絶縁膜上におけるGe(Si)薄膜の溶融成長 : Si偏析効果による大粒径化(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般)
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概要
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絶縁膜上におけるSi添加Ge薄膜[Ge(Si)薄膜]の溶融成長を検討した.SiGe系相図の固相線と液相線で挟まれた領域の温度で急速熱処理を行うと,大粒径(15〜30μm)を有するSiGe結晶粒が成長した.結晶粒には,粒の中心付近でピーク値を有するSi濃度分布が形成されていることが明らかになった.Si濃度のピーク値は,熱処理温度における固相線のSi濃度に一致した.以上の現象は,熱処理時のSi偏析によるSiリッチ結晶核の形成と,冷却過程におけるSi偏析を伴う横方向成長に起因すると考えられる.
- 2012-04-20
著者
-
宮尾 正信
九州大学大学院システム情報科学
-
黒澤 昌志
九州大学大学院システム情報科学
-
佐道 泰造
九州大学大学院システム情報科学
-
佐道 泰造
Kyushu Univ. Fukuoka Jpn
-
黒澤 昌志
九州大学大学院システム情報科学:日本学術振興会
-
加藤 立奨
九州大学大学院システム情報科学府
-
横山 裕之
九州大学大学院システム情報科学府
-
黒澤 昌志
九州大学
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