FinFET型多値フラッシュメモリの動作解析(半導体Si及び関連材料・評価)

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概要

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• FinFETフラッシュメモリの更なる高集積化を目指して, FinFET型多値フラッシュメモリを考案し, その動作解析を行った.ゲートを2系統, フローティングゲートを独立に2つ設けたメモリ構造のデバイスシミュレーションから, マルチビット記録で1セル2ビット, マルチビット・マルチレベル記録で1セル4ビット記録が可能であることを確認した.さらに, 読み出しマージン(1V)とその電圧(3V)を考慮して集積化に重要なFinボディ幅の縮小を検討すると, ボディ幅は44nmまで縮小できることが分かった.

• 2005-12-14

著者

• 上野山 覚

  京都大学エネルギー科学研究科

• 前田 佳均

  京都大学大学院エネルギー科学研究科

• 楠 友邦

  京都大学エネルギー科学研究科

• 齋木 俊秀

  京都大学エネルギー科学研究科

• 前田 佳均

  京都大学エネルギー科学研究科

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