高品質多結晶シリコン薄膜の形成技術とその電気的特性
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
多結晶シリコンの基本的特性について議論する。フリーキャリヤ光吸収解析により、レーザ結晶化で形成した結晶粒内移動度は、粒径が10〜15nmと小さいにもかかわらず高い移動度を示すことがわかった。これに対して結晶粒界には高密度の電子捕獲欠陥準位が形成されることがわかった。水蒸気雰囲気熱処理による欠陥密度低減を実現した。同方法により多結晶薄膜トランジスタの移動度が500cm^2/Vsに向上した。さらに電流加熱による大粒径結晶成長を報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2000-04-14
著者
関連論文
- カーボン光吸収層を用いたシリコン膜の半導体レーザ結晶化(シリコン関連材料の作製と評価)
- シリコンゲルマニウム膜のレーザ結晶化(半導体Si及び関連材料・評価)
- カーボン光吸収層を用いたシリコン膜の結晶化(半導体Si及び関連材料・評価)
- ゲルマニウム薄膜のレーザ結晶化(シリコン関連材料の作製と評価)
- 半導体レーザ加熱処理による浅い接合形成(シリコン関連材料の作製と評価)
- 多結晶シリコン薄膜トランジスタの動作解析(シリコン関連材料の作製と評価)
- シリコン薄膜のレーザ結晶化(シリコン関連材料の作製と評価)
- SC-8-8 Fabrication of poly-Si TFTs at low temperratures and analysis of their characteristics
- 多結晶シリコン薄膜トランジスタ解析
- 紫外線プラズマ照射によるSiO_2/Si界面及びSi中の電気特性変化(シリコン関連材料の作製と評価)
- SiO_2/Si界面の特性の解析(半導体Si及び関連材料・評価)
- イオンドーピングした不純物の活性化(シリコン関連材料の作製と評価)
- 多結晶シリコンヘイオンドーピングされたドーパントの低温活性化(半導体Si及び関連材料・評価)
- 多結晶半導体国際会議2002報告
- 電流加熱結晶化法によるシリコン薄膜の結晶化(低温または高温多結晶Siとアクティブマトリックス型ディスプレイ用薄膜トランジスタ論文特集)
- 固相成長多結晶シリコン膜の電気的特性の解析
- 多結晶シリコン薄膜の形成技術
- 水蒸気熱処理による欠陥低減とSiO_2/Si界面改質
- 多結晶シリコン膜における結晶粒界のデバイスシミュレーション
- 高品質多結晶シリコン薄膜の形成技術とその電気的特性
- 多結晶シリコン膜における結晶粒界のデバイスシミュレーション
- レーザによる薄膜トランジスタ形成
- プラズマ照射によるMOS構造の電気特性変化
- 水蒸気熱処理による市販ソーラーセルの欠陥低減に関する検討
- レーザーアニールによるシリコン結晶化技術とそのデバイス応用 解説小特集号によせて
- 薄膜トランジスタプロセスの最近の展開
- 高品質多結晶シリコン薄膜の形成技術とその電気的特性