小泉 淳 | 名大院工
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概要
関連著者
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小泉 淳
名大院工
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竹田 美和
名古屋大学工学研究科結晶材料工学専攻
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竹田 美和
名古屋大学
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小泉 淳
名古屋大学大学院工学研究科材料機能工学専攻
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藤原 康文
大阪大学大学院工学研究科マテリアル生産科学専攻
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藤原 康文
名大工
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藤原 康文
名古屋大学工学部材料教能工学科
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吉兼 豪勇
名古屋大学大学院工学研究科
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竹田 美和
名大院工
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吉兼 豪勇
名古屋大学大学院工学研究科材料機能工学専攻
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田渕 雅夫
名古屋大学工学部材料機能工学科
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田渕 雅夫
名大vbl:jst Trip
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田淵 雅夫
名大工
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田渕 雅夫
名古屋大学
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藤原 康文
大阪大学 大学院工学研究科 マテリアル生産科学専攻
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井上 堅太郎
名古屋大学大学院工学研究科
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井上 堅太郎
名古屋大学大学院工学研究科材料機能工学専攻
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中村 新男
名大院工
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太田 仁
神戸大VBL
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大西 宏幸
名大院工
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神戸大自然
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名大院工
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山川 市朗
名大院工
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浦上 昇
名古屋大学大学院工学研究科材料機能工学専攻
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山内 武志
名古屋大学工学研究科応用物理学専攻
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国本 崇
神戸大vbl
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久留 真一
名古屋大学大学院工学研究科材料機能工学専攻
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大賀 涼
名古屋大学エコトピア科学研究機構ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー
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山内 武志
JST-CREST
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大賀 涼
名古屋大学ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー
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人見 伸也
名古屋大学工学研究科応用物理学専攻
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大久保 晋
神戸大分子フォト
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吉田 誠
東大物性研
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吉田 誠
神戸大VBL
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中村 新男
名古屋大学大学院工学研究科
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大渕 博宣
名古屋大学工学研究科材料機能工学専攻
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小川 和男
名古屋大学大学院工学研究科
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山田 寛之
名古屋大学大学院工学研究科材料機能工学専攻
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森 敬洋
名古屋大学工学研究科結晶材料工学専攻
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中村 新男
名古屋大学 理工科学総合研究センター、工学研究科
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大西 宏幸
名古屋大学大学院工学研究科
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鷹羽 一輝
名古屋大学大学院工学研究科
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久野 尚志
名古屋大学大学院工学研究科
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平田 智也
名古屋大学大学院工学研究科
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島田 里美
名古屋大学大学院工学研究科
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人見 伸也
名古屋大学大学院工学研究科
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山川 市朗
名古屋大学大学院工学研究科
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井上 大那
名古屋大学大学院工学研究科材料機能工学専攻
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槇 英信
名古屋大学大学院工学研究科材料機能工学専攻
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小山 良平
神戸大自然
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槇 英信
名古屋大学大学院工学研究科
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大久保 晋
神戸大分子フォトセ
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大久保 晋
神戸大VBL
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藤原 康文
阪大院工
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小泉 淳
名大VBL
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浦上 晃
名古屋大学大学院工学研究科材料機能工学
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浦上 昇
名古屋大学大学院工学研究科
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太田 仁
神戸大学分子フォトサイエンス研究センター
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加藤 政彦
名大院工
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中田 博保
大阪教育大学教養学科
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大山 忠司
大阪大学大学院 理学研究科
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伊藤 貴文
名大院工
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大山 忠司
福井工大
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國本 崇
徳島文理大工
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松波 紀明
名大エコトピア研
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竹田 美和
名古屋大学シンクロトロン光研究センター
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福岡 修
名大エコトピア研
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Shinde N.
名大エコトピア
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シンディ ニナド
名大エコトピア
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人見 伸也
名大院工
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吉兼 豪勇
GalnP
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小泉 淳
GaAs
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藤原 康文
GalnPレーザの闇値電流密度のヘテロ界面成長シーケンス依存性
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浦上 晃
GalnP
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井上 堅太郎
GaAs
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竹田 美和
GalnPレーザの闇値電流密度のヘテロ界面成長シーケンス依存性
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吉川 順子
神戸大自然
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中田 博保
大阪大学大学院理学研究科物理学専攻
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丸井 俊治
大阪大学大学院理学研究科物理学専攻
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松波 紀明
名大エコトピア
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小泉 淳
GalnP/GaAs/GalnPレーザの闇値電流密度のヘテロ界面成長シーケンス依存性
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井上 堅太郎
GalnP/GaAs/GalnPレーザの闇値電流密度のヘテロ界面成長シーケンス依存性
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太田 仁
神戸大VBL:神戸大分子フォトセ
-
太田 仁
神戸大分子フォト
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平加 憲作
神戸大自然:神戸大VBL
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小山 良平
神戸大自然:神戸大VBL
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国本 崇
神戸大自然
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井上 堅太郎
名大院工
-
吉川 順子
神戸大自然:神戸大VBL
著作論文
- 13pTG-6 MOVPE 成長で作製した ErP/InP 中の残留不純物分析と電気特性(放射線物理 : イオンビーム・放射線検出器, 領域 1)
- 26aXL-6 GaInP(001)面上ErP超薄膜の磁気伝導特性と反強磁性的振る舞い(26aXL 半導体スピン物性(実験),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 減圧OMVPE法により作製したEr,O共添加GaAs/GaInPの電流注入発光特性(III族窒化物研究の最前線)
- 31pYH-15 X-band ESR による GaAs : Er, O の発光中心の解明
- 14aYC-1 希釈磁性半導体 GaAs : Er, O 及び Zn 共添加 GaAs : Er, O, Zn の X-band ESR 測定(磁性半導体, 領域 4)
- III-V族化合物半導体量子井戸構造におけるIII族組成分布の膜厚および成長温度依存性のX線CTR散乱法による解析(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- III-V族化合物半導体量子井戸構造におけるIII族組成分布の膜厚および成長温度依存性のX線CTR散乱法による解析(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- III-V族化合物半導体量子井戸構造におけるIII族組成分布の膜厚および成長温度依存性のX線CTR散乱法による解析(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- 12pPSA-7 半金属量子井戸 ErP/GaInP/GaAs 共鳴トンネルダイオードの負性微分抵抗(領域 4)
- 減圧OMVPE法によるErP/GaInP/GaAsヘテロ構造の作製と評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- 減圧OMVPE法によるErP/GaInP/GaAsヘテロ構造の作製と評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- 減圧OMVPE法によるErP/GaInP/GaAsヘテロ構造の作製と評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- 27pYA-12 X-band ESRによるGaAs:Er,Oの発光中心の解明III(磁性半導体)(領域4)
- 希土類添加III-V族半導体による電流注入型発光デバイス
- 21pTH-8 X-band ESR による GaAs : Er, O の発光中心の解明 II
- InP/GaInAs/InPおよびGaAs/GaInP/GaAsヘテロ界面の原子レベル構造と成長条件依存性(電子部品・材料, 及び一般)
- 低温分子線エピタキシャル法によるEr添加GaAs/AlGaAs DH構造の作製と発光ダイオードに関する研究(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- GaInP/GaAs/GaInPレーザの閾値電流密度のヘテロ界面成長シーケンス依存性(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- 低温分子線エピタキシャル法によるEr添加GaAs/AlGaAs DH構造の作製と発光ダイオードに関する研究(結晶成長評価およびデバイス(化合物, Si, SiGe, その他の電子材料))
- GaInP/GaAs/GaInPレーザの閾値電流密度のヘテロ界面成長シーケンス依存性(結晶成長評価およびデバイス(化合物, Si, SiGe, その他の電子材料))
- 低温分子線エピタキシャル法によるEr添加GaAs/AlGaAs DH構造の作製と発光ダイオードに関する研究(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- GaInP/GaAs/GaInPレーザの閾値電流密度のヘテロ界面成長シーケンス依存性(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- 有機金属気相エピタキシャル法により作製したGaAs基板上GaInP組成のドーピング濃度依存性 : エピキタシャル成長III
- OMVPE法によるEr,O共添加GaAs/GaInPDH構造発光ダイオードの作製とその発光特性 : エピキタシャル成長III
- 減圧OMVPE法により作製したEr,O共添加GaAs/GaInPの電流注入発光特性(III族窒化物研究の最前線)
- 減圧OMVPE法により作製したEr,O共添加GaAs/GaInPの電流注入発光特性(III族窒化物研究の最前線)
- 28pYF-3 InGaP/GaAs ヘテロ接合における赤外発光
- 6pSL-3 ESRによるZnドープGaAs:Er,Oの電子状態の解析II(不純物・格子欠陥,領域10,領域4合同,領域10)
- 6pSL-4 ESRによるオフセット基板上に成長させたGaAs:Er,Oの電子状態の解析(不純物・格子欠陥,領域10,領域4合同,領域10)
- 25pWE-5 ESRによるZnドーブGaAs:Er,Oの電子状態の解析(25pWE 領域,領域10合同アモルファス,不純物・格子欠陥,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在分野))