田中 貴規 | 九州大学システム情報科学府

スポンサーリンク

概要

• 田中 貴規の詳細を見る
• 同名の論文著者
• 九州大学システム情報科学府の論文著者

関連著者

• 田中 貴規

  九州大学システム情報科学府

• 大田 康晴

  九州大学システム情報科学府

• 佐道 泰造

  九州大学システム情報科学府

• 宮尾 正信

  九州大学システム情報科学府

• 宮尾 正信

  九州大学大学院システム情報科学

• 佐道 泰造

  九州大学大学院システム情報科学

• 佐道 泰造

  Kyushu Univ. Fukuoka Jpn

• 坂根 尭

  九州大学大学院システム情報科学研究院

• 都甲 薫

  九州大学大学院システム情報科学研究院

• 田中 貴規

  九州大学大学院システム情報科学研究院

• 都甲 薫

  九州大学大学院 システム情報科学研究院

• 坂根 尭

  九州大学大学院 システム情報科学研究院

もっと見る 閉じる

著作論文

• SiGeミキシング誘起溶融法による単結晶GOI(Ge on Insulator)形成のシード基板面方位・成長方向依存性 (有機エレクトロニクス)
• SiGeミキシング誘起溶融法による単結晶GOI(Ge on Insulator)形成のシード基板面方位・成長方向依存性 (シリコン材料・デバイス)
• インプリントSi種結晶からの溶融エピタキシャル成長による単結晶GOIの無欠陥形成(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般)
• SiGeミキシング誘起溶融法による単結晶GOI(Ge on Insulator)形成のシード基板面方位・成長方向依存性(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般)
• インプリントSi種結晶からの溶融エピタキシャル成長による多結晶GOIの無欠陥形成(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般)
• SiGeミキシング誘起溶融法による単結晶GOI(Ge on Insulator)形成のシード基板面方位・成長方向依存性(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般)
• SiGeミキシング誘起溶融法による単結晶GOI (Ge on Insulator) 形成のシード基板面方位・成長方向依存性
• SiGeミキシング誘起溶融法による単結晶GOI (Ge on Insulator) 形成のシード基板面方位・成長方向依存性

スポンサーリンク