シリサイド半導体の研究と光エレクトロニクスへの応用(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)
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概要
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光エレクトロニクスヘの応用を目指したシリサイド半導体の最近の研究状況を報告する.研究が進んでいるβ-FeSi_2は1.55μm帯域の光デバイス応用に適している.β-FeSi_2のシリコン上でのエピタキシャル成長,格子ひずみによるバンドエンジニアリング,赤外発光・光電特性など新しい材料の側面を紹介したい.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2004-06-25
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