OMVPE法によるEr,O共添加GaAs/GaInPDH構造発光ダイオードの作製とその発光特性 : エピキタシャル成長III

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概要

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• We have fabricated Er,O-codoped GaAs/GanP double-heterostructure(DH) light-emitting diodes(LEDs) grown by organometallic vapor phase epitaxy and investigated their optical properties. Under forward bias, the LEDs exhibited radiant Er-related electroluminescence(EL) at around 1.54μm at room temperature. The spectrum was identical to the photoluminescence(PL) spectrum due to an Er-O center. This indicates that the Er-2O center is excited effectively by current injection.

• 日本結晶成長学会の論文
• 2002-07-01

著者

• 藤原 康文

  大阪大学大学院工学研究科マテリアル生産科学専攻

• 竹田 美和

  名古屋大学工学研究科結晶材料工学専攻

• 藤原 康文

  名大工

• 藤原 康文

  名古屋大学工学部材料教能工学科

• 竹田 美和

  名古屋大学

• 小泉 淳

  名大院工

• 小泉 淳

  名古屋大学大学院工学研究科材料機能工学専攻

• 井上 堅太郎

  名古屋大学大学院工学研究科材料機能工学専攻

• 吉兼 豪勇

  名古屋大学大学院工学研究科材料機能工学専攻

• 井上 堅太郎

  名古屋大学大学院工学研究科

• 浦上 昇

  名古屋大学大学院工学研究科材料機能工学専攻

• 浦上 昇

  名古屋大学大学院工学研究科

• 吉兼 豪勇

  名古屋大学大学院工学研究科

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