Fe系シリサイドによるフォトニック結晶の作製(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)

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概要

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• Fe系シリサイドは半導体,強磁性,金属と様々な物性を示す.この中でβ-FeSi_2は屈折率が高く(n>5.2),高コントラストフォトニック結晶への応用が期待されている.しかしながら,β-FeSi_2はエッチング速度が小さく,対マスク選択比が小さいためフォトニック結晶の作製ができなかった.そこで,本研究では磁気中性線プラズマによる低圧エッチングを用いてエッチング特性(速度,異方性と対マスク選択比)を改善し,β-FeSi_2フォトニッタ結晶を作製した.

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 2006-11-17

著者

• 國松 俊佑

  京都大学大学院エネルギー科学研究科

• 前田 佳均

  京都大学大学院エネルギー科学研究科

• 今井 章文

  京都大学大学院エネルギー科学研究科

• 秋山 賢輔

  神奈川県産業技術総合研究所

• 秋山 賢輔

  神奈川産技センター

• 秋山 賢輔

  神奈川県産業技術センター

• 秋山 賢輔

  神奈川県産技セ

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