カーボン光吸収層を用いたシリコン膜の半導体レーザ結晶化(<特集>シリコン関連材料の作製と評価)
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概要
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スピンコートによるカーボン微粒子堆積膜を光吸収層に用いた赤外CW半導体レーザによるシリコン膜の結晶化を行なった.カーボン/Si/ガラス基板の構造の試料に,波長940nmパワー密度14〜70kW/cm^2,ビーム径180μmのCW半導体レーザ光を,掃引速度1m/sにて照射した.レーザ照射時間が約0.18msとエキシマレーザのパルス幅に比べて10^3倍以上長いという特徴を生かし,膜厚400nm〜1.4μmという厚いシリコン膜の結晶化を試みた.レーザ照射後のシリコン膜の表面及び裏面反射スペクトルを測定したところ,いずれも,波長270nm近傍に結晶シリコン特有のE_2ピークが観測され,膜厚方向全域にわたって結晶化が実現されていることが確認された.
- 2006-12-07
著者
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鮫島 俊之
東京農工大工
-
佐野 直樹
ハイテックシステムズ
-
安藤 伸行
東京農工大学
-
佐野 直樹
株式会社ハイテック・システムズ
-
安藤 伸行
東京農工大・工学教育部21世紀coeプログラム
-
鮫島 俊之
東京農工大学 工学部
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