InP/GaInAs/InPおよびGaAs/GaInP/GaAsヘテロ界面の原子レベル構造と成長条件依存性(電子部品・材料, 及び一般)
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概要
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X線CTR(crystal truncation rod)散乱法により、半導体ヘテロ界面の原子レベル構造とその成長条件依存性を明らかにした(成長法そのものを含む)。予想に反して、原子がヘテロ界面で必ずしも急峻に切り替わらず、様々な成長条件がその原因であることを明らかにした。InP/GaInAs/InPでの解析結果を踏まえて、GaAs/GaInP/GaAsにおける深い準位からの強い発光の起源が、GaAs中へのIn原子の分布であることを見出した。界面をより低温で成長することにより、この発光を抑えることができた。数原子層の成長制御が重要な量子構造やヘテロ界面の構造解析にX線CTR散乱法が極めて強力な手法であることを示した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2003-07-25
著者
-
藤原 康文
大阪大学大学院工学研究科マテリアル生産科学専攻
-
竹田 美和
名古屋大学工学研究科結晶材料工学専攻
-
藤原 康文
名大工
-
藤原 康文
名古屋大学工学部材料教能工学科
-
竹田 美和
名古屋大学
-
小泉 淳
名大院工
-
藤原 康文
大阪大学 大学院工学研究科 マテリアル生産科学専攻
-
小泉 淳
名古屋大学大学院工学研究科材料機能工学専攻
-
田渕 雅夫
名古屋大学工学部材料機能工学科
-
田渕 雅夫
名大vbl:jst Trip
-
田淵 雅夫
名大工
-
久留 真一
名古屋大学大学院工学研究科材料機能工学専攻
-
大賀 涼
名古屋大学エコトピア科学研究機構ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー
-
大賀 涼
名古屋大学ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー
-
田渕 雅夫
名古屋大学
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