SiGe/SOI構造の酸化現象とその解析(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術)

スポンサーリンク

概要

論文の詳細を見る
SiGe/SOI構造の酸化過程を広い温度域で検討した。その結果、低温(<680℃)、中温(700〜800℃)、高温(>800℃)領域で酸化特性が異なることを見出した。低温(<680℃)領域ではSiO_2膜の形成厚が薄いため、酸化反応は界面反応律速型である。 SiO_2/SiGe界面でのGe偏析量は小さく、界面のGe濃度はSiGe層の初期Ge濃度とほぼ同じであった。そのため、初期Ge濃度に依存した増速酸化が見られた。一方、高温(>800℃)領域では、SiO_2膜厚が厚いため、酸化反応はSiO_2中のOの拡散で律速されることがわかった。従って、酸化速度はGe濃度に依存しなかった。中温(700〜800℃)領域では、初期Ge濃度が高濃度(>20%)の試料で、酸化速度が温度に依存しないことがわかった。この現象は、温度上昇による酸化促進と界面Ge濃度の高濃度化(>50%)による酸化抑制の結抗によると考えられる。
社団法人電子情報通信学会の論文
2007-04-13

著者

関連論文

もっと見る

スポンサーリンク