イオンチャネリングによるホイスラー合金Fe_<3-x>Mn_xSi(111)/Ge(111)ヘテロエピタキシャル界面の軸配向性の評価(シリコン関連材料の作製と評価)
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概要
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イオンチャネリングを用いて,エピタキシャル成長したFe_<3-x>Mn_xSi(111)/Ge(111)界面の軸配向性を評価した.軸配向性は,界面での格子不整合によって支配されることが明らかになった.そこで本研究では,軸上での原子配置の乱れに直接関係する静的変位を求め,さらに低温でのイオンチャネリングを行い静的変位の支配因子を検討した.その結果,格子不整合の減少に対応して界面での静的変位が減少した.このことからFe_<3-x>Mn_xSi(111)/Ge(111)界面では,格子不整合が軸上での原子配置(列)の乱れを引き起こす原因の1つであることを明らかにした.
- 2010-12-10
著者
-
鳴海 一雅
日本原子力研究開発機構先端基礎研究センター
-
前田 佳均
京都大学大学院エネルギー科学研究科
-
鳴海 一雅
原子力機構高崎
-
中島 孝仁
京都大学大学院エネルギー科学研究科
-
松倉 武偉
京都大学大学院エネルギー科学研究科
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