強磁性体シリサイド/Geの低温エピタキシャル成長とスピントランジスタ(第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))
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概要
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スピン偏極強磁性体シリサイドDO3型Fe_3Si (キュリー温度:840K)は,格子定数(0.565nm)が, Geの格子定数(0.565nm)とほぼ一致しており, Ge基板上におけるFe_3Si層の高品位エピタキシャル成長が可能と期待される.そこで,分子線エピタキシャル成長法を用い,Fe/Si組成比および成長温度がFe_3Si/Geの結晶性に与える効果を系統的に検討した.その結果,Fe/Si組成比を化学量論比(Fe:Si=3:1)とし,成長温度を低温化(<300℃)することで,結晶性が高く(ラザフォード後方散乱法による最小散乱収率_<Xmin>:2-3%)かつ界面が原子層で平坦なFe_3Si/Ge積層構造を実現した.さらに,この積層構造は,400℃までの熱処理プロセスでは劣化しないことを確認した.このFe_3Si/Ge積層構造の原子層制御エピタキシャル成長技術は,超高速かつ超低消費電力なGeチャネル型スピントランジスタを実現する為の基盤技術として期待される.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2007-06-18
著者
-
鳴海 一雅
日本原子力研究開発機構先端基礎研究センター
-
宮尾 正信
九州大学大学院システム情報科学
-
前田 佳均
京都大学大学院エネルギー科学研究科
-
佐道 泰造
九州大学大学院システム情報科学
-
安藤 裕一郎
九州大学大学院システム情報研究院
-
熊野 守
九州大学大学院システム情報研究院
-
上田 公二
九州大学大学院システム情報研究院
-
佐道 泰造
Kyushu Univ. Fukuoka Jpn
-
上田 公二
九州大学大学院システム情報科学研究院
-
熊野 守
九州大学大学院システム情報科学研究院
-
熊野 守
九州大学
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