田渕 雅夫 | 名古屋大学工学部材料機能工学科

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概要

• 同名の論文著者
• 名古屋大学工学部材料機能工学科の論文著者

関連著者

• 田渕 雅夫

  名古屋大学工学部材料機能工学科

• 田淵 雅夫

  名大工

• 竹田 美和

  名古屋大学

• 田渕 雅夫

  名古屋大学

• 竹田 美和

  名古屋大学工学研究科結晶材料工学専攻

• 田渕 雅夫

  名大vbl:jst Trip

• 小泉 淳

  名大院工

• 小泉 淳

  名古屋大学大学院工学研究科材料機能工学専攻

• 山田 巧

  名古屋大学大学院工学研究科

• 則竹 陽介

  名古屋大学大学院工学研究科

• 山田 巧

  光エレクトロニクス研究所

• 藤原 康文

  名大工

• 大渕 博宣

  名古屋大学工学研究科材料機能工学専攻

• 藤原 康文

  名古屋大学工学部材料教能工学科

• 森 敬洋

  名古屋大学工学研究科結晶材料工学専攻

• 山内 武志

  名古屋大学工学研究科応用物理学専攻

• 小川 和男

  名古屋大学大学院工学研究科

• 井上 大那

  名古屋大学大学院工学研究科材料機能工学専攻

• 槇 英信

  名古屋大学大学院工学研究科

• 中村 新男

  名大院工

• 藤原 康文

  大阪大学大学院工学研究科マテリアル生産科学専攻

• 中村 新男

  名古屋大学大学院工学研究科

• 中村 新男

  名古屋大学 理工科学総合研究センター、工学研究科

• 大賀 涼

  名古屋大学エコトピア科学研究機構ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー

• 槇 英信

  名古屋大学大学院工学研究科材料機能工学専攻

• 大賀 涼

  名古屋大学ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー

• 山川 市朗

  名大院工

• 藤原 康文

  大阪大学 大学院工学研究科 マテリアル生産科学専攻

• 久留 真一

  名古屋大学大学院工学研究科材料機能工学専攻

• 人見 伸也

  名古屋大学大学院工学研究科

• 山川 市朗

  名古屋大学大学院工学研究科

• 人見 伸也

  名古屋大学工学研究科応用物理学専攻

• 松原 直輝

  名古屋大学工学部材料教能工学科

• 大西 宏幸

  名大院工

• 吉兼 豪勇

  名古屋大学大学院工学研究科材料機能工学専攻

• 山田 寛之

  名古屋大学大学院工学研究科材料機能工学専攻

• 井上 優樹

  名古屋大学大学院工学研究科材料機能工学専攻

• 藤田 敬次

  名古屋大学工学部材料機能工学科

• 一木 悟史

  名古屋大学工学部材料機能工学科

• 山内 武志

  JST-CREST

• 大西 宏幸

  名古屋大学大学院工学研究科

• 鷹羽 一輝

  名古屋大学大学院工学研究科

• 久野 尚志

  名古屋大学大学院工学研究科

• 平田 智也

  名古屋大学大学院工学研究科

• 島田 里美

  名古屋大学大学院工学研究科

• 園山 貴広

  名古屋大学大学院工学研究科材料機能工学専攻

• 松原 直輝

  名古屋大学工学部材料機能工学科

• 藤田 敬次

  名古屋大学大学院工学研究科材料機能工学専攻

• 一木 悟史

  名古屋大学大学院工学研究科材料機能工学専攻

• 吉兼 豪勇

  名古屋大学大学院工学研究科

• 松本 信弘

  名古屋大学工学研究科材料機能工学専攻

• 天野 浩

  名城大学理工学研究科

• 赤崎 勇

  名城大学理工学研究科

• 赤崎 勇

  名城大・理工

• 山田 直樹

  福井大学工学研究科電気・電子工学専攻

• 山田 直樹

  名古屋大学工学部材料機能工学科

• 隈元 隆行

  名古屋大学工学部材料機能工学科

• 河村 大輔

  名古屋大学工学部材料機能工学科

• 大山 泰明

  名大理工総研

• 大山 泰明

  名古屋大学工学研究科

• 松葉 康

  名古屋大学工学研究科

• 荒木 宗貴

  名古屋大学大学院工学研究科

• 濱松 宏武

  名古屋大学工学研究科材料機能工学専攻

• 高橋 功

  関西学院大学理学部

• 松井 正顯

  名古屋大学工学部

• 竹田 美和

  名古屋大学シンクロトロン光研究センター

• 竹内 哲也

  名城大学理工学部

• 赤崎 勇

  名城大学理工学研究科電気電子・情報・材料工学専攻

• 竹内 哲也

  名城大学理工学部電気電子工学科

• 原田 仁平

  理学電機(株)x線研究所

• 土屋 忠厳

  日立電線

• 松井 正顯

  名古屋大学大学院工学研究科

• 藤林 桂

  名古屋大学工学部材料機能工学科

• 高橋 功

  名古屋大学工学部応用物理学科

• 原田 仁平

  電気通信大学自然科学系

• 田渕 雅夫

  名大

• 槙 英信

  名古屋大学大学院工学研究科材料機能工学専攻

• 安達 俊彰

  名古屋大学工学研究科結晶材料工学専攻

• 山内 武志

  科学技術振興事業団CREST

• 中村 新男

  科学技術振興事業団CREST

• 山内 武志

  科学技術新興事業団CREST

• 中村 新男

  科学技術新興事業団CREST

• 土屋 順次

  名古屋大学工学部材料機能工学科

• 山田 朋広

  名古屋大学工学部材料機能工学科

• 興津 弘道

  名古屋大学大学院工学研究科

• 浅岡 孝俊

  名古屋大学工学研究科

• 植田 善之

  名古屋大学工学研究科

• 土屋 忠厳

  日立電線ARC

• 坂口 春典

  日立電線ARC

• 藤原 康文

  大阪大学工学研究科マテリアル科学専攻

• 伊沢 喜弘

  名古屋大学工学部材料機能工学科

• 早藤 哲典

  名古屋大学工学部材料機能工学科

• 坂口 春典

  日立電線株式会社技術研究所

• 高橋 隆造

  名古屋大学大学院工学研究科材料機能工学専攻

• 松井 正顯

  名古屋大学大学院

• 高橋 功

  名古屋大学・工学部

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著作論文

• X線CTR散乱によるInP/InAsP/InP界面の構造解析
• Er をδドーピングした InP のX線 CTR 散乱法による界面構造解析
• III-V族化合物半導体量子井戸構造におけるIII族組成分布の膜厚および成長温度依存性のX線CTR散乱法による解析(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• III-V族化合物半導体量子井戸構造におけるIII族組成分布の膜厚および成長温度依存性のX線CTR散乱法による解析(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• III-V族化合物半導体量子井戸構造におけるIII族組成分布の膜厚および成長温度依存性のX線CTR散乱法による解析(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• 減圧OMVPE法によるErP/GaInP/GaAsヘテロ構造の作製と評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• 減圧OMVPE法によるErP/GaInP/GaAsヘテロ構造の作製と評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• 減圧OMVPE法によるErP/GaInP/GaAsヘテロ構造の作製と評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• InP/GaInAs/InPおよびGaAs/GaInP/GaAsヘテロ界面の原子レベル構造と成長条件依存性(電子部品・材料, 及び一般)
• 低温分子線エピタキシャル法によるEr添加GaAs/AlGaAs DH構造の作製と発光ダイオードに関する研究(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• 低温分子線エピタキシャル法によるEr添加GaAs/AlGaAs DH構造の作製と発光ダイオードに関する研究(結晶成長評価およびデバイス(化合物, Si, SiGe, その他の電子材料))
• 低温分子線エピタキシャル法によるEr添加GaAs/AlGaAs DH構造の作製と発光ダイオードに関する研究(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• 非晶質Asマスクを用いたInの部分拡散によるGaInAs/GaAs構造の選択形成(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• 非晶質Asマスクを用いたInの部分拡散によるGaInAs/GaAs構造の選択形成(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si, SiGe,その他の電子材料))
• 非晶質Asマスクを用いたInの部分拡散によるGaInAs/GaAs構造の選択形成(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si, SiGe,その他の電子材料))
• 非晶質Asマスクを用いたInの部分拡散によるGaInAs/GaAs構造の選択形成
• 非晶質Asマスクを用いたInの部分拡散によるGaInAs/GaAs構造の選択形成
• 非晶質Asマスクを用いた3次元ヘテロ構造形成プロセスに関する研究(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
• 非晶質Asマスクを用いた3次元ヘテロ構造形成プロセスに関する研究(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
• 非晶質Asマスクを用いた3次元ヘテロ構造形成プロセスに関する研究
• 非晶質Asマスクを用いた3次元ヘテロ構造形成プロセスに関する研究(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
• X線CTR散乱法と断面STMによるヘテロ界面形成過程の考察 : OMVPE法によるInP/InGaAs/InPの形成(電子部品・材料,及び一般)
• MBE法による低温成長GaAsへのEr添加と光学的特性(III族窒化物研究の最前線)
• MBE法による低温成長GaAsへのEr添加と光学的特性(III族窒化物研究の最前線)
• MBE法による低温成長GaAsへのEr添加と光学的特性(III族窒化物研究の最前線)
• 1原子挿入層によるヘテロ界面と結晶性の制御(電子部品・材料, 及び一般)
• 走査トンネル分光で見たGaAs(001)面上InAs, InGaAs量子ドットの量子サイズ効果と合金化
• 走査トンネル分光で見たGaAs(001)面上InAs, InGaAs量子ドットの量子サイズ効果と合金化
• MBE法による低温成長AlGaAsへのEr添加と発光特性評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• MBE法による低温成長AlGaAsへのEr添加と発光特性評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• MBE法による低温成長AlGaAsへのEr添加と発光特性評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• OMVPE法によりInP中に添加したEr原子周辺の局所構造 : 蛍光EXAFS法による解析
• 蛍光 EXAFS 法による InP 中に均一ドープした Er 原子周囲の局所構造解析
• X線CTR散乱法およびX線反射率測定で見たサファイア基板上の窒化物成長過程
• III族窒化物半導体結晶成長における低温堆積緩衝層の構造とその効果 : エピタキシャル成長II
• X線CTR散乱と干渉によるヘテロ界面構造の評価
• X線CTR散乱と干渉によるヘテロ界面構造の評価
• 成長中断時の条件変化がInGaP/GaAs界面構造に及ぼす影響のX線CTR散乱法による解析 : エピタキシャル成長III
• ヘテロ層厚の異なるInP/InGaAs/InP構造中の組成分布のX線CTR散乱法による評価
• ヘテロ層厚の異なるInP/InGaAs/InP構造中の組成分布のX線CTR散乱法による評価
• 希土類元素発光中心の形成と光デバイスへの展開 : 結晶成長による原子配置の制御とデバイス作製
• XAFS測定の半導体への応用
• Fe/Cu多層構造中のFe原子周辺局所構造の蛍光EXAFS法による解析
• ヘテロエピタキシャル成長とヘテロ構造 : でき上がった構造をナノスケール非破壊で見る
• III-V族化合物半導体ヘテロ界面におけるIII族原子分布のX線CTR散乱法による解析 : エピタキシャル成長III
• 実験室系のX線回折装置を使用したX線CTR測定による半導体ヘテロ構造界面評価
• X線によるIII族窒化物半導体および低温緩衝層の構造評価 : バルク成長シンポジウム

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