シリコンゲルマニウム膜のレーザ結晶化(半導体Si及び関連材料・評価)
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概要
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パルスXeClエキシマレーザ照射によるGe及びSiGe化合物のレーザ結晶化を調べた。Ge膜はSi膜より潜熱が小さいためにエキシマレーザ加熱により急速に溶融固化した。Ge/Si層構造のレーザ加熱によりSiGe化合物の形成が観測された。電気伝導率の解析により、Poly-Ge膜の欠陥密度は小さく、1.1×10^<12>cm^<-2>以下と評価された。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2005-12-14
著者
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