溶融法による横方向組成傾斜型Ge系ヘテロ構造の形成(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・バイオテクノロジー・材料・評価技術及び一般)
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概要
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横方向に組成傾斜を有するSiGe-on-Insulator構造(SGOI構造)を実現することで、横方向にEg勾配を持つ新デバイスへの応用や、様々な格子定数を有する材料群をSi基板上に混載する際の成長テンプレートへの応用が期待できる。我々は、SiGe偏析成長法により横方向に異なる格子定数を有するSi濃度傾斜型SGOIストライプ構造を形成する手法を検討した。広範囲のストライプ長(L:10-500μm)及び冷却速度(CR:10-19℃/sec)の条件でSiGeの溶融成長を試みたところ、冷却速度が遅い(10℃/sec)条件では、SiGe偏析現象はScheil式によって表される横方向組成分布を示した。この領域を用いることで、SiGe横方向組成分布の精密な制御が可能となる。一方、冷却速度が速く、ストライプが長い条件では、SiGeの組成分布はScheil式から乖離することが判明した。この現象を詳細に解析することで、SiGe偏析現象のモデル化に成功した。
- 一般社団法人電子情報通信学会の論文
- 2013-04-18
著者
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