シリサイド半導体の格子歪み制御 : バンド変調による波長多重化を目指して
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概要
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Strain modulation of β-FeSi_2(Ge) by Ge doping has been investigated for the band engineering. Solid-phase growth of [a-Si/a-Fe_<0.4>Si_<0.5>Ge_<0.1>]_n/c-Si(n=1, 2, 4) samples were induced at 700-900°C for 30 min in a vacuum. The grown layers were analyzed by using Auger electron spectroscopy and the X-ray diffraction. After annealing at 700°C, β-FeSi_2(Ge) strained by 0.4-0.5% was successfully formed. According to the theoretical calculation, the strain of 0.4-0.5% corresponds to the energy band gap modulation of 0.03eV.
- 九州大学の論文
著者
-
佐道 泰造
九州大学大学院システム情報科学
-
権丈 淳
九州大学大学院システム情報科学
-
村上 裕二
九州大学大学院システム情報科学研究院電子デバイス工学部門
-
佐道 泰造
九州大学大学院システム情報科学研究院電子デバイス工学部門
-
村上 裕二
九州大学大学院システム情報科学研究院
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