電流加熱結晶化法によるシリコン薄膜の結晶化(低温または高温多結晶Siとアクティブマトリックス型ディスプレイ用薄膜トランジスタ論文特集)
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概要
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電流加熱結晶化法によりシリコン薄膜の結晶化を試みた.膜厚60nmの薄膜シリコンを用いた.発生するジュール熱強度が一様である単純形状のシリコンストリップを用いるとストリップ端に4μm長の結晶粒が形成された.更に大結晶粒を形成するためにテーパ形状のシリコンストリップを用い,発生するジュール熱強度に空間的変化を形成させた.17μs間シリコンに電流を流すことにより,13μm程度の結晶粒を形成した.透過型電子顕微鏡観察やラマン散乱スペクトルから,得られた結晶粒はアモルファス成分を含まない,単結晶であることがわかった.また,結晶化後の薄膜の表面は平たんであることがわかった.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2002-07-25
著者
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