鉄シリサイドの結晶成長と電気, 光学特性の改善

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 2004-12-16

著者

• 寺井 慶和

  大阪大学大学院工学研究科マテリアル生産科学専攻

• 寺井 慶和

  大阪大学大学院工学研究科

• 前田 佳均

  京都大学大学院エネルギー科学研究科

関連論文

• 21pTC-2 イオンビーム解析法による低エネルギーC_イオンのスパッタリング効果の評価III(21pTC 融合セッション(原子分子・放射線)原子分子,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
• 20pTC-6 MeVクラスターイオン誘起二次電子収量とクーロン爆発イメージの同時計測(20pTC 放射線物理(2次粒子放出・クラスタービーム),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
• スパッタリング併用有機金属気相エピタキシャル法によるEu添加ZnOの作製とその発光特性
• 有機金属気相エピタキシャル法によるユウロピウム添加窒化ガリウムの成長温度依存性
• Fe_3Si/Ge(111)ヘテロエピタキシャル成長の軸配向性の評価(シリコン関連材料の作製と評価)
• GaNを利用した赤色発光ダイオード--世界初Eu添加GaNによる赤色LED (特集 紫外-可視-赤外 最新半導体光源の可能性)
• Eu添加GaN赤色発光ダイオードの有機金属気相エピタキシャル成長と発光特性
• 27pRA-7 高速炭素クラスターイオン衝突による非晶質炭素薄膜からの二次電子放出(27pRA 放射線物理(クラスター・二次粒子放出),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
• 希土類添加半導体の現状と将来展望
• 共役反転格子フォトニック結晶での導波解析(シリコン関連材料の作製と評価)
• 材料開発は「知力・体力・努力」の結晶
• β-FeSi_2の1.55μm発光増強(半導体Si及び関連材料・評価)
• 環境に優しい光半導体 : β-FeSi_2
• 鉄シリサイド薄膜の発光と光電特性 (特集 シリサイド半導体の最新動向)
• 鉄シリサイドの結晶成長と電気, 光学特性の改善
• 鉄シリサイドの結晶成長と電気,光学特性の改善(シリコン関連材料の作製と評価)
• 強磁性体シリサイド/Geの低温エピタキシャル成長とスピントランジスタ(第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))
• 強磁性体シリサイド/Geの低温エピタキシャル成長とスピントランジスタ(第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))
• FinFET型多値フラッシュメモリの動作解析(半導体Si及び関連材料・評価)
• β-FeSi_2のイオンビーム合成 : アニールによるSi空孔の変化(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
• β-FeSi_2のイオンビーム合成 : アニールによるSi空孔の変化(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
• β-FeSi_2のイオンビーム合成 : アニールによるSi空孔の変化(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
• β-FeSi_2のイオンビーム合成 : アニールによるSi空孔の変化
• 鉄シリサイドの光学応用
• Fe系シリサイドによるフォトニック結晶の作製(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
• Fe系シリサイドによるフォトニック結晶の作製(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
• Fe系シリサイドによるフォトニック結晶の作製(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
• 総論:鉄シリサイド半導体の基礎と応用 (特集 シリサイド半導体の最新動向)
• シリサイド半導体の研究と光エレクトロニクスへの応用(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)
• シリサイド半導体の研究と光エレクトロニクスへの応用(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)
• 25pRA-11 イオンビーム解析法による低エネルギーC_イオンのスパッタリング効果の評価IV(25pRA 放射線物理(固体との相互作用・クラスター),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
• イオンチャネリングによるホイスラー合金Fe_Mn_xSi(111)/Ge(111)ヘテロエピタキシャル界面の軸配向性の評価(シリコン関連材料の作製と評価)
• 21pEB-11 C_イオン照射によるSiスパッタリング収量の非線形効果のエネルギー依存性(21pEB 放射線物理(クラスター・微粒子),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
• OMVPE法により作製したEu添加GaNの発光特性及び赤色発光ダイオードへの応用(次世代素子のための窒化物結晶成長新機軸)
• ＴＥＧａ，ＴＢＡｓを用いた有機金属気相エピタキシャル法による低温ＧａＡｓの作製

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク