佐道 泰造 | 九州大学大学院システム情報科学

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概要

• 同名の論文著者
• 九州大学大学院システム情報科学の論文著者

関連著者

• 佐道 泰造

  九州大学大学院システム情報科学

• 宮尾 正信

  九州大学大学院システム情報科学

• 佐道 泰造

  Kyushu Univ. Fukuoka Jpn

• 権丈 淳

  九州大学大学院システム情報科学

• Kenjo A

  Kyushu Univ.

• 菅野 裕士

  九州大学大学院システム情報科学

• 都甲 薫

  九州大学大学院システム情報科学研究院

• 黒澤 昌志

  九州大学大学院システム情報科学

• 榎田 豊次

  福菱セミコンエンジニアリング分析評価センター

• 竹内 悠

  九州大学大学院システム情報科学研究院

• 榎田 豊次

  福菱セミコン

• 角田 功

  九州大学大学院システム情報科学

• 長友 圭

  九州大学大学院システム情報科学

• 竹内 悠

  九州大学大学院システム情報科学府電子デバイス工学専攻

• 角田 功

  九大 大学院

• 黒澤 昌志

  九州大学大学院システム情報科学:日本学術振興会

• 黒澤 昌志

  九州大学

• 田中 政典

  九州大学大学院システム情報科学研究院

• 川畑 直之

  九州大学大学院システム情報科学

• 村上 裕二

  九州大学大学院システム情報科学研究院電子デバイス工学部門

• 村上 裕二

  九州大学大学院システム情報科学研究院

• 都甲 薫

  九州大学大学院 システム情報科学研究院

• 吉武 剛

  九州大学大学院総合理工学府量子プロセス理工学専攻

• 上田 公二

  九州大学大学院システム情報研究院

• 坂根 尭

  九州大学大学院システム情報科学研究院

• 田中 貴規

  九州大学大学院システム情報科学研究院

• 上田 公二

  九州大学大学院システム情報科学研究院

• 吉武 剛

  九州大学

• 吉武 剛

  九州大学大学院総合理工学研究院

• 吉武 剛

  九大 大学院総合理工学研究院

• 吉武 剛

  九州大学大学院 総合理工学研究科

• 田中 貴規

  九州大学システム情報科学府

• 佐道 泰造

  九州大学システム情報科学府

• 熊野 守

  九州大学大学院システム情報科学研究院

• 佐道 泰造

  九州大学大学院システム情報科学研究院電子デバイス工学部門

• 熊野 守

  九州大学

• 佐道 泰造[他]

  九州大学大学院システム情報科学研究科電子デバイス工学専攻

• 鳴海 一雅

  日本原子力研究開発機構先端基礎研究センター

• 前田 佳均

  京都大学大学院エネルギー科学研究科

• 板倉 賢

  九州大学大学院総合理工学研究院

• 安藤 裕一郎

  九州大学大学院システム情報研究院

• 熊野 守

  九州大学大学院システム情報研究院

• 大賀 達夫

  九州大学大学院システム情報科学研究院

• 松本 光二

  株式会社SUMCO

• 波多 聡

  九大

• 宮尾 正信

  九州大学システム情報科学府

• Itakura M

  Kyushu Univ. Fukuoka Jpn

• 板倉 賢

  九州大学大学院総合理工学研究院融合創造理工学部門

• 波多 聰

  九州大学大学院 総合理工学研究院 融合創造理工学部門

• 波多 聰

  九州大学 大学院 総合理工学研究院

• 板倉 賢

  九州大学大学院 総合理工学研究院 融合創造理工学部門

• 加藤 立奨

  九州大学大学院システム情報科学府

• 横山 裕之

  九州大学大学院システム情報科学府

• 波多 聰

  九州大学総合理工学研究院融合創造理工学部門

• 佐道 泰造

  九州大学 大学院システム情報科学

• 宮尾 正信

  九州大学 大学院システム情報科学

• 野口 隆

  琉球大学工学部

• 大田 康晴

  九州大学システム情報科学府

• 中尾 勇兼

  九州大学大学院システム情報科学

• 萩原 貴嗣

  九州大学大学院システム情報科学

• 坂根 尭

  九州大学大学院 システム情報科学研究院

• 松村 亮

  九州大学大学院システム情報科学研究院

• 宮本 修治

  兵庫県立大高度研

• 望月 孝晏

  兵庫県立大高度研

• 天野 壮

  兵庫県立大高度研

• 宮尾 正信

  九州大学　大学院システム情報科学研究院

• 宮本 修治

  阪大レーザ研

• 松尾 直人

  兵庫県立大学

• 宮本 修治

  姫工大高度研

• 望月 孝晏

  姫路工業大学高度産業科学技術研究所

• 張 依群

  九州大学大学院システム情報科学研究科電子デバイス工学専攻

• 中島 寛

  先端科学技術共同研究センター

• 部家 彰

  石川県工試

• 松尾 直人

  兵庫県立大学大学院工学研究科

• 都甲 薫

  九州大学

• 平岩 佑介

  京都大学大学院エネルギー科学研究科

• 宮本 修治

  阪大レーザー研

• 中島 寛

  九大 産学連携セ

• 部家 彰

  兵庫県立大学工学研究科

• 神田 一浩

  兵庫県立大学高度産業科学技術研究所

• 宮本 修治

  兵庫県立大学

• 天野 壮

  兵庫県立大学 高度産業科学技術研究所

• 松尾 慎一郎

  九州大学大学院システム情報科学研究科電子デバイスエ学専攻

• 鶴島 稔夫

  九州大学大学院システム情報科学研究科電子デバイスエ学専攻

• 松下 篤志

  九州大学大学院システム情報科学研究科電子デバイス工学専攻

• 帆玉 信一

  九州大学大学院システム情報科学研究科電子デバイス工学専攻

• 部家 彰

  兵庫県立大学大学院工学研究科

• 望月 孝晏

  兵庫県立大

• 望月 孝晏

  姫路工業大学 高度産業科学技術研究所

• 神田 一浩

  兵庫県立大

• 野々村 勇希

  兵庫県立大学工学部

• 木野 翔太

  兵庫県立大学工学部

• 都甲 薫

  九州大学システム情報科学研究院

• 黒澤 昌志

  九州大学 大学院システム情報科学研究院

• 都甲 薫

  九州大学 大学院システム情報科学研究院

• 佐道 泰造

  九州大学

• 佐道 泰造

  九州大学大学院システム情報科学府

• 宮尾 正信

  九州大学

• 宮尾 正信

  九州大学大学院システム情報科学府

• 都甲 薫

  九州大学大学院システム情報科学

• 松尾 直人

  兵庫県立大学工学部

• 黒澤 昌志

  九州大学大学院システム情報科学府

• 宮本 修治

  兵庫県立大学高度産業技術研究所

• 部家 彰

  兵庫県立大学大学院

• 佐道 泰造

  九州大学大学院システム情報科学研究院

• 部家 彰

  兵庫県立大学 大学院工学研究科

• 宮本 修治

  兵庫県立大

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著作論文

• Formation of defect-free Ge island on insulator by Ni-imprint induced Si micro-seeding rapid melting (有機エレクトロニクス)
• Fe_3Si/Ge(111)ヘテロエピタキシャル成長の軸配向性の評価(シリコン関連材料の作製と評価)
• ガラス上におけるSiGe薄膜のアルミニウム誘起結晶化とその成長メカニズム (有機エレクトロニクス)
• ガラス上におけるSiGe薄膜のアルミニウム誘起結晶化とその成長メカニズム (シリコン材料・デバイス)
• アルミニウム誘起層交換法によるSiGe/ガラスの低温成長(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般)
• アルミニウム誘起層交換法によるSiGe/ガラスの低温成長(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般)
• 絶縁膜上における非晶質SiGeのインデント誘起固相成長
• 強磁性体シリサイド/Geの低温エピタキシャル成長とスピントランジスタ(第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))
• 強磁性体シリサイド/Geの低温エピタキシャル成長とスピントランジスタ(第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))
• SiGe/SOI構造の酸化現象とその解析(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術)
• SiGe/SOI構造の酸化現象とその解析(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術)
• SiGe/SOI構造の酸化現象とその解析(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術)
• 触媒金属を用いた非晶質SiGe薄膜/ガラスの低温固相成長(研究会推薦論文,半導体材料・デバイス)
• ガラス上に於ける多結晶SiGeの低温固相成長
• Ni触媒誘起固相成長法を用いた次世代TFT用多結晶Si_Ge_x(0≦x≦1)薄膜の低温形成
• 水素照射型酸化濃縮法による歪緩和SiGe仮想基板の極薄化(薄膜(Si,化合物,有機)機能デバイス・材料・評価技術)
• 触媒金属を用いた非晶質SiGe薄膜/ガラスの低温固相成長(薄膜(Si,化合物,有機)機能デバイス・材料・評価技術)
• 水素照射型酸化濃縮法による歪緩和SiGe仮想基板の極薄化(薄膜(Si,化合物,有機)機能デバイス・材料・評価技術)
• 触媒金属を用いた非晶質SiGe薄膜/ガラスの低温固相成長(薄膜(Si,化合物,有機)機能デバイス・材料・評価技術)
• ガラス上におけるSiGe薄膜のアルミニウム誘起結晶化とその成長メカニズム(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般)
• ガラス上におけるSiGe薄膜のアルミニウム誘起結晶化とその成長メカニズム(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般)
• インプリントSi種結晶からの溶融エピタキシャル成長による単結晶GOIの無欠陥形成(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般)
• SiGeミキシング誘起溶融法による単結晶GOI(Ge on Insulator)形成のシード基板面方位・成長方向依存性(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般)
• インプリントSi種結晶からの溶融エピタキシャル成長による多結晶GOIの無欠陥形成(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般)
• SiGeミキシング誘起溶融法による単結晶GOI(Ge on Insulator)形成のシード基板面方位・成長方向依存性(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般)
• Ge添加によるβ-FeSi_2の格子歪み制御(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)
• Ge添加によるβ-FeSi_2の格子歪み制御(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)
• シリサイド半導体の高品質形成と歪み制御 : Si系OEICの実現に向けて(有機EL, TFT,及び一般)
• シリサイド半導体の高品質形成と歪み制御 : Si系OEICの実現に向けて(有機EL, TFT,及び一般)
• シリサイド半導体の高品質形成と歪み制御 : Si系OEICの実現に向けて(有機EL, TFT,及び一般)
• シリサイド半導体の格子歪み制御 : バンド変調による波長多重化を目指して
• 触媒金属を用いた非晶質SiGe薄膜/ガラスの低温固相成長(薄膜(Si,化合物,有機)機能デバイス・材料・評価技術)
• 絶縁膜上におけるSiGe結晶成長とデバイス応用(IV族系半導体結晶・混晶の新たなる展開)
• 絶縁膜上におけるSiGe薄膜の低温形成と次世代ディスプレー(有機ELとTFT(シリコン、化合物、有機)及びディスプレイ技術)
• 絶縁膜上におけるSiGe薄膜の低温形成と次世代デイスプレー(有機ELとTFT(シリコン,化合物,有機)及びディスプレイ技術)
• 絶縁膜上におけるSiGe薄膜の低温形成と次世代ディスプレー(有機ELとTFT(シリコン,化合物,有機)及びディスプレイ技術)
• 触媒金属誘起成長法によるSi_1-XGe_X/SiO_2の低温固相成長
• 強磁性シリサイド/半導体積層構造の低温ヘテロエピタキシャル成長--Si系スピントロニクスの創出を目指して
• 次世代TFTに向けたa-Ge/石英の低温固相成長(TFTの材料・デバイス技術・応用及び一般)
• ECRプラズマ支援Si酸化とイオン照射効果
• 分子ビームエピタキシャル成長法によるFe_3Si/Siの形成(New Materials and Processes, 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ(AWAD2005))
• 分子ビームエピタキシャル成長法によるFe_3Si/Siの形成(New Materials and Processes, 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ(AWAD2005))
• ボンド変調によるa-Si/SiO_2の低温固相成長
• ボンド変調によるa-Si/SiO_2の低温固相成長
• ボンド変調によるa-Si/SiO_2 の低温固相成長
• 金属触媒誘起固相成長法による多結晶Ge/絶縁膜の低温形成:電界印加効果、触媒種効果(TFTの材料・デバイス技術・応用及び一般)
• 極浅接合用多原子クラスターイオン注入技術の検討
• MOS形トンネル電子エミッタ作製のためのCoSi_2ゲート電極形成
• イオン照射による酸化膜上のCoSi_2形成
• 水素照射型酸化濃縮法による歪緩和SiGe仮想基板の極薄化(薄膜(Si,化合物,有機)機能デバイス・材料・評価技術)
• Si基板上におけるFe_3Si薄膜のエピタキシャル成長と評価
• Si基板上におけるFe_3Si薄膜のエピタキシャル成長と評価(有機EL及び関連有機材料, 低温poly-Siと有機TFT技術と一般)
• Si基板上におけるFe_3Si薄膜のエピタキシャル成長と評価(有機EL及び関連有機材料, 低温poly-Siと有機TFT技術と一般)
• Si基板上におけるFe_3Si薄膜のエピタキシャル成長と評価(有機EL及び関連有機材料, 低温poly-Siと有機TFT技術と一般)
• Si基板上におけるFe_3Si薄膜のエピタキシャル成長と評価
• Si基板上におけるFe_3Si薄膜のエピタキシャル成長と評価
• インプリントSi種結晶からの溶融エピタキシャル成長による単結晶GOIの無欠陥形成
• インプリントSi種結晶からの溶融エピタキシャル成長による単結晶GOIの無欠陥形成
• 次世代TFTに向けたa-Ge/石英の低温固相成長(TFTの材料・デバイス技術・応用及び一般)
• 金属触媒誘起固相成長法による多結晶Ge/絶縁膜の低温形成 : 電界印加効果、触媒種効果(TFTの材料・デバイス技術・応用及び一般)
• SiGeミキシング誘起溶融成長によるGOI(Ge on Insulator)の形成 : 人工単結晶への道 (ナノテクノロジー新時代における独創的モノ作りと協調的進化)
• 軟X線源を用いた半導体薄膜の低温結晶化技術の開発(シリコン関連材料の作製と評価)
• SiGeミキシング誘起溶融成長によるGOI (Ge on Insulator) の形成 : 人工単結晶への道
• 絶縁膜上におけるGe(Si)薄膜の溶融成長 : Si偏析効果による大粒径化(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般)
• 絶縁膜上におけるGe(Si)薄膜の溶融成長 : Si偏析効果による大粒径化(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般)
• 溶融法による横方向組成傾斜型Ge系ヘテロ構造の形成(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・バイオテクノロジー・材料・評価技術及び一般)
• 溶融法による横方向組成傾斜型Ge系ヘテロ構造の形成(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・バイオテクノロジー・材料・評価技術及び一般)
• 絶縁膜上におけるGe(Si)薄膜の溶融成長 : Si偏析効果による大粒径化

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