高品質多結晶シリコン薄膜の形成技術とその電気的特性
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概要
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多結晶シリコンの基本的特性について議論する。フリーキャリヤ光吸収解析により、レーザ結晶化で形成した結晶粒内移動度は、粒径が10〜50nmと小さいにもかかわらず高い移動度を示すことがわかった。これに対して結晶粒界には高密度の電子捕獲欠陥準位が形成されることがわかった。水蒸気雰囲気熱処理による欠陥密度低減を実現した。同方法により多結晶薄膜トランジスタの移動度が500cm^2/Vsに向上した。さらに電流加熱による大粒径結晶成長を報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2000-04-14
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