インプリントSi種結晶からの溶融エピタキシャル成長による多結晶GOIの無欠陥形成(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
インプリント誘起Si(111)マイクロ結晶(〜1μmφ)を結晶成長シードとしたGeの溶融エピクキシャル成長法を考案し、局所領域におけるGOI薄膜の方位制御を検討した。その結果、大粒径(〜10μmφ)を有する単結晶Ge薄膜を実現した。Ge/SiO_2界面は平滑で、成長領域は無欠陥であることが断面TEM測定より明らかとなった。また、顕微ラマン分光測定の結果、キャリヤ移動度向上に益となる伸張歪(〜0.2%)の導入を観測した。無欠陥歪Ge薄膜の創製であり、GeデバイスをSi集積回路に融合するための基盤技術として期待される成果である。
- 2010-04-16
著者
-
宮尾 正信
九州大学大学院システム情報科学
-
佐道 泰造
九州大学大学院システム情報科学
-
田中 貴規
九州大学システム情報科学府
-
坂根 尭
九州大学大学院システム情報科学研究院
-
都甲 薫
九州大学大学院システム情報科学研究院
-
田中 貴規
九州大学大学院システム情報科学研究院
-
佐道 泰造
Kyushu Univ. Fukuoka Jpn
-
都甲 薫
九州大学大学院 システム情報科学研究院
-
坂根 尭
九州大学大学院 システム情報科学研究院
関連論文
- Formation of defect-free Ge island on insulator by Ni-imprint induced Si micro-seeding rapid melting (有機エレクトロニクス)
- SiGeミキシング誘起溶融法による単結晶GOI(Ge on Insulator)形成のシード基板面方位・成長方向依存性 (有機エレクトロニクス)
- SiGeミキシング誘起溶融法による単結晶GOI(Ge on Insulator)形成のシード基板面方位・成長方向依存性 (シリコン材料・デバイス)
- Fe_3Si/Ge(111)ヘテロエピタキシャル成長の軸配向性の評価(シリコン関連材料の作製と評価)
- ガラス上におけるSiGe薄膜のアルミニウム誘起結晶化とその成長メカニズム (有機エレクトロニクス)
- ガラス上におけるSiGe薄膜のアルミニウム誘起結晶化とその成長メカニズム (シリコン材料・デバイス)
- 絶縁膜上における磁性金属ナノドットの形成(薄膜(Si,化合物,有機)機能デバイス・材料・評価技術)
- アルミニウム誘起層交換法によるSiGe/ガラスの低温成長(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般)
- アルミニウム誘起層交換法によるSiGe/ガラスの低温成長(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般)
- 絶縁膜上における非晶質SiGeのインデント誘起固相成長
- a-siGe薄膜の低温結晶化機構の電子顕微鏡的研究(TFTの材料・デバイス技術・応用及び一般)
- 強磁性体シリサイド/Geの低温エピタキシャル成長とスピントランジスタ(第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))
- 強磁性体シリサイド/Geの低温エピタキシャル成長とスピントランジスタ(第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))
- SiGe/SOI構造の酸化現象とその解析(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術)
- SiGe/SOI構造の酸化現象とその解析(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術)
- SiGe/SOI構造の酸化現象とその解析(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術)
- 触媒金属を用いた非晶質SiGe薄膜/ガラスの低温固相成長(研究会推薦論文,半導体材料・デバイス)
- ガラス上に於ける多結晶SiGeの低温固相成長
- スピントロニクス用強磁性シリサイド(Fe_3Si)/SiGeの低温形成
- Ni触媒誘起固相成長法を用いた次世代TFT用多結晶Si_Ge_x(0≦x≦1)薄膜の低温形成
- 水素照射型酸化濃縮法による歪緩和SiGe仮想基板の極薄化(薄膜(Si,化合物,有機)機能デバイス・材料・評価技術)
- 触媒金属を用いた非晶質SiGe薄膜/ガラスの低温固相成長(薄膜(Si,化合物,有機)機能デバイス・材料・評価技術)
- 絶縁膜上における磁性金属ナノドットの形成(薄膜(Si,化合物,有機)機能デバイス・材料・評価技術)
- 水素照射型酸化濃縮法による歪緩和SiGe仮想基板の極薄化(薄膜(Si,化合物,有機)機能デバイス・材料・評価技術)
- 触媒金属を用いた非晶質SiGe薄膜/ガラスの低温固相成長(薄膜(Si,化合物,有機)機能デバイス・材料・評価技術)
- ガラス上におけるSiGe薄膜のアルミニウム誘起結晶化とその成長メカニズム(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般)
- ガラス上におけるSiGe薄膜のアルミニウム誘起結晶化とその成長メカニズム(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般)
- インプリントSi種結晶からの溶融エピタキシャル成長による単結晶GOIの無欠陥形成(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般)
- SiGeミキシング誘起溶融法による単結晶GOI(Ge on Insulator)形成のシード基板面方位・成長方向依存性(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般)
- インプリントSi種結晶からの溶融エピタキシャル成長による多結晶GOIの無欠陥形成(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般)
- SiGeミキシング誘起溶融法による単結晶GOI(Ge on Insulator)形成のシード基板面方位・成長方向依存性(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般)
- シリサイド半導体薄膜の結晶成長と特性(2)Ge導入によるβ-FeSi2のバンドギャップ変調 (特集 シリサイド半導体の最新動向)
- 絶縁膜上における磁性金属ナノドットの形成(薄膜(Si,化合物,有機)機能デバイス・材料・評価技術)
- Ge添加によるβ-FeSi_2の格子歪み制御(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)
- Ge添加によるβ-FeSi_2の格子歪み制御(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)
- シリサイド半導体の高品質形成と歪み制御 : Si系OEICの実現に向けて(有機EL, TFT,及び一般)
- シリサイド半導体の高品質形成と歪み制御 : Si系OEICの実現に向けて(有機EL, TFT,及び一般)
- シリサイド半導体の高品質形成と歪み制御 : Si系OEICの実現に向けて(有機EL, TFT,及び一般)
- シリサイド半導体の格子歪み制御 : バンド変調による波長多重化を目指して
- 触媒金属を用いた非晶質SiGe薄膜/ガラスの低温固相成長(薄膜(Si,化合物,有機)機能デバイス・材料・評価技術)
- シリコンゲルマニウム膜のレーザ結晶化(半導体Si及び関連材料・評価)
- 絶縁膜上におけるSiGe結晶成長とデバイス応用(IV族系半導体結晶・混晶の新たなる展開)
- 絶縁膜上におけるSiGe薄膜の低温形成と次世代ディスプレー(有機ELとTFT(シリコン、化合物、有機)及びディスプレイ技術)
- 絶縁膜上におけるSiGe薄膜の低温形成と次世代デイスプレー(有機ELとTFT(シリコン,化合物,有機)及びディスプレイ技術)
- 絶縁膜上におけるSiGe薄膜の低温形成と次世代ディスプレー(有機ELとTFT(シリコン,化合物,有機)及びディスプレイ技術)
- 触媒金属誘起成長法によるSi_1-XGe_X/SiO_2の低温固相成長
- 強磁性シリサイド/半導体積層構造の低温ヘテロエピタキシャル成長--Si系スピントロニクスの創出を目指して
- 次世代TFTに向けたa-Ge/石英の低温固相成長(TFTの材料・デバイス技術・応用及び一般)
- 次世代ULSI用歪シリコンウェーハの開発(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)
- 次世代ULSI用歪シリコンウェーハの開発(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)
- ECRプラズマ支援Si酸化とイオン照射効果
- 分子ビームエピタキシャル成長法によるFe_3Si/Siの形成(New Materials and Processes, 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ(AWAD2005))
- 分子ビームエピタキシャル成長法によるFe_3Si/Siの形成(New Materials and Processes, 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ(AWAD2005))
- ボンド変調によるa-Si/SiO_2の低温固相成長
- ボンド変調によるa-Si/SiO_2の低温固相成長
- ボンド変調によるa-Si/SiO_2 の低温固相成長
- 金属触媒誘起固相成長法による多結晶Ge/絶縁膜の低温形成:電界印加効果、触媒種効果(TFTの材料・デバイス技術・応用及び一般)
- Ge-Channel Thin-Film Transistor with Schottky Source/Drain Fabricated by Low-Temperature Processing
- 極浅接合用多原子クラスターイオン注入技術の検討
- MOS形トンネル電子エミッタ作製のためのCoSi_2ゲート電極形成
- イオン照射による酸化膜上のCoSi_2形成
- a-SiGe薄膜の低温結晶化機構の電子顕微鏡的研究(TFTの材料・デバイス技術・応用及び一般)
- 水素照射型酸化濃縮法による歪緩和SiGe仮想基板の極薄化(薄膜(Si,化合物,有機)機能デバイス・材料・評価技術)
- Si基板上におけるFe_3Si薄膜のエピタキシャル成長と評価
- Si基板上におけるFe_3Si薄膜のエピタキシャル成長と評価(有機EL及び関連有機材料, 低温poly-Siと有機TFT技術と一般)
- Si基板上におけるFe_3Si薄膜のエピタキシャル成長と評価(有機EL及び関連有機材料, 低温poly-Siと有機TFT技術と一般)
- Si基板上におけるFe_3Si薄膜のエピタキシャル成長と評価(有機EL及び関連有機材料, 低温poly-Siと有機TFT技術と一般)
- Si基板上におけるFe_3Si薄膜のエピタキシャル成長と評価
- Si基板上におけるFe_3Si薄膜のエピタキシャル成長と評価
- SiGeミキシング誘起溶融法による単結晶GOI (Ge on Insulator) 形成のシード基板面方位・成長方向依存性
- SiGeミキシング誘起溶融法による単結晶GOI (Ge on Insulator) 形成のシード基板面方位・成長方向依存性
- インプリントSi種結晶からの溶融エピタキシャル成長による単結晶GOIの無欠陥形成
- インプリントSi種結晶からの溶融エピタキシャル成長による単結晶GOIの無欠陥形成
- 次世代TFTに向けたa-Ge/石英の低温固相成長(TFTの材料・デバイス技術・応用及び一般)
- 金属触媒誘起固相成長法による多結晶Ge/絶縁膜の低温形成 : 電界印加効果、触媒種効果(TFTの材料・デバイス技術・応用及び一般)
- SiGeミキシング誘起溶融成長によるGOI(Ge on Insulator)の形成 : 人工単結晶への道 (ナノテクノロジー新時代における独創的モノ作りと協調的進化)
- 軟X線源を用いた半導体薄膜の低温結晶化技術の開発(シリコン関連材料の作製と評価)
- SiGeミキシング誘起溶融成長によるGOI (Ge on Insulator) の形成 : 人工単結晶への道
- 絶縁膜上におけるGe(Si)薄膜の溶融成長 : Si偏析効果による大粒径化(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般)
- 絶縁膜上におけるGe(Si)薄膜の溶融成長 : Si偏析効果による大粒径化(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般)
- 界面酸化膜挿入型Au誘起層交換成長法による大粒径Ge(111)/絶縁膜の低温成長 : 界面酸化膜厚依存性(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般)
- 界面酸化膜挿入型Au誘起層交換成長法による大粒径Ge(111)/絶縁膜の低温成長 : 界面酸化膜厚依存性(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般)
- 溶融法による横方向組成傾斜型Ge系ヘテロ構造の形成(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・バイオテクノロジー・材料・評価技術及び一般)
- 溶融法による横方向組成傾斜型Ge系ヘテロ構造の形成(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・バイオテクノロジー・材料・評価技術及び一般)
- 絶縁膜上におけるGe(Si)薄膜の溶融成長 : Si偏析効果による大粒径化