SiGeミキシング誘起溶融法による単結晶GOI(Ge on Insulator)形成のシード基板面方位・成長方向依存性 (シリコン材料・デバイス)

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概要

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• 2010-04-23

著者

• 大田 康晴

  九州大学システム情報科学府

• 田中 貴規

  九州大学システム情報科学府

• 佐道 泰造

  九州大学システム情報科学府

• 宮尾 正信

  九州大学システム情報科学府

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