金属触媒誘起固相成長法による多結晶Ge/絶縁膜の低温形成 : 電界印加効果、触媒種効果(TFTの材料・デバイス技術・応用及び一般)
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概要
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次世代TFTのチャネル材料として期待される多結晶Ge/絶縁膜の極低温形成(≦250℃)を目指し金属触媒誘起固相成長法を検討した.まず,Ni触媒誘起固相成長を低温化する為,固相成長に与える電界印加効果を検討した.その結果,電界印加(200-500V/cm)により,375℃における成長速度が約1桁上昇することが明らかになった.しかし,低温(≦350℃)での成長促進には高電界(≧2500V/cm)の印加が必要と示唆され,高電界印加によるGe膜の飛散により低温化が困難と判明した.そこで,他の触媒種(Cu,Pd,Co)を検討した結果,Cuを用いる事で,極低温(250℃)での高速成長(約2μm/h)が実現出来た.
- 2008-04-04
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