β-FeSi_2のイオンビーム合成 : アニールによるSi空孔の変化(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
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概要
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イオンビーム合成(IBS)したβ-FeSi_2の発光は長時間アニールにより増強する.これにはβ-FeSi_2中のSi空孔の減少が関係していると考えられているが,アニールによるSi空孔の分布の変化に関する報告はない.本研究では,ラザフォード後方散乱分光法を用いて,Si空孔の深さ分布の測定を試みた.その結果,アニール効果によるSi空孔分布の変化をとらえることができた.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2006-11-17
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