β-FeSi_2のイオンビーム合成 : アニールによるSi空孔の変化

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 2006-11-17

著者

• 前田 佳均

  京都大学大学院エネルギー科学研究科

• 安藤 裕一郎

  京都大学大学院エネルギー科学研究科

• 上西 隆文

  京都大学大学院エネルギー科学研究科

関連論文

• 21pTC-2 イオンビーム解析法による低エネルギーC_イオンのスパッタリング効果の評価III(21pTC 融合セッション(原子分子・放射線)原子分子,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
• 20pTC-6 MeVクラスターイオン誘起二次電子収量とクーロン爆発イメージの同時計測(20pTC 放射線物理(2次粒子放出・クラスタービーム),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
• Fe_3Si/Ge(111)ヘテロエピタキシャル成長の軸配向性の評価(シリコン関連材料の作製と評価)
• 27pRA-7 高速炭素クラスターイオン衝突による非晶質炭素薄膜からの二次電子放出(27pRA 放射線物理(クラスター・二次粒子放出),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
• 共役反転格子フォトニック結晶での導波解析(シリコン関連材料の作製と評価)
• β-FeSi_2の1.55μm発光増強(半導体Si及び関連材料・評価)
• 環境に優しい光半導体 : β-FeSi_2
• 鉄シリサイド薄膜の発光と光電特性 (特集 シリサイド半導体の最新動向)
• 鉄シリサイドの結晶成長と電気, 光学特性の改善
• 鉄シリサイドの結晶成長と電気,光学特性の改善(シリコン関連材料の作製と評価)
• 強磁性体シリサイド/Geの低温エピタキシャル成長とスピントランジスタ(第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))
• 強磁性体シリサイド/Geの低温エピタキシャル成長とスピントランジスタ(第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))
• FinFET型多値フラッシュメモリの動作解析(半導体Si及び関連材料・評価)
• β-FeSi_2のイオンビーム合成 : アニールによるSi空孔の変化(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
• β-FeSi_2のイオンビーム合成 : アニールによるSi空孔の変化(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
• β-FeSi_2のイオンビーム合成 : アニールによるSi空孔の変化(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
• β-FeSi_2のイオンビーム合成 : アニールによるSi空孔の変化
• 鉄シリサイドの光学応用
• Fe系シリサイドによるフォトニック結晶の作製(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
• Fe系シリサイドによるフォトニック結晶の作製(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
• Fe系シリサイドによるフォトニック結晶の作製(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
• 総論:鉄シリサイド半導体の基礎と応用 (特集 シリサイド半導体の最新動向)
• シリサイド半導体の研究と光エレクトロニクスへの応用(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)
• シリサイド半導体の研究と光エレクトロニクスへの応用(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)
• 25pRA-11 イオンビーム解析法による低エネルギーC_イオンのスパッタリング効果の評価IV(25pRA 放射線物理(固体との相互作用・クラスター),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
• イオンチャネリングによるホイスラー合金Fe_Mn_xSi(111)/Ge(111)ヘテロエピタキシャル界面の軸配向性の評価(シリコン関連材料の作製と評価)
• 21pEB-11 C_イオン照射によるSiスパッタリング収量の非線形効果のエネルギー依存性(21pEB 放射線物理(クラスター・微粒子),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク