多結晶シリコン薄膜トランジスタ解析
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概要
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レーザ結晶化を用いた高性能薄膜トランジスタ(poly-Si TFT)形成について議論する。レーザ結晶化膜には多くの電気的活性な欠陥が存在し、また低温で形成したSiO_2薄膜も多くの場合欠陥を有している。酸素プラズマ処理及び、高圧水蒸気熱処理がこれらの欠陥を効率的に低減し、poly-Si TFTの特性改善に効果的であることを示す。TFT特性の数値解析により欠陥とTFT特性の関係を報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2001-12-13
著者
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