市立大学医学部皮膚科学教室

• 三島 俊介

  名城大学大学院・理工学研究科 名城大学大学院・理工学研究科・21世紀coeナノファクトリー

• 平松 和政

  名古屋大学工学部電子工学科

• 平松 和政

  三重大 工

• 佐野 智昭

  名城大学理工学研究科ハイテクリサーチセンター

• 曽田 茂稔

  名城大学理工学部

• 赤崎 勇

  名大・工

• 赤崎 勇

  名古屋大学工学部

• 稲田 シュンコ

  名城大学理工学研究科電気電子・情報・材料工学専攻

• 仲野 靖孝

  名城大学大学院・理工学研究科・21世紀COEナノファクトリー

• 高木 俊

  イビデン株式会社

• 野呂 匡志

  イビデン株式会社セラミック事業本部機能部材事業部技術グルーブ

• 平松 和政

  名大・工

• 成田 剛

  名城大学大学院・理工学研究科

• 沖 允人

  足利工業大学

• 吉村 政志

  大阪大学大学院工学研究科

• 沖 允人

  足利工業大学:足利工業大学総合研究センター

• 佐々木 孝友

  大阪大学大学院 工学研究科

• 川村 史朗

  阪大院工

• 森下 昌紀

  阪大院・工

• 森下 昌紀

  大阪大学大学院工学研究科電気工学専攻

• 竹田 健一郎

  名城大学大学院理工学研究科

• 古川 寛子

  名城大学大学院理工学研究科、21世紀COE"ナノファクトリー"

• 岡留 由真

  名城大学大学院理工学研究科、21世紀COE"ナノファクトリー"

• 土屋 陽祐

  名城大学大学院理工学研究科、21世紀COE"ナノファクトリー"

• 吉村 政志

  大阪大学大学院 工学研究科

• 土屋 陽祐

  名城大学大学院・理工学研究科・21世紀coeナノファクトリー

• 岩橋 友也

  大阪大学大学院工学研究科

• 米澤 彰賢

  名城大学

• 菅 博文

  浜松ホトニクス

• 永田 賢昌

  名城大学理工学研究科

• 松原 哲也

  名城大学理工学研究科

• 浅井 利浩

  名城大学理工学研究科、21世紀COEプログラムナノファクトリー

• 若山 雅文

  システム技研株式会社

• 竹田 美和

  名古屋大学工学研究科結晶材料工学専攻

• 桑原 正和

  浜松ホトニクス株式会社

• 木下 博之

  シクスオン

• 仲野 清孝

  名城大学理工学研究科、21世紀COEプログラムナノファクトリー

• 木下 博之

  (株)シタスオン

• 塩見 弘

  (株)シタスオン

• 杉山 貴之

  名城大学理工学研究科

• 竹田 美和

  名古屋大学

• 赤崎 勇

  名城大理工

• 菅 博文

  浜松ホトニクス(株)中央研究所

• 菅 博文

  浜松ホトニクス(株)

• 菅 博文

  浜松ホトニクス株式会社中央研究所

• 小木曽 裕二

  名城大・理工

• 吉田 治正

  浜松ホトニクス(株)

• 山下 陽滋

  浜松ホトニクス(株)

• 伊藤 健治

  名古屋大学工学部

• 森 俊晶

  名城大学大学院理工学研究科

• 浅井 俊晶

  名城大学大学院理工学研究科

• 沢木 宣彦

  名大・工学部

• 田中 成泰

  名古屋大学大学院工学研究科電子工学専攻

• 永田 賢吾

  名城大学大学院理工学研究科

• 市川 友紀

  名城大学大学院理工学研究科

• 根賀 亮平

  名城大学大学院理工学研究科材料機能工学専攻

• 水野 克俊

  名城大学大学院理工学研究科材料機能工学専攻

• 春日井 秀紀

  名城大学大学院・理工学研究科,名城大学大学院・理工学研究科・21世紀COEナノファクトリー

• 三島 俊介

  名城大学大学院・理工学研究科,名城大学大学院・理工学研究科・21世紀COEナノファクトリー

• 三宅 泰人

  名城大学大学院・理工学研究科,名城大学大学院・理工学研究科・21世紀COEナノファクトリー

• 渡邉 浩崇

  名城大・理工・21世紀COE「ナノファクトリー」

• 飯田 一喜

  名城大・理工・21世紀COE「ナノファクトリー」

• 永松 謙太郎

  名城大・理工・21世紀COE「ナノファクトリー」

• 住井 隆文

  名城大・理工・21世紀COE「ナノファクトリー」

• 永井 哲也

  名城大・理工・21世紀COE「ナノファクトリー」

• 坂東 章

  昭和電工(株)

• 前田 晃

  名古屋市立大学大学院医学研究科加齢・環境皮膚科学

• 小林 達郎

  沖センサデバイス:機構デバイス研究専門委員会

• 広瀬 貴利

  名城大学大学院・理工学研究科

• バラクリシュナン クリシュナン

  名城大学大学院・理工学研究科

• 吉田 治正

  浜松ホトニクス株式会社

• 森 勇介

  阪大・院工

• 北岡 康夫

  大阪大学大学院工学研究科

• 渡邊 幹夫

  名城大学理工学部

• 谷口 正成

  東北文化学園大 科学技術

• 赤崎 勇

  名大工

• 本田 善央

  名古屋大学

• 今出 完

  阪大院工

• 川村 史朗

  大阪大学大学院工学研究科

• 山口 雅史

  名古屋大学工学研究科電子情報システム専攻

• 小出 典克

  名古屋大学工学研究科

• 小出 康夫

  名古屋大学工学部電子工学科

• 小出 康夫

  独立行政法人物質・材料研究機構物質研究所

• 森田 明理

  愛知県厚生農業協同組合連合会知多厚生病院 皮膚科

• 伊藤 茂稔

  名古屋大学工学部電子工学科

• 北岡 康夫

  大阪大学大学院 工学研究科

• 天野 浩

  名大・工

• 小林 桂子

  名古屋市立大学大学院医学研究科加齢・環境皮膚科学教室

• 田渕 雅夫

  名古屋大学工学部材料機能工学科

• 平松 和政

  名大工

• 沢木 宣彦

  名大工

• 沢木 宣彦

  名古屋大学工学部電子工学科

• 伊藤 健治

  名大・工

• 赤崎 勇

  松下技研

• 米澤 彰賢

  名城大学理工学部

• 森 勇介

  大阪大 工

• 小林 正和

  名城大学理工学部

• 三宅 秀人

  三重大学大学院工学研究科

• 高橋 吾郎

  名城大学理工学部

• 榊 裕之

  東京大学生産技術研究所

• 榊 裕之

  東大先端研

• 榊 裕之

  東大先端研:新技術事業団

• 榊 裕之

  東京大学先端科学技術研究センター

• 榊 裕之

  (社)応用物理学会

• 井澤 史郎

  名城大学理工学部

• 天野 浩

  名大工

• 西永 頌

  東京大学工学系研究科

• 澤木 宣彦

  名古屋大学大学院工学研究科

• 佐川 みすず

  (株)日立製作所中央研究所

• 竹田 美和

  名古屋大学大学院工学研究科

• 竹田 美和

  名古屋大学小型シンクロトロン光研究センター

• 沖 憲典

  九州大学大学院総合理工学研究科院

• 中村 哲也

  名城大学・理工学研究科

• 稲森 正彦

  名城大学理工学部電気電子工学科

• 久留 勇

  東芝総研

• 田中 成泰

  名大・工

• 近藤 直範

  名城大学理工学部電気電子工学科

• 上田 誠

  名城大学理工学部

• 宮崎 敦嗣

  名城大学大学院・理工学研究科

• 岩谷 素顕

  名城大学理工学部

• 澤木 宜彦

  名大・工

• 桑野 範之

  九州大学大学院総理工学研究科

• 白石 忠義

  九州大学大学院総理工学研究科

• 伊藤 茂稔

  名大・工

• 熊川 征司

  静岡大学 電子研

• 小出 康夫

  名大・工

• 小出 典克

  名大工

• 田中 成康

  名大・工

• 土生 喜雄

  名大・工

• 皆川 重量

  日立・中研

• 久留 勇

  東芝・総研

• 熊川 征司

  静岡大・電子研

• 竹内 哲也

  名大・工

• Wetzel Christian

  High Tech Research Center Meijo University:(present Address)uniroyal Optoelectronics

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著作論文

• LEDによるJurkat細胞への紫外線照射特性
• UVA1-LED光線療法の照射装置開発(有機材料,一般)
• GaInNの加圧MOVPEにおける熱力学解析(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• 紫外LEDを用いた次世代光線治療器の開発および特性評価 (有機エレクトロニクス)
• 顕微ラマン分光法によるNITRIDE-LEDの微細領域での温度分布解析(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
• 溝加工したAlN上AlGaNの転位解析(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• Moth eye発光ダイオード(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
• 様々な面の4H-SiC上へのGaN結晶成長(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
• UVレーザダイオードの動作電圧の低減(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• 青色発光デバイスはいかに創られたか
• ホログラフィによる熱ストレスを受けたプリント配線板用コネクタの熱変形パターン計測
• 熱ストレスを受けたプリント配線板用コネクタの接触抵抗とホログラフィによる熱変形計測
• 青色発光ダイオードを求めて
• p型GaNゲートを有するノーマリーオフ型GaN系HFETの閾値電圧制御および温度特性(センサーデバイス,MEMS,一般)
• III族窒化物半導体ヘテロ接合の構造と光学特性
• 酸素雰囲気中での活性化アニールによる紫外発光素子の高効率化(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• III族窒化物半導体へのp型ドーピングと結晶欠陥(窒化物半導体結晶中の欠陥)
• p型GaNゲート ノーマリーオフ型AlGaN/GaN Junction HFETのオン抵抗と耐圧(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• UVA1-LED光線療法の照射装置開発
• MOVPE法によるR面サファイア上GaNの高速成長(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
• サファイアR面基板上低転位GaNの特性評価(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
• サファイアR面上に作製した紫色LED(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
• Moth eye発光ダイオード(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
• Moth eye発光ダイオード(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
• 様々な面の4H-SiC上へのGaN結晶成長(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
• 様々な面の4H-SiC上へのGaN結晶成長(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
• 酸素雰囲気中での活性化アニールによる紫外発光素子の高効率化(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• UVレーザダイオードの動作電圧の低減(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• GaInNの加圧MOVPEにおける熱力学解析(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• 酸素雰囲気中での活性化アニールによる紫外発光素子の高効率化(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• UVレーザダイオードの動作電圧の低減(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• GaInNの加圧MOVPEにおける熱力学解析(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• p型GaNゲート ノーマリーオフ型AlGaN/GaN Junction HFETのオン抵抗と耐圧(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 溝加工したAlN上AlGaNの転位解析(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• p型GaNゲート ノーマリーオフ型AlGaN/GaN Junction HFETのオン抵抗と耐圧(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 溝加工したAlN上AlGaNの転位解析(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 様々な基板上への紫外発光素子の作製と評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• サファイア基板上のGaNのヘテロエピタキシー機構(ヘテロエピタキシー機構)
• TEMによるGaN薄膜の評価 : 薄膜
• 様々な基板上への紫外発光素子の作製と評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• 様々な基板上への紫外発光素子の作製と評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• サファイア溝基板上AlNのELO(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
• サファイア溝基板上AlNのELO(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
• 顕微ラマン分光法によるNITRIDE-LEDの微細領域での温度分布解析(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
• サファイア溝基板上AlNのELO(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
• 顕微ラマン分光法によるNITRIDE-LEDの微細領域での温度分布解析(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
• サファイアR面上に作製した紫色LED(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
• サファイアR面上に作製した紫色LED(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
• MOVPE法によるR面サファイア上GaNの高速成長(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
• サファイアR面基板上低転位GaNの特性評価(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
• AlNバッファ層を用いたGaN/α-Al_2O_3のMOVPE : 成長初期過程及びバッファ層の効果 : エピタキシーI
• M0VPEによるAlGaN/α-A1_2O_3ヘテロエピタキシーにおけるA1Nバッファ層の効果
• InGaAsP四元混晶の非混和領域におけるLPE成長過程
• Si基板上のMOVPE成長Al_xGa_N結晶のモルフォロジー
• 気相成長
• MOVPE-GaN上にフラックス法で成長させたGaNの微細構造・光学的特性およびその上にMOVPEで成長させたGaNの微細構造・光学的特性(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• 気相成長法によるGaN厚膜単結晶の作製と評価 : エピタキシーI
• 紫外LEDを用いた次世代光線治療器の開発および特性評価(有機材料,一般)
• 高温MOVPE法により作製したELO-AlNの微細構造観察(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
• 高温MOVPE法により作製したELO-AlNの微細構造観察(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
• MOVPE法による厚膜AlN成長(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
• 高温MOVPE法により作製したELO-AlNの微細構造観察
• 高温MOVPE法により作製したELO-AlNの微細構造観察(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
• MOVPE法による厚膜AlN成長(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
• 高温MOVPE法により作製したELO-AlNの微細構造観察
• LEDによる Jurkat 細胞への紫外線照射特性
• 複数個の電磁継電器を実装したプリント配線板の音響ノイズ放射特性
• ストロボホログラフィによる位相分割振動パターン計測
• 衝撃・歪み振動計測へのストロボホログラフィの応用
• 衝撃・歪み振動計測へのストロボホログラフィの応用
• 金属振動板の振動変位分布と音響放射特性の3-D図形表示による比較・検討
• ホログラフィによる金属振動板の振動変位分布とその音響放射特性との相関に関する実験的検討
• ホログラフィによる金属板の振動パターンとその音響特性との相関に関する実験的検討
• 160. ホログラム回折格子(HDGD)の作製とその回折効率に関する実験的検討
• ホログラフィック変位パターン抽出へのパラメトリックスプライン関数の応用
• ホログラム回折格子(HDGD)の3-D図形表示による回折効率の評価について
• ホログラム回折格子の作製とその回折効率に関する基礎的検討
• △形振動板の音響特性と振動パターンとの相関に関する実験的検討
• 昇華法によるさまざまなSiC基板上へのAlN結晶成長(結晶成長・特性評価, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
• 昇華法によるさまざまなSiC基板上へのAlN結晶成長(結晶成長・特性評価, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
• 昇華法によるさまざまなSiC基板上へのAlN結晶成長(結晶成長・特性評価, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
• 周期溝段差基板を用いたGaN系窒化物単結晶基板の作製及び評価 : エピタキシャル成長II
• 量子井戸活性層を用いたIII族窒化物発光素子
• m面SiC基板上に成長したIII族窒化物半導体薄膜の微細構造観察(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• m面SiC基板上に成長したIII族窒化物半導体薄膜の微細構造観察(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si, SiGe,その他の電子材料))
• m面SiC基板上に成長したIII族窒化物半導体薄膜の微細構造観察(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si, SiGe,その他の電子材料))
• ナイトライド系発光素子の現状と今後の展望(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
• [招待講演]ナイトライド系発光素子の現状と今後の展望(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
• 分光エリプソメトリーによるIII族窒化物半導体の屈折率の波長分散の評価
• 埋め込みAlGaN横方向成長の組成不均一(III族窒化物研究の最前線)
• 電子デバイス用材料としてのIII族窒化物半導体
• 電子デバイス用材料としてのIII族窒化物半導体
• Al_x,Ga_N/GaN多層構造の作製と評価 : エピタキシーI
• III族窒化物半導体ヘテロ接合の構造と光学特性
• 窒化物半導体の結晶成長と界面制御
• UHF帯アンテナ近傍の電力測定の一例
• IOCG Laudise prizeを受賞して
• Dr.Laudiseの逝去を悼む
• 西岡一水先生を偲ぶ
• 窒化物半導体と結晶成長
• 広帯域電磁波スペクトル観測調査測定
• ディジタル画像計測による摺動コンタクト表面の連続損傷計測
• ディジタル画像計測による摺動コンタクト表面の連続損傷計測
• ディジタル画像計測システムによる摺動コンタクト表面の連続損傷幅計測
• 金属Ga及びNH_3を用いたGaNの成長
• MOVPE法による各種基板上へのInN膜の成長及び評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• MOVPE-GaN上にフラックス法で成長させたGaNの微細構造・光学的特性およびその上にMOVPEで成長させたGaNの微細構造・光学的特性(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• MOVPE法による各種基板上へのInN膜の成長及び評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• MOVPE-GaN 上にフラックス法で成長させた GaN の微細構造・光学的特性および
• MOVPE-GaN 上にフラックス法で成長させた GaN の微細構造・光学的特性および
• AlGaN系紫外発光素子における転位密度と発光効率(紫外発光材料の現状と将来)
• 高効率紫外発光素子のためのAlGaN系ヘテロエピタキシャル成長技術 : 紫外線発光の現状と将来シンポジウム
• 紫外LEDの発光特性評価(III族窒化物研究の最前線)
• X線CTR散乱法およびX線反射率測定で見たサファイア基板上の窒化物成長過程
• 三元混晶GaInNの結晶学的及び光学的評価
• 三元混晶GaInNの結晶学的及び光学的評価
• サファイア上GaNの成長過程と結晶学的特性およびGaN上AlGaN, GaInINの結晶学的特性 (ワイドギャップ半導体とそのデバイス応用論文小特集)
• GaNの誘導放出機構と混晶効果
• III族窒化物半導体結晶成長における低温堆積緩衝層の構造とその効果 : エピタキシャル成長II
• サファイア基坂上III族窒化物半導体成長における低温堆積層
• サファイア基板上III族窒化物半導体成長における低温堆積層の効果と機構
• GaN/α-Al_2O_3の気相エピタキシーにおける応力緩和機構 : 気相成長II
• LPEE成長InGaPの成長初期の組成変動 : エピタキシーII
• InGaPの (111)A GaAs基板上への液相成長におけるAl添加効果 : 溶液成長III
• MOVPE法によるサファイヤ基板上へのGaN結晶成長におけるバッファ層の効果
• 有住徹彌名大名誉教授を悼む
• InGaAsP/GaAs・LPE成長の界面不安定性現象と解析 : ステップ運動
• セッション印象記 : LPE of III-V compounds : 第4回気相成長およびエピタキシー国際会議ならびにスペシャリスト・スクール
• III族窒化物半導体のヘテロエピタキシー
• 44. 照明機器用摺動コンタクトの接触抵抗連続測定
• 投影画像処理法(SIPT)による摺動コンタクト表面の連続損傷解析について
• 論理演算処理法による光ファイバのスペックルノイズのパターン抽出に関する実験的検討
• 輝度変換処理による光ファイバのスペックルノイズパターン計測
• 電流通電時の摺動コンタクトの接触抵抗とその材質との相関に関する実験的検討
• 投影処理法による摺動コンタクト表面の損傷解析について
• MBE法によるGaInN系多層構造の作製
• 実装部品の衝撃、振動を伴うプリント配線板の音響ノイズと振動パターンの測定
• 窒化ガリウム系III族窒化物半導体のヘテロエピタキシー(格子不整合系のヘテロエピタキシー)
• 夢の青色発光デバイスの実現を語る : 私のナイトライド研究
• 私の結晶成長(30年)(日本給晶成長学会創立20周年記念特集)
• ELF以下の電磁波スペクトル分布の測定
• GaInNチャンネルHFETのAlInNバリア層の検討(FET,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• GaN系HFETsの電流コラプスの測定 : 非極性a面GaN基板上HFET及びc-GaN基板上p-GaNゲートを用いたノーマリーオフ型JHFET(FET,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 窒化物太陽電池の電極構造検討(太陽電池,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 非極性面を用いた窒化物太陽電池の作製(太陽電池,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• AlGaN量子井戸構造の内部量子効率(発光デバイス,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 反射電極を用いた紫外発光素子の光取り出し効率改善(発光デバイス,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 窒化物半導体トンネル接合の作製(輸送特性,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• III族窒化物半導体トンネル接合を用いた電流経路制御の検討(輸送特性,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• AlNテンプレートを用いた高品質AlN/GaN多層膜反射鏡の作製(MOVPE,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• X線その場観察装置を用いたMOVPE結晶成長(MOVPE,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• β-Ga_2O_3(100)基板上GaN及びAlGaNの成長(MOVPE,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• GaInNチャンネルHFETのAlInNバリア層の検討(FET,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• GaN系HFETsの電流コラプスの測定 : 非極性a面GaN基板上HFET及びc-GaN基板上p-GaNゲートを用いたノーマリーオフ型JHFET(FET,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 窒化物太陽電池の電極構造検討(太陽電池,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 非極性面を用いた窒化物太陽電池の作製(太陽電池,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 反射電極を用いた紫外発光素子の光取り出し効率改善(発光デバイス,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 窒化物半導体トンネル接合の作製(輸送特性,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• GaInNチャンネルHFETのAlInNバリア層の検討(FET,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 窒化物太陽電池の電極構造検討(太陽電池,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 非極性面を用いた窒化物太陽電池の作製(太陽電池,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 反射電極を用いた紫外発光素子の光取り出し効率改善(発光デバイス,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 窒化物半導体トンネル接合の作製(輸送特性,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• ホログラム回析格子とその昼光導入制御への応用に関する基礎的検討
• その場観察X線回折測定を用いた窒化物半導体の有機金属化合物気相成長(次世代素子のための窒化物結晶成長新機軸)
• 摺動コンタクトの連続画像計測と接触抵抗との相関に関する実験的検討
• 振動を伴うプリント配線板の音響ノイズ放射特性と実装コンタクトへの影響について
• 窒化物太陽電池の電極構造検討
• GaInNチャンネルHFETのAlInNバリア層の検討
• ELO-AlN上AlGaNの微細構造観察(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
• ELO-AlN上AlGaNの微細構造観察(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
• ELO-AlN上AlGaNの微細構造観察(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
• 窒化物半導体太陽電池の集光特性(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
• 窒化物半導体太陽電池の集光特性(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
• 窒化物半導体太陽電池の集光特性(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
• 紫外LEDを用いた次世代光線治療器の開発および特性評価
• 窒化物半導体太陽電池の集光特性
• 窒化物半導体太陽電池の集光特性
• 窒化物半導体太陽電池の集光特性
• n-GaN表面層を有する構造内p-GaNのMgアクセプタ活性化(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)
• n-GaN表面層を有する構造内p-GaNのMgアクセプタ活性化(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)
• n-GaN表面層を有する構造内p-GaNのMgアクセプタ活性化(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)
• ドループ改善に向けた窒化物半導体np構造LEDの作製(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)
• サファイア基板上へのモスアイ構造の形成方法の検討およびLEDへの応用(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)
• サファイア基板上へのモスアイ構造の形成方法の検討およびLEDへの応用(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)
• サファイア基板上へのモスアイ構造の形成方法の検討およびLEDへの応用(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)
• ドループ改善に向けた窒化物半導体np構造LEDの作製(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)
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