鉄シリサイドの結晶成長と電気,光学特性の改善(<特集>シリコン関連材料の作製と評価)
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概要
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β-FeSi_2は1.55μm帯域の光エレクトロニクスヘの応用を目指した基礎研究が進んでいる.β-FeSi2のシリコン上での結晶成長(エピタキシャル成長,多結晶成長),格子ひずみを利用したバンドエンジニアリングの可能性,赤外発光・光電特性などの現状を紹介する.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2004-12-09
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