Fe_3Si/Ge(111)ヘテロエピタキシャル成長の軸配向性の評価(シリコン関連材料の作製と評価)

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概要

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• ラザフォード後方散乱分光法(RBS)を用いて,エピタキシャル成長したFe_3Si/Ge(111)の軸配向性を評価した.軸配向性は堆積温度に強く依存し,200℃以上で劣化することが分かった.そこで,本研究では堆積温度200℃における軸配向性の劣化を明らかにするために,RBS,電子線回折(ED)およびイオンチャネリング・ディップ測定を用いて軸配向性を検討した.その結果,堆積温度200℃における軸配向性の劣化は,Ge(111)面でのエピタキシャル成長時のFe_3Si<111>軸の傾斜成長が原因であることを明らかにした.

• 2007-12-07

著者

• 鳴海 一雅

  日本原子力研究開発機構先端基礎研究センター

• 宮尾 正信

  九州大学大学院システム情報科学

• 前田 佳均

  京都大学大学院エネルギー科学研究科

• 佐道 泰造

  九州大学大学院システム情報科学

• 平岩 佑介

  京都大学大学院エネルギー科学研究科

• 安藤 裕一郎

  九州大学大学院システム情報研究院

• 熊野 守

  九州大学大学院システム情報研究院

• 上田 公二

  九州大学大学院システム情報研究院

• 佐道 泰造

  Kyushu Univ. Fukuoka Jpn

• 上田 公二

  九州大学大学院システム情報科学研究院

• 熊野 守

  九州大学大学院システム情報科学研究院

• 熊野 守

  九州大学

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