ＴＥＧａ，ＴＢＡｓを用いた有機金属気相エピタキシャル法による低温ＧａＡｓの作製

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概要

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• GaAs epitaxial layers were grown by organometallic vapor phase epitaxy (OMVPE) using TEGa and TBAs over a wide range of growth temperature (350°C-700°C) and V/III ratio (2-9). GaAs with excellent surface morphology was obtained when the growth temperature was higher than 600°C. The GaAs surface tended to be rough with decreasing growth temperature below 550°C. When the growth temperature was decreased to 400°C, <I>p</I>-type GaAs was obtained with specular surface. The hole concentration increased with decreasing V/III ratio. The hole concentration was as high as 5.5×10<SUP>17</SUP> cm<SUP>–3</SUP> for the sample grown at 400°C with V/III ratio = 2.

• 日本材料学会の論文

著者

• 藤原 康文

  大阪大学大学院工学研究科マテリアル生産科学専攻

• 寺井 慶和

  大阪大学大学院工学研究科

• 江龍 修

  名古屋工業大学

• 日高 圭二

  大阪大学大学院

• 平松 隆

  大阪大学大学院工学研究科マテリアル生産科学専攻

• 江龍 修

  名古屋工業大学大学院工学研究科産業戦略工学専攻

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